Файл: С.Н. Гринфельд Физические основы электроники уч. пособие.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.07.2024

Просмотров: 640

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

С.Н. Гринфельд физические основы электроники

1. Электропроводность полупроводников

1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел

1.2. Электропроводность собственных полупроводников

1.3. Электропроводность примесных полупроводников

1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках

2. Электронно-дырочный переход

2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения

2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении

2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении

2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода

3.1. Общие характеристики диодов

3.2. Виды диодов

4. Полупроводниковые транзисторы

4.1. Биполярные транзисторы

4.1.1. Общая характеристика

4.1.2. Принцип действия транзистора

4.1.3. Схемы включения транзисторов

4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт

4.16. Составной транзистор

4.2. Полевые транзисторы

4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт

Характеристики птуп

Параметры птуп

Эквивалентная схема птуп

Схемы включения полевого транзистора

Температурная зависимость параметров птуп

4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором

Структуры пт с изолированным затвором

Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом

Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)

Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом

Максимально допустимые параметры полевых транзисторов

5. Тиристоры

5.1. Классификация тиристоров

5.2. Диодные тиристоры (динисторы)

5.3. Триодные тиристоры

5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)

5.5. Зависимость работы тиристора от температуры

6. Усилители

6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей

6.2. Искажения в усилителях

6.3. Обратные связи в усилителях

6.3.1. Виды обратных связей

6.3.2. Влияние последовательной отрицательной ос по напряжению на входное и выходное сопротивления усилителя

6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи

6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения

6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения

6.4. Усилители низкой частоты

6.5. Каскады предварительного усиления

6.5.1. Каскад с оэ

6 Рис. 6.21. График разрешенной области надежной работы транзистора.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с оэ

6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току

6.5.4. Каскад с ок

6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе

6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)

7. Усилители постоянного тока

7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля

7.2. Однотактные усилители прямого усиления

7.3. Дифференциальные усилители

7.3.1. Схема дифференциального каскада и ее работа при подаче дифференциального и синфазного входных сигналов

7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя

7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала

7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей

8. Определение и основные характеристики операционных услителей

8.1. Устройство операционных усилителей

8.2. Характеристики операционных усилителей

Усилительные характеристики

Дрейфовые характеристики

Входные характеристики

Выходные характеристики

Энергетические характеристики

Частотные характеристики

Скоростные характеристики

8.3. Классификация оу

8.4. Применение операционных усилителей

Неинвертирующий усилитель на оу

Повторитель напряжения

И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель

Инвертирующий сумматор

У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель

Внешняя компенсация сдвига

Дифференциальный усилитель

Неинвертирующий сумматор

Интегратор

Дифференциатор

Логарифмический усилитель

Усилители переменного напряжения

9. Устройства сравнения аналоговых сигналов

9.1. Компараторы

9.2. Мультивибратор

10. Микроэлектроника

10.1. Основные определения

10.2. Типы Интегральных схем

10.2.1. Классификация ис

10.2.2. Полупроводниковые ис

10.2.3. Гибридные ис

10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов

ЛабораторНые рабоТы Лабораторная работа 1 исследование статистических характеристик биполярного транзистора

О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки

Порядок выполнения работ

Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером

Описание лабораторной установки

Порядок выполнения работы

Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока

Описание лабораторной установки

Порядок выполнения работы

Контрольная работа

Задание

Последовательность расчета усилителя

Последовательность Расчета усилителя в области низких частот

Экзаменационные вопросы

Литература

Содержание

Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие

681013, Комсомольск-на-Амуре, пр. Ленина, 27.

Выполнить второе основное требование позволяет введение в ДУ резистора Rэ. Если на вход ДУ поступает сигнал синфазной помехи, например, положительной полярности, то транзисторы Т1и Т2приотк­роются, и токи их эмиттеров возрастут. В результате, по резисторуRэбудет протекать суммарное приращение этих токов, об­разующее на нем сигнал ООС. Нетрудно показать, чтоRэобразует в ДУ последовательную ООС по току. При этом будет наблюдаться уменьшение коэффициента усиления по на­пряжению для синфазного сигнала каскадов ОЭ (Kисф1и Кисф2), образующих общие плечи ДУ. Поскольку коэффициент усиления ДУ для синфазного сигнала равен:

Кисф= Кисф1– Кисф2,

за счет выполнения первого основного требования

Кисф1 ≈ Кисф2

удается получить весьма малое значение Кисф, т.е. значительно подавить синфазную помеху.

