Файл: раздаточный материал.doc

К

r_Б1 С_К1 r_Бj C_Kj r_Бm C_Km

Б

---

С_Э1 r_Э1 ... С_эj r_Эj .... C_эm r_Эm _NU₁^’g_Э1 _Nu_j^’g_Эj _Nu_m^’g_Эm

^{-------- ------- -------}

U₁^’ 1-_N U_j^’ 1-_N U_m^’ 1-_N

Э

Б, Э, К - внешние узлы, 1,.. j,...m - внутренние узлы

---

МАТРИЦА ПРОВОДИМОСТЕЙ ТРАНЗИСТОРА

	Э	Б	К	1	2		j		m
Э	j(CЭ1+CЭ2+. .СЭm)+NgЭ			-jCЭ1 -NgЭ1	-jСЭ2 -NgЭ2		-jCэj -NgЭj		-jCэm -NgЭm
Б		gБ1		-gБ1
К	-NgЭ		j(СК1+ СК2+..СКm)	-jCK1 +NgЭ1	-jCK2 +NgЭ2		-jCKj +NgЭj		-jCKm +Ngm
1	-jCЭ1	-gБ1	-jCK1	gБ1+gБ2+j(CK1+CЭ1)	-gБ2
2	-jСЭ2		-jCK2	-gБ2	gБ2+gБ3 +j(CК2+CЭ2)
j	-jCэj		-jCKj
									-gБm
m	-jCЭm		-jCKm						gБm+j(CKm+CЭm)

---

Удельная емкость коллекторного перехода - это барьерная емкость, а для эмиттерного перехода необходимо учитывать барьерную и диффузионную емкость для определенной величины тока эмиттера.

БИПОЛЯРНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР.

Частный случай распределенной схемы.

R_Б С_.к К П

Б

С_П

С_Э

---

U^’

Э

Любую проводимость можно записать следующим образом:

где i, j - Э, Б, К, П. Можно рассчитать все коэффициенты и свести в матрицы:

[]

	Э	Б	К	П
Э	gЭ*	-gЭ*	0	0
Б	-(1-N)gЭ*	(1-N)gЭ*	0	0
К	-NgЭ*	NgЭ*	0	0
П	0	0	0	0

[]

	Э	Б	К	П
Э	CЭ*(1-)	-СЭ(1-)+СК	-СК	0
Б	-CK-CЭ*	СЭ*+СК(1+)	-СК	0
К	СК-СЭ*+СП	-СК(1+)-СП-СК+СЭ*	СК(1+)+СП	СП
П	-СП	СП	-СП	СП

---