Файл: Методические указания по выполнению курсовой работы по дисциплине Электроника и цифровая схемотехника.doc

С₂примем равнымU_C2=1,5E_K .Из табл. 1 приложения 3 выбираем конденсаторС₂. 11. Находим амплитудные значения тока и напряжения на входе каскада:I_{m вх.} = U_{m вх}= I_{m вх} · r_вх._.Необходимая мощность входного сигнала - Р_вх = 12. Находим расчетные коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности:К₁=h_21Эmin ·К_U=h_21Эmin ·К_P=K₁ ·K_U; [К_P]_дБ=10·1g К_P .Каскад рассчитан правильно, если значения коэффициента усиления по мощности равны приблизительно 20 дБ, как и было, принято раньше.Так как, диапазон возможных значений коэффициента усиления по току у транзистора очень широкий: для КТ315Гон составляет h_21Э = 50...350, то каскад имеет запас по усилению.
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Пример электрической принципиальной схема УНЧ

---

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Таблица 1

Основные параметры некоторых транзисторов

Тип транзистора	Струк-тура	Рк макс, мВт	h21Э (β)	ƒгр, МГц	Граничный режим		Класс по мощности
					Uк макс В	Iк макс мА
КТ3102А КТ315Г	n-p-n n-p-n	250 150	100-200 50-350	250 250	50 35	100 100	Малой мощности
КТ502В КТ503В	p-n-p n-p-n	500 500	40-120 40-120	25 25	40 40	300 300	Средней мощности
КТ814Б КТ816Б КТ815Б КТ817Б	p-n-p p-n-p n-p-n n-p-n	1000 (10000) 1000 (25000) 1000 (10000) 1000 (25000)	>40 >25 >40 >20	3 3 3 3	40 45 40 40	1500 3000 1500 3000	Большой мощности

*) В скобках приведена мощность с дополнительным теплоотводомТаблица 2 Ряды номинальных значений

Индекс ряда	Позиции ряда	Допустимые отклонения от номинальной величины, %
Е 6	1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8	20
Е 12	1,0; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2	10
Е 24	1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1	5

Таблица 3 Постоянные резисторы

---

Тип резистора	Диапазон сопротивлений	Номинальная мощность, Вт
МЛТ	1 Ом – 3,01 МОм 1 Ом – 5,1 МОм 1 Ом – 10 МОм	0,125 0,25;0,5 1;2
С2-32	1 Ом – 3 МОм 1 Ом – 5,1 МОм 0,1 Ом – 5,1МОм 1 Ом – 10 МОм 1 Ом – 22МОм	0,125 0,25 0,5 1 2

---

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

Таблица 1

Конденсаторы постоянной емкости

Номинальное напряжение, В	Номинальная емкость, мкФ
	К 50-7	К 50-35	К 50-18	К 10-17	К 73-17
6,3		20;30;50; 100;200;500	220000
10		10;20;30;50; 100;200;500; 1000;2000;5000	100000
16		5;10;20;30;50; 100;200;300; 1000;2000;5000	22000 68000 100000
25		2;5;10;20;30;50; 100;200;500; 1000;2000;5000	15000 33000 100000
50		2;5;10;20;30; 50;100;200; 500;1000;2000	4700 1000 15000 22000	0,001 0,01 0,022 0,056
63					0,22;0,33; 0,47;0,68; 1;1,5;2,2; 3,3;.4,7
100		0.5;1;2.5;10; 20;30;50	2200 4700 10000
160	2;50; 100; 200;500	1.2;5;10;20			1,5;2,2
250	10;20; 50; 100;200		1000 4700		0,047; 0,068;0,1; 0,15;0,22; 0,33;0,47; 0,68;1
300	5;10; 20;50; 100;200
350	10;20; 50;100

Пример полного наименования оксидного конденсатора К50-35-25В-2000мкФ 30%. Пример полного наименования углеродистого резистора: С2-32-0,125-27кОм

---

5%.

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Типовые характеристики некоторых биполярных транзисторовКТ816,817ПРИЛОЖЕНИЕ 5Таблица 1Пример оформления перечня элементов

Позиционное обозначение

Наименование

Кол.

Примечание

Конденсаторы

С1

К 50-35- 25В-30мкФ 10%

1

С2

К10-17-Н90-1,5мкФ 10%

1

С3,С4

К10-17-Н90-0,15мкФ 10%

2

С5

К10-17-Н90-1мкФ 10%

1

и так далее

Резисторы

R1

МЛТ-0.5-43кОм 5%

1

R2

C2-32-0.125-75кОм 5%

1

R3,R4,

C2-32-0.125-130Ом 5%

2

и так далее

Диоды

2

VD1

Д9В

1

и так далее

Транзисторы

VT1,VT2

КТ315А

2

и так далее

Изм

Лист

№ докум.

Подпись.

Дата

Разраб.

Иванов И.И.

Подпись

Бестрансформаторный

Литер

Лист

Листов

Провер.

Сватов В.Ф.

Подпись

усилитель низкой

частоты

ТГНГУ,каф.АВТ

Н.контр.

Перечень элементов

Гр.АТП

Утвер.

---