ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 22.03.2026
Просмотров: 54
Скачиваний: 0
2.5 |
Молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
При молекулярно-лучевой эпитаксии |
поверхность полупроводниковой подложки в сверхвысоком вакууме (~10-9 10-7 Па) в строго контролируемых условиях обрабатывается нескольким молекулярными (атомными) пучками одновременно, в результате чего на подложке формируется эпитаксиальный слой.
|
Особенностью метода является низкая |
|
скорость роста слоя (несколько |
Схема установки для |
моноатомных слоев в секунду). Это |
молекулярно-лучевой |
позволяет контролировать химический |
эпитаксии: |
состав растущего слоя и корректировать |
1 – подложка; 2 – подогреватель |
процесс по мере необходимости. |
подложки; 3 – источники пучков; |
|
4 – электронные пушки; 5 – сетка. |
|
2.6 |
Гетероэпитаксия кремния на сапфире |
Условиями получения качественных слоев Si:
а) близость параметров кристаллической решетки; б) согласованность по ТКЛР;
в) отсутствие химического взаимодействия продуктов реакции с подложкой.
КНС |
КНИ |
Достоинства КНС и КНИ:
а) отличная изоляция и, как следствие, высокое быстродействие; б)высокая радиационная стойкость.
Дополнительная информация
Формирование гетероструктур методом ГФЭ МОС
Установка ГФЭ МОС для получения гетероструктур GaAlAs - GaAs
Триметилгаллий (CH3)3Ga и триметилалюминий – источники атомов Ga и Al Гидрид AsH3 – источник атомов As; водород H2 – газноситель; dopant – легирующие примеси (Zn и Cd или Si, S, Se); manifold - коллектор
( Т = 650 ºС )