Так как в монолитном ДУ с достаточным приближением можно выполнить оба основных требования, удается не только подавить синфазную внешнюю помеху, но и снизить влияние внутренних факторов, проявляющихся через изменения парамет­ров элементов схемы. Конечно, параметры составляющих каска­дов будут изменяться, но по весьма близким зависимостям, влияние которых будет дополнительно ослабляться наличием ООС.

Теперь рассмотрим работу ДУ для основного рабочего входно­го сигнала – дифференциального. Дифференциальными (противо­фазными) принято называть сигналы, имеющие равные амплиту­ды, но противоположные фазы. Будем считать, что входное напряжение подано между входами ДУ, т.е. на каждый вход поступает половина амплитудного значения входного сигнала, причем в противоположных фазах. Если Uвх1 в рассматриваемый момент представляется положительной полуволной, то Uвх2 – отрицательной.

За счет действия Uвх1(см. рис. 7.4) транзистор Т1приоткрывается, и ток его эмиттера получает положительное приращение ∆Iэ1, а за счет действияUвх2транзистор Т2призакрывается, и ток его эмиттера получает отрицательное приращение (-∆Iэ2) В ре­зультате, приращение тока в цепи резистораRэравно:

∆IRэ = ∆Iэ1 ∆Iэ1.

Если общие плечи ДУ идеально симметричны, то ∆IRэ= 0 и, следовательно, ООС для дифференциального сигнала отсутствует. Это обстоятельство позволяет получать от каждого каскада ОЭ в рассматриваемом усилителе, а следовательно, и от всего ДУ большое усиление. Отсюда происходит и название усилителя – дифференциальный. Так как для дифференциального входного сигнала в любой момент напряжения на коллекторах транзисто­ров Т1и Т2будут находиться в противофазе, то на нагрузке происходит выделение удвоенного выходного сигнала. Итак, резисторRэобразует ООС только для синфазного сигнала.


Поскольку в реальных ДУ идеальную симметрию плеч осущест­вить нельзя, то Rэвсе же будет и для дифференциального сигнала создавать ООС, но незначительной глубины, причем чем лучше симметрия плеч, тем меньше ООС. Небольшую последовательную ООС по току задают в каскадах ДУ с по­мощью резисторовR01иR02. Как отмечалось ранее, эти резисторы имеют небольшие номиналы, поэтому создаваемая ими ООС невелика и существенно не влияет на усилительные свойства ДУ.

Таким образом, при выполнении в ДУ двух основных требова­ний он обеспечивает стабильную работу с малым дрейфом нуля, с хорошим усилением дифференциального сигнала и со значитель­ным подавлением синфазной помехи. В зависимости от того, как подключены в ДУ источник входного сигнала и сопротивление нагрузки, следует различать схемы его включения.


7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя

Можно выделить четыре схемы включения ДУ:

  1. симметричный вход и выход;

  2. симметричный вход и несимметричный выход;

  3. несимметричный вход и симметричный выход;

  4. несимметричный вход и выход.

Рассмотрим их последовательно при воздействии рабочего входного сигнала.

1.При симметричном входе источник входного сигнала (см. рис. 7.4) подключа­ется между входами ДУ (между базами транзисторов Т1и Т2). При симметричном выходе сопротивление нагрузки подключается между выходами ДУ (между коллекторами транзисторов Т1и Т2). Такое включение ДУ и было рассмотрено в разделе 7.2. Теперь остановимся на определении параметров сим­метричного включения ДУ.

Проанализируем работу одного плеча, т.е. одного каскада ОЭ, входящего в ДУ. Для этого представим плечо ДУ в виде, изображенном на рис. 7.5. Здесь отсутствует резистор Rэ, поскольку, он не участвует в работе на дифференциальном сигнале. Для входного сопротивления плеча ДУ (Rвх пл), можно записать:

Rвх.пл=rб+rэ(β + 1) +R0(β + 1) =h11э+ βR0. (7.1)

Здесь опущены индексы для номеров резисторов, так как плечи ДУ практически симметричны. Слагаемое βR0 вносится за счет последовательной ООС. ПриR0 = 0 уравнение (7.1) для нашего случая можно упростить до следующего вида:

Rвх.пл = βrэ(7.2)

М

Рис. 7.5. Схема одного плеча ДУ

еньшую погрешность при расчетеRвх.плформула (7.2) обеспечи­вает для ДУ, работающего на малых токах. Поскольку при симметричном входе источник входного сигнала включается между входами ДУ, то общее входное сопротивление ДУ будет равно 2Rвх.пл.

