Файл: С.Н. Гринфельд Физические основы электроники уч. пособие.doc
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.07.2024
Просмотров: 583
Скачиваний: 1
СОДЕРЖАНИЕ
С.Н. Гринфельд физические основы электроники
1. Электропроводность полупроводников
1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
1.2. Электропроводность собственных полупроводников
1.3. Электропроводность примесных полупроводников
1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
2. Электронно-дырочный переход
2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
3.1. Общие характеристики диодов
4. Полупроводниковые транзисторы
4.1.2. Принцип действия транзистора
4.1.3. Схемы включения транзисторов
4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт
4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт
Схемы включения полевого транзистора
Температурная зависимость параметров птуп
4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
Структуры пт с изолированным затвором
Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)
Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
Максимально допустимые параметры полевых транзисторов
5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
6.3. Обратные связи в усилителях
6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи
6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения
6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения
6.5. Каскады предварительного усиления
6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)
7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля
7.2. Однотактные усилители прямого усиления
7.3. Дифференциальные усилители
7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей
8. Определение и основные характеристики операционных услителей
8.1. Устройство операционных усилителей
8.2. Характеристики операционных усилителей
8.4. Применение операционных усилителей
Неинвертирующий усилитель на оу
И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель
У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель
Усилители переменного напряжения
9. Устройства сравнения аналоговых сигналов
10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов
О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки
Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
Описание лабораторной установки
Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
Описание лабораторной установки
Последовательность расчета усилителя
Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие
Для определения принимают=I…2 В; определяют из условия: = (1,1…1,2). Для транзисторов малой мощности, рекомендуется задавать не менее 1мА, чтобы точка покоя базовой цепи не располагалась на нелинейном участке входной ВАХ. Если расчетное значение не удовлетворяет последнему условию, принимают = 1 мА.
Определяется каскада. Падение напряжения на сопротивлениидля обеспечения высокой температурной стабильности режима покоя выбирается из условия= (0,1….0,3). Подставляяв формулу (1), получим выражение для расчета:
,
округлить до большего целого числа.
Выбирается по справочнику транзистор из условий:
;
;
.
Определяется ток .В справочной литературе приводится, как правило, диапазон изменения параметратранзистора. При расчете берется среднее значение. Дляпо входной ВАХ, соответствующей, определяется напряжение. Точка покоя входной цепи транзистора должна располагаться на линейном участке ВАХ, в противном случае нужно увеличить и повторить расчет. При этом параметры выбранного транзистора могут перестать отвечать условиям (п.5), в этом случае необходимо выбрать транзистор другого типа.
Задается ток делителя = (2…5), рассчитываются сопротивления, ипо формулам:
= ;
= ;
.
Напряжения в формулы берутся по абсолютной величине.
Производится расчет каскада по переменному току.
В
Схема
замещения каскада по переменному току
По схеме замещения определяются параметры каскада по переменному току:
= =||;
= ||.
(сопротивление относительно выходных зажимов при отключенном );
= ;
= =.
Для правильно рассчитанного каскада значение должно составлять (0,7...0,85).Коэффициент усилениядолжен быть много больше единицы. Ззначениекаскадов с ОЭ определяется значением параметратранзистора и соотношением междуи значением параметратранзистора, и может составлять (102…103) и выше при использовании транзисторов с большим коэффициентом передачи тока базы.
Определяется необходимое для управления каскадом амплитудное значение входного напряжения:
.
Весь размах должен укладываться на линейном участке входной ВАХ, иначе сигнал будет усилен с большими нелинейными искажениями. Искажения могут возникнуть, если при измененииотдо=–рабочая точка входной цепи транзистора выходит за границу линейного участка входной ВАХ. На входной ВАХ находят точку, соответствующую. Если точка располагается на нелинейном участке входной ВАХ, необходимо увеличить и повторить расчет, начиная с пункта 4.
Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
Целью расчета является определение значение элементов схемы, наличие которых приводит к появлению частотных искажений усиливаемого сигнала в низкочастотной области (НЧ-область).
Такими элементами являются:
а) входной разделительный конденсатор ;.
б) выходной разделительный конденсатор ;
в) конденсатор в цепи эмиттера.
Коэффициент частотных искажений, вносимых усилителем на нижней рабочей частоте () определяется по формуле:
,
где – коэффициент частотных искажений, вносимыхi-м элементом схемы;n– число элементов схемы, вносящих частотные искажения в НЧ-области .
Коэффициент частотных искажений () распределяется равномерно между всеми искомыми элементами схемы, определяется коэффициент частотных искажений (), выделяемый на каждый элемент, по формуле:
= .
Определяются значения элементов схемы:
Емкость входного разделительного конденсатора:
,
где – входное сопротивление каскада на средних частотах;– внутреннее сопротивление источника входного сигнала. Принять=.
Емкость выходного разделительного конденсатора: