Файл: Справочник.pdf

r 

' 

■

  s" 

г 

/ 

i 

--

- 

» 

..  .

\   /

РАЗРАБОТЧИКА  И  КОНСТРУКТОРА РЭА

ЭЛЕМЕНТНАЯ  БАЗА

Книга  I

СПРАВОЧНИК РАЗРАБОТЧИКА И  КО Н СТРУКТО РА Р Э А . 

ЭЛЕМ ЕНТНАЯ БАЗА.

Масленников  М.Ю .,  Соболев  Е.А.,  Соколов  Г.В .,

Соловейчик Л. Ф .,  Лереверзева А. В .,  Федотов  Б, А.

*

Справочник  предназначен для предварительного  выбора  элементов  электроники 

рас­

считан  на  подготовленных  радиолюбителей  и  инженерно-технических  работников, | зани­
мающихся  разработкой  и  эксплуатацией  РЭА.  Справочник  в  табличной  форме  содержит 
сведения  сб. основных  электрических  параметрах  серийно  выпускаемых  отечественных 
элементов,  предназначенных  для  аппаратуры  широкого  применения.  Приведены  основ­
ные  электрические  параметры,  габаритные  чертежи,  цоколевка  и  сведения  об  изготови­

телях.  Справочные  материалы  составлены  на  основе ТУ,  РМ,  стандартов  и  справочников.

Справочник не  является  юридическим документом,  не  заменяет  официальных докумен­

тов,  (паспортов,  ТУ,  РМ),  но  позволяет  потребителям,  сопоставив  параметры  эде(§ентов 

с требованиями к аппаратуре,  осуществить  правильный  выбор  элементов.

Авторь)  будут признательны  за  критические  замечания  и  предложения,  которые  фздует 

направлять  по  адресу:  121019  Москва,  а/я  231.

ОГЛАВ ЛЕН И Е 

Диоды  и  тиристоры

,  4

Индикаторы

24

Источники  питания

29

Коммутационные  изделия  |

31

Конденсаторы

52

6

Микросхемы

96

часть  I. 

ДИОДЫ  И  ТИРИСТОРЫ

Содерж ание

Обозначение диодов

4

Замечания  по  эксплуатации

5

Технические характеристики.

5

1.3.1.

Диоды  выпрямительные

в

1.3.2

Выпрямительные столбы  и  блоки

7

1.3.3

Диоды универсальные  импульсные

8

1.3.4

Диодные сборки

9

1.3.5

Диоды туннельные и обращенные

9

1.3.6

Преобразователи

10

1.3.7

Варикапы

10

1.3.8

Ограничители  напряжения  •

11

1.3.9

Стабилизаторы тока

11

1.3.10 Диоды лавинные

12

1.3.11

Диоды  импульсные лавинные

12

1.3.12

Диоды  импульсные  с  барьером  Шоттки

12

1.3.13 Диоды  СВЧ  параметрические

12

1.3.14

Диоды  СВЧ умножительные  и  настроечные

12

1.3.15 Диоды  СВЧ  смесительные,  детекторные

13

1.3.16

Диоды СВЧ  переключательные  и

13

ограничительные

1.3.17

Диоды СВЧ  генераторные

14

1.3.18

Стабилитроны  и  стабисторы

15

1.3.19

Стабилитроны  импульсные

17

1.3.20 Динисторы

18

1.3.21

Тиристоры запираемые

18

1.3.22 Симметричные тиристоры  (симисторы)

18

1.3.23 Тиристоры  низкочастотные

18

1.3.24 Тиристоры  импульсные

19

Габаритные чертежи диодов  и тиристоров

20

1.1.  Обозначение  д и о д о в   (п о   О С Т   11336.919-81,  Г О С Т   10862-73)

Первый  элемент  обозначения  -   исходный  полупроводниковый  материал  или  его  соедине­

ния  (буква  для  приборов  широкого,  цифра для  приборов  специального назначения):  Г  (1)  -   германий,  К  (2)  кремний, 

А  (3)  галлий  (арсенид галлия),  И  (4)  индий.

