Файл: Изучение свойств сложных полупроводниковых материалов.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 11.01.2024
Просмотров: 14
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
ЛАБОРАТОРНО-ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА № 4
Тема: « Изучение свойств сложных полупроводниковых материалов»
Цель работы: Изучить свойства полупроводниковых приборов, их применение в электротехнической промышленности.
Оснащение:
1. Образцы полупроводниковых материалов
2. Справочные таблицы.
3. Учебная литература: Журавлева Л.В. Электроматериаловедение. – М.: ПрофОбрИздат, 2002
План работы:
-
Изучите краткие теоретические сведения.
Используя учебник «Электроматериаловедение», изучите свойства полупроводниковых материалов:
а) арсенид галлия – стр.130;
б) фосфид галлия - стр.132;
в) халькониды – стр.134;
г) оксидные полупроводники – стр.139;
д) стеклообразные полупроводники – стр. 140;
е) органические полупроводники стр.141
2. Рассмотрите образцы материалов.
3. Определите и запишите основные электротехнические свойства полупроводников, выбирая необходимые данные из справочных таблиц:
а) плотность материала;
б) температура плавления;
в) ширина запретной зоны;
г) теплопроводность;
д) удельное электрическое сопротивление;
е) примеры использования данных материалов.
Таблица 1
Характеристика | Ge | Si | Se | Te |
Плотность, кг/м3 | 5327 | 2650 | 4360 | 6240 |
Температура плавления, ˚C | 938,2 | 1410 | 220 | 449,5 |
Удельное электрическое сопротивления, Ом·м | 5.6-6.0 | 150 | 80 | 2,9·109 |
Диэлектрическая проницаемость | 16 | 12 | 6 | 5 |
Область применения | Изготовление диодов, фотодиодов, транзисторов, дозиметры ядерных излучений, | Изготовление транзисторов, фотоэлементов, интегральных схем и диодов | Изготовление выпрямителей, фотоэлементов, фотометров и сигнальных устройств | Детекторный металл в радиоприборах и сплавах высокого сопротивления, также в применение термопары теллур-платина и теллур-висмут |
Таблица 2
Характеристика | SiC | GaAs | GaP | InAs |
Плотность, кг/м3 | 3.21 | 5.32 | 4.14 | 5.67 |
Удельное электрическое сопротивление Ом·м | 1.3 | 2.8 | 2.4 | 2.5·10-3 |
Область применения | Используется как полупроводник в микроэлектронике, в пескоструйной обработке и водоструйной резки | Транзисторы, светодиоды, интегральные схемы и дискретных микроэлектронных приборов | Светодиоды | Транзисторы , интегральные схемы, фотоприемные детекторы |
4. Сделайте вывод:
В данной лабораторно-практической работе, были изучены свойства сложных полупроводников, зависящих от внешних факторов:
1.Температура- сильно влияет на электрическое сопротивление (с увеличением температуры, сопротивление снижается, а у металлов- увеличивается);
2.Электрические и магнитные поля- влияют на подвижность и концентрацию носителей заряда;
3.Световая энергия – вызывает появления в нём избыточного количества носителей зарядов,
5 * . Поясните, почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?
С ростом температуры увеличивается число свободных электронов и дырок, так как сопротивление уменьшается, а проводимость увеличивается.
Контрольные вопросы:
-
Назовите отличия примесной проводимости от собственной.
Собственная проводимость – проводимость чистых полупроводников не содержащих каких-либо примесей т.е. это полупроводники, в которых свободные электроны и «дырки» появляются в процессе ионизации атомов, из которых построен весь кристалл.
В полупроводниках с собственной проводимостью концентрация свободных электронов равняется концентрации «дырок». Для собственного полупроводника концентрации носителей совпадают.
Примесная проводимость: донорные (с.н.з.- электроны), акцепторные (с.н.з. – дырки)
-
Расскажите о методах получения монокристаллических полупроводников.
Их получают искусственным путём различными методами кристаллизации: выращивание из расплава, из раствора, из газовой фазы
-
Объясните, что представляют собой сложные полупроводниковые соединения:
Сложными полупроводниковыми материалами являются химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включающие два, три и более элементов
-
Нитриды-соединения азота с металлом; -
Фосфиды-соединения фосфора с металлом; -
Арсенид-соединения мышьяка с металлом; -
Антимониды-соединения сурьмы с металлом.
Литература
1. Журавлева Л.В. Электроматериаловедение. – М.: ПрофОбрИздат, 2012.
2. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высшая школа, 2015.
3. Москаленко В. В. Справочник электромонтера. - М.: ПрофОбрИздат, 2014.
4. Никулин В.Н. Справочник молодого электрика по электротехническим материалам и изделиям. – М.: Высшая школа, 2016.