ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 28.05.2020

Просмотров: 761

Скачиваний: 13

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

БАЛАКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ТЕХНИКИ, ТЕХНОЛОГИИ И УПРАВЛЕНИЯ (ФИЛИАЛ)

ГОУ ВПО «САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

ФАКУЛЬТЕТ ИНЖЕНЕРНО – СТРОИТЕЛЬНЫЙ

КАФЕДРА «УПРАВЛЕНИЕ И ИНФОРМАТИКА В ТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ»

ОТЧЕТ ПО ДИПЛОМУ

Руководитель

2.2 Аналоговые мультиплексоры

2.3 Статические характеристики коммутаторов

Таблица 1 – Допустимые токи нагрузки медных проводов

5.2.4 Конденсаторы. Ниже приведены чертеж и параметры электролитических конденсаторов CapXon C418 и Jamicon 616C2, которые используются в приборе.

Таблица 8 – Рабочие параметры конденсатора К10-17Б

5.2.7 Полевые транзисторы. В разработанной электрической схеме полевые транзисторы выполняют роль ключей, то есть в закрытом положении транзисторы коммутируют нагрузку с источником питания. Далее представлены габариты полевого транзистора IRFZ44N и его основные характеристики



5.2.4 Конденсаторы. Ниже приведены чертеж и параметры электролитических конденсаторов CapXon C418 и Jamicon 616C2, которые используются в приборе.

Рисунок 40 – Размеры конденсаторов CapXon C418 и Jamicon 616C2

Таблица 6 – Рабочие параметры конденсатора CapXon C418

Параметр

Значение

Рабочее напряжение, В

16

Номинальная емкость, мкФ

2200

Допуск номинальной емкости, %

20

Рабочая температура, С

от -40 до 85

Расстояние между выводами F, мм

5.08

Выводы/корпус

аксиал.пров.

Диаметр корпуса D, мм

13

Длина корпуса L, мм

20


Алюминиевые электролитические конденсаторы, благодаря электрохимическому принципу работы, обладают следующими преимуществами:

а) высокая удельная емкость;

б) высокий максимально допустимый ток пульсации;

в) высокая надежность.

Таблица 7 – Рабочие параметры конденсатора Jamicon 616C2

Параметр

Значение

1

2

Рабочее напряжение, В

25

1

2

Номинальная емкость, мкФ

100

Допуск номинальной емкости, %

20

Рабочая температура, С

от -40 до 105

Расстояние между выводами F, мм

2.54

Выводы/корпус

аксиал.пров.

Диаметр корпуса D, мм

6.5

Длина корпуса L, мм

12


В схеме также применяются два керамических конденсаторы К10-17Б.

Конструктивно выполнены изолированными. Далее приведены чертеж данных конденсаторов и его основные параметры. Предназначены они для работы в сетях постоянного, переменного и импульсного тока.

Рисунок 41 – Размеры конденсаторов К10-17Б

Таблица 8 – Рабочие параметры конденсатора К10-17Б

Параметр

Значение

1

2

Рабочее напряжение, В

50

Номинальная емкость, мкФ

0.01

Допуск номинальной емкости, %

10

Рабочая температура, С

от -50 до 125

Температурный коэффициент

X7R

1

2

Выводы/корпус

рад.пров.

Ширина корпуса W, мм

3.2

Длина корпуса L, мм

4.2


5.2.5 Резисторы. Используемые резисторы серии C1-4 имеют сопротивления 100 Ом, 3 кОм, 4.7 кОм.

Таблица 9 – Рабочие параметры резисторов

Параметр

Значение

Номинальная мощность, Вт

0.25

Точность, %

5

Максимальное рабочее напряжение, В

250

Рабочая температура, С

от -55 до 125

Монтаж

в отв.

Установочная длина l, мм

10.16

Диаметр корпуса D, мм

2

Длина корпуса L, мм

6


Достоинством данного типа резисторов является широкий диапазон номинальных сопротивлений, малые габаритные размеры, большой срок сохраняемости, широкий диапазон рабочих температур.

5.2.6 Биполярные транзисторы. Схематическое устройство транзистора и его установочные габариты показаны на рисунке 40.


Таблица 10 – Основные параметры биполярного транзистора КТ503Е

Параметр

Значение

1

2

Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В

100

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

80

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА

150

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

0,35

1

2

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

от 40 до 120

Обратный ток коллектора, А

до 1

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, Гц

выше 350


Рисунок 42 – Установочные габариты биполярного транзистора КТ503Е

5.2.7 Полевые транзисторы. В разработанной электрической схеме полевые транзисторы выполняют роль ключей, то есть в закрытом положении транзисторы коммутируют нагрузку с источником питания. Далее представлены габариты полевого транзистора IRFZ44N и его основные характеристики

Рисунок 43 – Установочные размеры полевого транзистора IRFZ44N

Таблица 11 – Основные параметры полевого транзистора IRFZ44N

Параметр

Значение

1

2

Структура

N-канал

1

2

Максимальное напряжение сток-исток Uси, В

55

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс., А

49

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., В

±20

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., мОм

17.5

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс., Вт

110

Крутизна характеристики S, мА/В

15000

Корпус

TO220AB

Пороговое напряжение на затворе, В

4


5.2.8 Стабилизатор. В схеме применяется стабилизатор NY78L05. Габариты его совпадают с габаритами полевых транзисторов IRFZ44N, а параметры приведены в таблице ниже.