Второй  элемент  —  подкласс  приборов:  Д   — диоды  выпрямительные  и  импульсные,  Ц  —  выпрямительны  столбы и 

блоки,  В  -   варианты,  А -   сверхвысокочастотные диоды,  С  -   стабилитроны,  Г —  генераторы  шума,  Д  —  излучающие,
О  -   оптопары,  Н  -  диодные тиристоры,  У -   триодные тиристоры.

Третий  элемент  -   область  применения.  Выпрямительные диоды  и столбы  с  прямым током  до 0 ,3   А обозначаются 

101-199,  до  10  А  -   202-299,  выпрямительные  блоки,  соответственно  301-399  и  401-499;  диоды  на  частоты  до  1  ГГЦ 
401-499;  импульсные диоды  с временем  восстановления сопротивления  больше 150 не -   501-599,  30  не  -   601-699.  5 

не  -   701-799,  1  не  -   801-899,  менее 1  не  -   901-999;  стабилитроны  и  стабисторы  мощностью до  0,3  Вт с  напряжени­
ем  стабилизации  до  10  В  -   101-199,  до  100  В  -   201-299,  до  199  В  -   301-399,  мощностью  до  5  Вт  соответственно 

401-499,  501-599,  601-699  и  мощностью  более  5  Вт  -  701-799,  801-899,  901-999  (для  стабилитронов две  последние 
цифры  соответствуют  номинальному  напряжению  стабилизации);  варикапы  подстроечные  101-199,  умножительные 

201-299;  тиристоры  диодные  и  триодные  незапираемые  с  прямым  током  до  0,3  А  -   101-199,  до  10  А  -   201-299* 

запираемые с токами 0,3 и  10 А -   соответственно 301-399  и  401-499,  симметричные  с токами  0,3  и 10  А,  соответст­

венно,  501-599 и  601-699.

Четвертый  элемент  -   буква  классифицирует  прибор  по  параметрам  (разбраковка).  В  качестве  дополнительны* 

элементов  используются:  цифры  1-9  -   модификации  конструкции  или  электрических  параметров,  буква  С  -   сборк*

•

  Зор диодов).  Цифры  через дефис  обозначают  конструктивное исполнение  бескорпусных  приборов:  1,  2 с  гибкими 

в^йоцами,  3,  4  с  жесткими,  5,  6  с  контактными  площадками,  буква  Р  после  обозначения  -   приборы  с  парнь»,и 

по.’  *;  чными  элементами,  Г  -   с подбором »  четвер' и,  К  -   в  шестерки.

ДИОДЫ  И ТИРИСТОРЫ  5

Диоды  разработки  до  1964  г.  обозначаются:  Д   и  число,  характеризующее  диоды  германиевые  точечные  1-100, 

крсмнийпыа  101-  200,  плоскостные  германиевые  201-300,  кремниевые 301-400,  СВЧ,  смесительные 401-500,  умно- 
жмшльныо  001 "600,  иидоодетекторы  601-700,  параметрические  германиевые 701-749,  кремниевые 750-800,  стаби­

литроны  801-ООО,  плрикппы  901-950,  туннельные  951-1000,  столбы  1001-1100.

1 .2 .  З а м е ч а н и я   по  э к с п л у а т а ц и и

Приведенные  в  справочнике  параметры  являются  усредненными.  Для  повышения  надеж­

ности  рекомендуется  эксплуатировать  полупроводниковые  приборы  (диоды)  на уровне  0 , 5 -0 ,8   предельных  значений. 

Превышение  продельных  значений  при  эксплуатации  даже  кратковременное  не допускается.  Параметры  полупровод­

никовых  приборов  резко  зависят  от  температуры  окружающей  среды.  Надежность  падает  приблизительно  в  два  раза 
при  повышении  температуры  на  каждые  10°  С.  При  работе  приборов  в  условиях  повышенных  электрических  нагрузок 
и  томперпгуры  необходимо  применять  теплоотвода!  (радиаторы).

