Файл: Лабораторная работа 1 Проверка основного закона динамики поступательного движения.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 08.11.2023
Просмотров: 334
Скачиваний: 8
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Контрольные вопросы:
1. Дайте определение дифракции. Укажите условия наблюдения дифракции.
2. Перечислите виды дифракционных решеток. Что такое постоянная или период решетки?
3. Запишите условие главных максимумов при дифракции на решетке, перечислите величины входящие в него, если возможно, то дайте им определения.
4. Что происходит с дифракционной картиной при изменении числа щелей решетки?
5. Что такое лазер? Виды лазеров. В чем заключается принцип работы полупроводникового лазера?
6. Как используется лазер в вычислительной технике?
1)Дифракция света – совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в среде с резкими неоднородностями (края экранов, малые отверстия), и связанных с отклонениями от законов геометрической оптики Дифракция приводит к огибанию световыми волнами препятствий и проникновению света в область геометрической тени
2)Дифракционная решетка — спектральный прибор, служащий для разложения света в спектр и измерения длины волны. Различают прозрачные и отражающие решетки. Дифракционная решетка представляет собой совокупность большого числа параллельных штрихов одинаковой формы, нанесенных на плоскую или вогнутую полированную поверхность на одинаковом расстоянии друг от друга.
4)С увеличением числа щелей решетки уменьшается количество максимумов в дифракционной картине, но их интенсивность резко возрастает (интенсивность главного максимума пропорциональна квадрату числа щелей), дифракционная картина становится выразительнее.
5)Это устройство преобразующее энергию накачки (световую, электрическую, тепловую, химическую) в энергию когертного, монохроматического, поляризованного и узконаправленного потока излучеиня
Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник. В таком лазере, в отличие от лазеров других типов (в том числе и других твердотельных), используются излучательные переходы не между локализованными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешёнными энергетическими зонами или подзонами кристалла.
6)Принципиально достигнутые малые времена переключения делают возможным применение лазеров и комбинаций с лазерами, включая интеграцию в микроэлектронных переключательных схемах ( оптоэлектроника ):в качестве логических элементов (да-нет, или); для ввода и считывания из запоминающих устройств в вычислительных машинах.