Таблица 12 – Основные параметры стабилизатора напряжения NY78L05

Параметр

Значение

Тип

нерегулируемый

Выходное напряжение, В

5

Ток нагрузки, А

2

Тип корпуса

ТО220

Максимальное входное напряжение, В

15

Нестабильность по напряжению, %

0.05

Нестабильность по току, %

1

Температурный диапазон, С

от -10 до 70


5.2.10 Клеммники. Для подключения к плате индуктивных нагрузок используются двухвыводные клеммники серии PCB KLS2-126-500.

Таблица 13 – Параметры клеммников KLS2-126-500

Параметр

Значение

Рабочее напряжение, В

300

Ток нагрузки на контакт, А

10

Сопротивление изоляции при 1000 В, МОм

5000

Температурный диапазон, С

от -33 до 120

Рисунок 44 – Габариты клеммников KLS2-126-500

5.2.9 Кнопка. В схеме используется тактовая кнопка KLS7-TS6601. Рассчитана она на напряжение до 24 В и силу тока до 25 мА.

Рисунок 45 – Габариты тактовой кнопки KLS7-TS6601





6 РАСЧЕТЫ ЭЛЕМЕНТОВ И УЗЛОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ


В проектируемом устройстве применяются два типа монтажа – печатный и объемный. Печатный монтаж применяется для соединения между собой радиоэлементов, входящих в функционально-законченные узлы. Объемный монтаж необходим для соединения функционально-законченного узла с элементом питания, элементами коммутации.

Шаг сетки выбираем равным 1.27 мм.

Таблица14 – Основные параметры печатной платы

Параметр

Значение

Минимальное значение номинальной ширины проводника, t, мм

0.2

Гарантийный поясок, bм, на наружном слое, мм

0.05

Номинальное расстояние между проводниками, S, мм

0.25

Отношения диаметра отверстия к толщине платы, мм

0.33

Допуск на отверстия Δd, с металлизацией, ≤1 мм, мм

0.05

Допуск на отверстия Δd, с металлизацией, >1 мм, мм

0.10

Допуск на ширину проводника Δt,мм, с покрытием, мм

0.10

Допуск на расположение отверстий δd, мм

0.05

Допуск на расположение контактных площадок δр, мм

0.15

Допуск на расположение проводников δ1, мм

0.03


Диаметр монтажного отверстия больше диаметра выводов элементов на величину, удовлетворяющую условиям пайки и автоматизированной сборки ячеек.

Определяем номинальное значение диаметров монтажных отверстий Д:

ДО = Двыв+ , (1)

где Двыв -максимальный диаметр вывода устанавливаемого ЭРЭ;

- нижнее предельное отклонение от номинального диаметра монтажного отверстия (для четвертого класса точности ПП при диаметре отверстия, меньшем либо равном 1 мм, равным минус 0.1 мм);

- разница между минимальным диаметром отверстия и максимальным диаметром вывода ЭРЭ, ее выбирают в пределах 0.1…0.4 мм. Примем значение этой величины:

=0.1 мм.

Отверстия для выводов микросхем при Двыв=0.5 мм:

ДО1=0.5-0.1+0.1=0.5 мм.

Отверстия для выводов диодов при Двыв=0.8 мм:

ДО2=0.8-0.1+0.1=0.8 мм.

Отверстия для кварцевого резонатора при Двыв=0.45 мм:

ДО3=0.45-0.1+0.1=0.45 мм.

Отверстия для конденсатора C1 при Двыв=0.8 мм:

ДО4=0.8-0.1+0.1=0.8 мм.

Отверстия для конденсаторов C2, C4 при Двыв=0.5 мм:

ДО5=0.5-0.1+0.1=0.5 мм.

Отверстия для конденсатора C3 при Двыв=0.5 мм:

ДО6=0.5-0.1+0.1=0.5 мм.

Отверстия для конденсаторов C2, C4 при Двыв=0.5 мм:

ДО7=0.5-0.1+0.1=0.5 мм.

Отверстия для резисторов при Двыв=0.35 мм:

ДО8=0.35-0.1+0.1=0.35 мм.

Отверстия для биполярных транзисторов при Двыв=0.5 мм:

ДО9=0.5-0.1+0.1=0.5 мм.

Отверстия для полевых транзисторов и стабилизатора при Двыв=0.8 мм:

ДО10=0.8-0.1+0.1=0.8 мм.

Отверстия для кнопки при Двыв=0.7 мм:

ДО11=0.7-0.1+0.1=0.7 мм.

Отверстия для клеммников при Двыв=1.3 мм:

ДО12=1.3-0.1+0.1=1.3 мм.