1 .3 .  Т е х н и ч е с к и е   х а р а к те р и с ти к и   д и о д о в

Условные  обозначения  параметров 

О б щ и е   о б о з н а ч е н и я :

Unp  -   постоянное  прямое  напряжение  диода,  иПр,и  -   импульсное  прямое  напряжение,  Uo6p  —  постоянное  обрат­

ное  напряжение,  Uo6P,M

  -   обратное  импульсное  напряжение.  Unp.cp  -   среднее  прямое  напряжение,  ’ 'проб  -   пробивное 

напряжение,  1Пр  -   постоянный  прямой  ток,  !Пр.и  -   импульсный  прямой  ток,  Inp.cp  -   средний  прямой  .  ж,  1обр  -   посто­
янный  обратный  ток,  1обр,и  -   импульсный  обратный  ток;

Р„р  -   прямая  рассеиваемая  мощность  (рассеиваемая  мощность  при  протекании  прямого  т:>  ъ 

аовр  -   обратная 

рассеиваемая  мощность  (при  протекании  обратного  тока).  Рср  -   средняя  рассеиваемая  мощносп  .среднее за  пери­
од  значение  мощности  рассеиваемой  диодом),  Рн  -   импульсная  рассеиваемая  мощность  (нанбслошее  мгновенное 
значение  мощности);

fmiix  -   граничная  частота;
tnoc  обр  -   время  обратного  восстановления  (время  переключения  от  момента  прохождения  тока  через  нулевое 

значение  до  момента  достижения  обратным  током  заданного  значения).

Ттах  -   максимальная  рабочая  температура  окружающей  среды.

В ы п р я м и т е л ь н ы е   д и о д ы
1„р,  -   ток  перегрузки  при  t*  (tnpr)  длительности  импульса  (времени  перегрузки).

Т у н н е л ь н ы е   д и о д ы

|пр  -   пиковый  ток  туннельного  диода  (значение  прямого  тока  в  точке  максимума  ВАХ,  при  котором  значение 

дифференциальной  активной  проводимости  равно  нулю).

В а р и к а п ы

О ,  -   добротность  варикапа  (отношение  реактивного  сопротивления  варикапа  на  заданной  частоте,  к  сопротивле­

нию  потери).

Кс  -   коэффициент  перекрытия  по  емкости  варикапа  (отношение  общих  емкостей  варикапы  при  двух  заданных 

значениях  обратного  напряжения.

С в е р х в ы с о к о ч а с т о т н ы е   д и о д ы

Lnp6  -   потери  преобразования  смесительного  диода  (отношение  мощности  СВЧ  сигнала  на  входе  к  мощности 

сигнала  промежуточной  частоты  в  нагрузке  смесительного диода).

N

m

  -   выходное  шумовое  отношение  СВЧ  диода  (отношение  мощности  шума  СВЧ  диода  в  рабочем  режиме,  отда­

ваемой  в  согласованную  нагрузку  к  мощности  тепловых  шумов  согласованного  активного  сопротивления  при  той  же 
температуре  и  одинаковой  полосе  частот).

Ком  -   коэффициент  стоячей  волны  по  напряжению СВЧ  диода.
Inn  -   выпрямленный  ток  СВЧ  диода  (постоянная  составляющая  в  рабочем  режиме).

W

m

  —  энергия  одиночного  импульса.

С т а б и л и т р о н ы   и  с т а б и с т о р ы  
U

ct

  ~   напряжение  стабилизации.

|ст  -   ток  стабилизации.

Лет,  Л1ст  -   технологический  разброс  напряжения,  тока  стабилизации, 

ост  ~  температурный  коэффициент  напряжения  стабилизации.

Т и р и с т о р ы

Uoc 

—  постоянное  напряжение  в  открытом  состоянии.

Uy*  -   запирающее  напряжение  управления.
Цуот  -   отпирающее  напряжение  управления.
U»c  -   предельное  значение  напряжения  на  закрытом  тиристоре.
1УА  -   ток  удержания  (минимальный  ток  необходимый  для  поддержания  тиристора  в  открытом  состоянии).
!»с  -   постоянный ток  в  закрытом  состоянии.
•обр  -   постоянный  анодный  ток  в  непроводящем  состоянии, 
loc  -   постоянный ток  8  открытом  состоянии.
Iyer  -   отирающий  ток  управления.
Цп  —  запирающий  постоянный  ток  управления.

U«a  -   время  включения,  U

mw

  —  время  выключения.

-   рассеиваемая  мощность  в  от*.рытом  состоянии. 

I  Л