Ku пл= (Uвх.пл / 2)(2 /Eг) = (Uвх.пл/Eг) = Кu диф

т.е. коэффициент усиления по напряжению всего ДУ равен Ku пл. В нашем случае дляKu плможно переписать в несколько измененном виде:

. (7.3)

Здесь учтено, что к выходу одного плеча подключается только половина RH. Действительно, средняя точка резистораRHдля рассматриваемого режима ДУ всегда будет иметь нулевой потенциал (потенциал общей шины).


Если Rк< (Rн / 2),Rвх.пл >Rги β велико, то формулу (7.3) можно переписать в следующем приближенном виде:

Кu диф=Rк /rэ. (7.4)

Учитывая изложенное ранее, коэффициент усиления ДУ по току можно представить в виде выражения (7.4), заменив RкнаRн/2. Нетрудно показать, что значение выходного сопротивления ДУ для рассматриваемой схемы его включения равно удвоенному значению выходного сопротивления плеча (Rвых пл), которое для каскада ОЭ можно считать равнымRк.

2.Теперь остановимся на схеме включения ДУ с симметричным входом и несимметричным выходом. В этом случае источник входного сигнала подключается между входами ДУ; сопротивле­ние нагрузки подключается одним концом к коллектору одного из транзисторов, а другим — к общей шине. При этом в кол­лекторной цепи второго транзистора может отсутствовать ре­зисторRк. Поскольку способ подачи входного сигнала здесь совпадает с ранее рассмотренным случаем (см. пункт 1), то входное сопротив­ление также можно определить с помощью формулы (7.1) или (7.2). Однако выходной сигнал снимается лишь с одного выхода ДУ, следовательно, выходное сопротивление ДУ равно:Rвыхпл=Rк. По той же причине Кu дифоказывается в 2 раза меньше, чем при симметричном выходе.

3. Интересна схема включения ДУ с несимметричным входом и симметричным выходом. Для удобства восприятия специфики этого включения ДУ (рис. 7.6) приведена его принципиальная схема. ЗдесьRо = 0, а входной сигнал подается на базу транзисто­ра Т1. Плечо, образованное транзистором Т1, является каскадом ОЭ с ООС, образуемой резисторомRэ. Коэффициент усиления Кu плдля него может быть рассчитан по формуле (7.3), а коэффициентRвыхпл- формуле (7.1), гдеR0 следует заменить наRэ. У этого плеча ДУ есть и выход с эмиттера, где коэффициент усиления по напряжению для эмиттерного выхода Кu к < Кu пл.

С эмиттерного выхода плеча ДУ будет сниматься неинвертирован­ный сигнал с Кu к , который можно представить в следующем виде:

, (7.5)

где Rвхб- входное сопротивление каскада ОБ, который является плечом ДУ, образованным транзистором Т2. Для эмиттерного выхода первого плечаRвхбявляется сопротивлением нагрузки. Формула (7.5) справедлива приRэ >Rвхб. Для каскада ОБ, образованного транзистором Т2, коэффициент усиления по напряжению равен:


. (7.6)

Ф

Рис. 7.6. Схема ДУ с несимметричным входом

ормула (7.6) записана для условияRвхб >Rвыхк, гдеRвыхквыходное сопротивление по цепи эмиттера каскада на транзисторе Т1. При получении значения Кu плдля выхода с коллектора Т2следует перемножить выражения (7.5) и (7.6). После проведения преобразова­ний нетрудно записать и для этого плеча ДУ формулу (3). Таким образом, несмотря на то, что входной сигнал подается лишь на один вход ДУ, его усиливают оба плеча, причем плечо, на базу транзистора которого подан входной сигнал, инвертирует, а другое плечо не инвертирует сигнал. В данном случае:Ku диф = 2Ku пл.

4.При несимметричном входе и выходе работа ДУ происходит аналогично работе предыдущей схемы включения ДУ (пункт 3). Если входной сигнал подан на вход того же плеча, с выхода которого снимается выходной сигнал ДУ, то в этом случае работает на усиление сигнала лишь одно плечо. Здесь на выходе будет инвертированный сигнал с коэффициентом усиления Кu пл.Если входной сигнал подан на вход одного плеча ДУ, а выходной сигнал снимается с выхода другого плеча, то на выходе появится неинвертированный сигнал с тем же коэффициентом усиления Кu пл, что и в первом случае. Если снимать выходной сигнал всегда с одного заданного выхода ДУ, то входам усилителя можно присвоить названия «инвертирующий» и «неинвертирующий».

Все изложенное показывает, что усилительные параметры ДУ для рабочего сигнала зависят от схемы его включения, которая выбирается в зависимости от конкретных технических требований.