Для обеспечения минимизации числа различных диаметров монтажных отверстий полученные значения диаметров необходимо округлить. Тогда, выбирая из ряда предпочтительных размеров, получим следующий набор диаметров:


ДО1= ДО3= ДО5= ДО6= ДО7 = ДО8 = ДО9 = 0.8 мм,

ДО2= ДО4= ДО10= ДО11=1.0 мм,

ДО12 =1.3 мм.

Минимальный диаметр контактных площадок для печатной платы

Дmin1 min+1,5hr,

где Д1 min – эффективный минимальный диаметр контактной площадки;

hr – толщина гальванической меди. По поверхности проводников плат средних размеров hr=0.05 мм.

Дmin1=1.15+1.5∙0.05=1.525 мм,

Дmin2=1.65+1.5∙0.05=1.725 мм,

Дmin3=2+1.5∙0.05=2.075 мм.

(2)

где bм - расстояние от края просверленного отверстия до края контактной

площадки (гарантийный поясок), мм;

d и p - допуски на расположение отверстий и контактных площадок.

Вычислим значения минимальных диаметров контактных площадок для монтажных отверстий с максимальными значениями диаметров:

Максимальный диаметр просверленного отверстия Д о max, мм:

где d - допуск на отверстие, мм;

Д0 - номинальный диаметр металлизированного отверстия, мм.

Максимальный диаметр контактной площадки Д max, мм вычисляется по формуле:

(4)

Вычислим значения максимальных диаметров контактных площадок для отверстий со значениями минимальных диаметров контактных площадок при покрытии олово – свинец: 1.525 мм; 1.725 мм; 2.075 мм; 3.075 мм:

Для обеспечения минимизации числа различных диаметров отверстий полученные значения диаметров сведем к значениям из ряда предпочтительных размеров:

Таблица 15 – Результаты расчета диаметров платы

ЭРЭ

Двыв,

мм

Д0,

мм

Допр,

мм

,

мм

,

мм

Дmin,

мм

мм

мм

1

2

3

4

5

6

7

8

9

DD1

0.5

0.5

0.8

0.95

1.45

1.525

1.575

1.6

R1-R22

0.35

0.35

C2, C3, C4

0.7

0.7

Z1

0.45

0.45

VT1-VT4, VT9-VT11

0.5

0.5

C1

0.8

0.8

1.0

1.15

1.65

1.725

1.745

2

VD1-VD15

0.8

0.8

VT5-VT8, VT12-VT14

0.8

0.8

DA1

0.8

0.8

SB1

0.7

0.7

X1-X4,

X9-X11

1.1

1.1

1.3

1.5

2

2.075

2.095

2.3

Минимальная ширина проводника для оплавляемого покрытия олово-свинец:

tmin= t1 min+1,5hr+t, (5)

где t1 min - минимальная эффективная ширина проводника, мм;

t - допуск на ширину проводника, мм.

tmin= 0.15+1.5∙0.05+0.03=0.255 мм.

При формировании проводников на фольгированном диэлектрике их минимально допустимая в производстве ширина определяется, прежде всего, адгезионными свойствами материала основания и гальвано стойкостью оксидированного слоя фольги, так как браком является даже частичное отслаивание проводника от основания диэлектрика.

Максимальная ширина проводника:

tmax = tmin+(0,02...0,06),

tmax = 0.255+0.02=0.275 мм.

Произведем расчет минимального зазора между элементами проводящего рисунка. Минимальный зазор между проводником и контактной площадкой:


(6)

где Lэ - расстояние между центрами рассматриваемых элементов, мм;

l - допуск на расположение проводников, мм.

Вычислим значение для диаметра контактной площадки, равной 1.6 мм, при Lэ=1.27 мм:

.

Вычислим значения для диаметров контактных площадок, равных 2.0 мм и 2.3 мм соответственно, при Lэ=2.54 мм:

Минимальный зазор между двумя проводниками:

S2 min=L э - (tmax+2 l ),

S2 min=1.27-(0.275+2∙0.03)=0.92 мм.

Таким образом, любые два из используемых проводников могут быть проведены на расстоянии 1.27 мм друг от друга.

Минимальный зазор между двумя контактными площадками:

S3 min = L э - (Дmax+2 p).

Вычислим значения S3 min для диаметров Дmax, равных 1.6 мм; 2.0 мм; 2.3 соответственно:

S3 min1=2.54-1.6-2∙0.15=0.64 мм,

S3 min2=2.54-2.0-2∙0.15=0.24 мм,

S3 min3=2.54-2.3-2∙0.15=-0.14 мм, тогда увеличим межцентровое расстояние на шаг координатной сетки:

S3 min3=3.81-2.3-2∙0.15=1.21 мм.

Из вышеприведенного расчета видно, что на расстоянии 2.54 мм могут находиться лишь отверстия с диаметром контактной площадки не более 2.0 мм. При диаметре контактных площадок, равном 2.3 мм, расстояние между контактными площадками должно быть не менее 3.81 мм.

Таким образом, из результатов расчета получаем, что расстояния между элементами проводящего рисунка не меньше минимально допустимых и параметры печатного монтажа отвечают требованиям, предъявляемым к печатным платам четвертого класса точности изготовления.