Файл: Выбор элементов системы.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.05.2020

Просмотров: 107

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

4 ВЫБОР ЭЛЕМЕНТОВ СИСТЕМЫ


4.1 Выбор микропроцессора


Произведя анализ автомобильных процессоров, выбираем процессор фирмы Siemens SAB 80C509A , совместимый с микроконтроллерами Intel 80C51/80C52, в котором имеется дополнительное арифметическое устройство.

Технические характеристики:

1) разрядность - 8

2) тактовая частота - 16 МГц

3) число каналов - 15

4) Разрядность АЦП - 10

5) Дополнительное АЛУ

6) 29-канальное устройство фиксации и сравнения, а также

7) Устройство генерации сигналов переменной длительности (PWM).

8) Минимальное время преобразования аналогового входа в цифру — 7 мкс.

Дополнительное АЛУ может выполнять деление 32-разрядных целых чисел за 2,25 мкс, а умножение 16-разрядных чисел — за 1,5 мкс.


4.2 Выбор усилителя


Усиление и преобразование электрических сигналов в системах автоматического управления производится в основном при помощи электронных, магнитных и электромашинных устройств. Электрон­ные методы усиления и преобразования являются наиболее универ­сальными и гибкими.

Использование полупроводниковых приборов (в первую очередь транзисторов и тиристоров), обеспечивающих высокий КПД при низких напряжениях питания и больших токах, имеющих малые габаритные размеры и большой срок службы, позволяет существенно расширить область применимости электронных методов в устройст­вах автоматического управления.

В современной автоматике явно выражена тенденция к расшире­нию области применения электронных методов усиления и преобра­зования при использовании в основном транзисторов и тиристоров в сочетании их с другими бесконтактными элементами, и в первую очередь интегральными микросхемами.

В качестве электронного усилителя выбран усилитель напряжения ЭУ3-П, обеспечивающий необходимую мощность двигателя.


4.3 Выбор рабочего органа


Ксеноновая газоразрядная лампа типа D2S(R) производства фирмы PHILIPS специально разработана как источник света повышенной яркости применительно к автомобильным фарам. В ней световой поток высокой интенсивности получается за счет свечения газа, инициированного дуговым разрядом между двумя электродами. Электроды лампы находятся в колбе, заполненной ксеноном под большим давлением (около 30 атм. в нерабочем состоянии и около 120 атм. в режиме горения) и солями металлов.

Ксеноновая лампа имеет цветовую температуру около 4300 градусов по Кельвину (именно Филипс, Осрам лампы D2S) по сравнению с 2800 град. К.,  у галогеновой лампы. Цветовая температура является единицей яркости источника света. Чем выше цветовая температура, тем ближе спектр источника излучения к солнечному свету. Это объясняет тот факт, что свет ксеноновых газоразрядных ламп имеет голубой оттенок, а обычных галогеновых - желтоватый.

Краткое описание HID-лампы типа D2S (R):

  1. Высота - 75 мм.

  2. Диаметр стеклянной колбы 8.7 мм.

  3. Тип цоколя PX32d.

  4. Цветовая температура излучаемого света  до 7000К (яркий бело-голубой свет), что обеспечивает дополнительную безопасность водителю.


Производители HID-ламп: Philips, Osram, GE, а также ряд азиатских производителей. Такая лампа потребляет всего 35 ватт энергии, что в два раза меньше, чем обычная галогеннная лампа, но ее светоотдача в два раза выше и соответствует примерно 200 ваттам мощности галогеннной лампы. Таким образом, КПД HID-лампы самый высокий среди ламп, используемых в осветительных приборах автомобилей, что делает такую лампу лучшей в мире по совокупности технических характеристик.

HID(High Intensity Discharge)-технология стала прорывом в истории автомобильной светотехники. HID-лампы стали применяться в автомобильных осветительных приборах с 1992 года. Такие лампы не только обеспечивают лучшее освещение дороги в поле зрения водителя, но также повышают безопасность движения.

Сегодня практически все крупные автопроизводители мира начинают устанавливать HID-лампы, как стандартное оборудование своих автомобилей.

Технические характеристики лампы:

Потребляемая мощность, Вт 35

Светоотдача, Лм 3200

Цветовая температура, К 4500

Срок службы, час. более 2000

КПД, Лм/Вт 91,4


4.4 Выбор электродвигателя


В результате проведения сравнительного анализа электродвигателей различных типов и конфигураций был выбран электродвигатель типа IG22C. Область применения: средства автоматизации и системы управления, устройства регулирования, автоматические и автоматизированные системы управления, следящие мини-приводы, средства обработки и представления информации, специальные инструменты, медицинская техника.

Технические характеристики электродвигателя:

Напряжение питания, В 12

Крутящий момент, кгс*см 6

Скорость вращения, об/мин 1580

Мощность, Вт 2

Передаточное отношение 3050


4.5 Выбор потенциомера

Выбираем потенциометр марки ПТП-5. Его технические характеристики:

- Номинальная мощность рассеяния, Вт 5

- Номинальная величина сопротивления RH,кОм 4

- Доп. отклон. сопротивления,% ±5

- Рабочая температура при номинальной мощности рассеяния, °С 100

- Минимальная наработка, ч 3000


4.6 Выбор датчика положения


Произведя анализ датчиков положения был выбран индуктивный датчик положения ДИ-1, который предназначен для дискретного контроля положения подвижных элементов исполнительных устройств, наличия объекта, регистрации прохождения металлических деталей на конвейере.
Датчик ДИ-1 представлен на рисунке 6.

Рисунок 6 – Датчик положения ДИ-1

        Применяется в робото-технологических комплексах, автоматизированных транспортно-складских системах, системах автоматики, конвейерах.
        Принцип действия датчика заключается в том, что он реагирует на металлические предметы, находящиеся в зоне его чувствительности, и выполняет функцию замыкающего контакта, т.е. при приближении к датчику металлического предмета он срабатывает и на его выходе происходит скачкообразное изменение напряжение от 0 до напряжения питания. Этот сигнал подается на индуктивную нагрузку (обмотку реле типа РПУ, РП-21) для управления исполнительным устройством. Датчик положения состоит из пассивной части, навесных активных элементов и чувствительного элемента. Пассивная часть датчика представляет собой плату с пленочными резисторами, изготовленную по тонкопленочной технологии с использованием методов вакуумного напыления и прецизионной фотолитографии.
        В качестве навесных активных элементов используются безкорпусные транзисторы, микросхемы, конденсаторы. Конструктивно датчик оформлен в плоский пластмассовый корпус.


Технические характеристики:

- Расстояние срабатывания, мм 8 ± 1,5

- Напряжение питания, В 12

- Выходной ток, мА 100

- Гистерезис в % 5

- Диапазон рабочих температур, oС -30…+50

- Габаритные размеры, мм 43 х 40 х 9

- Масса, г. не более 15