Файл: ЛАБОРАТОРНЫЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА.docx

Наименование прибора	Предел измерения	Цена деления
PV1 В	0,5
РА1 мА	1
PV2 В	50
РА2 мкА	10

3.3. После проверки схемы преподавателем, включить стенд в следующей последовательности: 3.4.Установить полярность источников Е1 0…3 в и Е2 0…15 В и вольтметров PV1, PV2 ; мА 1, мА2 в соответствии с обозначением на схеме.

.3.5. Снять входные характеристики транзистора для чего:

3.5.1. Установить напряжение источника Е2 0…15Впо вольтметруPV2 Uкэ=0В.

3.5.2. Изменяя значения Uбэ на источникеЕ1 0…3 В по PV1 согласно табл.2 и записывать значенияIб по миллиамперметруРА1.

3.5.3. Аналогично измерение Iбпроизвести приUкэ=10В.

3.6. Снять выходные характеристики транзистора для чего:

3.6.1.Установить на источнике Е1 0…3 В по миллиамперметруРА1 Iб= 0,1мА.

3.6.2. Изменяя значения Uкэ на источникеЕ1 0…15 В по PV2 согласно табл.2 и записывать значенияIк по миллиамперметруРА2. Величину тока базыIб= 0,1мАподдерживать неизменной.

3.6.3. . Аналогично измерение Iкпроизвести при Iб= 0,2мА

Величину тока базы Iб= 0,2мА поддерживать неизменной.

4 .Таблица 2. Измерений и расчетов.

№ п/п	Замеры и расчеты
Входные характеристики
1	Uбэ В			0	0,02	0,04	0,08	0,12	0,16
2	Uкэ=0В		Iб мА
3
Выходные характеристики
1	Uкэ В			0	2	4	6	10	14
2	Iб=0,1мА	Iк мА
3	Iб=0,2мА	Iк мА

5. Расчетные формулы:

h ₁₁=∆Uбэ/ ∆Iб Ом при Uкэ= const ; h ₁₂= ∆Uбэ/ ∆Uкэ при Iб=const ;

h₂₁=∆ Iк/ ∆Iб при Uкэ= const; h ₂₂=∆ Iк / ∆Uкэ при Iб=const

6. По данным замеров и расчетов построить графики зависимостей :

Iб = f (Uбэ); Iк = f (Uкэ)

7. Отчет должен содержать:

7.1. Наименование работы

7.2. Цель работы

7.3. Графики

7.4. Ответы на контрольные вопросы

К каждому отчету должна прилагаться ксерокопия описания лабораторной работы.

8 .Контрольные вопросы:

.8.1.Поясните структуру биполярных транзисторов, наименование и назначение электродов.

8.2. Типы биполярных транзисторов по структурному построению , наименование переходов, их условное графическое обозначение.

8.3. Приведите схемы включения транзисторов с ОБ, ОЭ, ОК. Приведите формулы и величины коэффициентов усиления по току и напряжению и применение этих схем включения.

9. Литература

1. «Электротехника и электроника» под редакцией Б.И. Петленко Москва «Академия» 2007 год.

2. М.В. Немцов, М. Л. Немцова «Электротехника и электроника» Москва «Академия» 2007 год.

3. Ф.Е. Евдокимов. Общая электротехника. Учебник. М.: Высшая школа, 1990г.

5. Л. А. Частоедов. Электротехника. Учебник. М.: Высшаяшкола, 1989 г.

6.Е.О. Федосеева « Основы электроники и микроэлектроники» М., Высшая школа, 1990г

Преподаватель Губская Н. А.

Лаборатория электронной техники

Лабораторная работа № 4

Полевой транзистор

1 Цель работы.

Изучить свойства полевого транзистора .Снять и исследовать стоковые и стоко-затворную характеристики. Рассчитать основные параметры.

2. Оборудование лабораторного стенда сли -1

В соответствии с приведенной принципиальной электрической схемой

3. Порядок выполнения работы.

3.1 Собрать принципиальную электрическую схему.

Принципиальная электрическая схема измерений

3.2.Рассчитать цену деления измерительных приборов и записать в Табл.1

Табл.1

Наименование прибора	Предел измерения	Цена деления
PV1 В	5
РА1 мА	10
PV2 В	50

3.3. После проверки схемы преподавателем, включить стенд в следующей последовательности: 3.4.Установить полярность источников Е1 0…3 в и Е2 0…15 В и вольтметров PV1, PV2 ; мА 1 в соответствии с обозначением на схеме.

3.5. Снять стоковые характеристики транзистора для чего:

3.5.1. Установить напряжение источника Е2 0…3Впо вольтметруPV1 Uзи=0В.

3.5.2. Изменяя значения Uси на источникеЕ1 0…15 В по PV2 согласно табл.2 и записывать значенияIс по миллиамперметруРА1.

3.5.3. Аналогично измерение Iспроизвести приUзи=1В.

3.6. Снять стоко-затворную характеристику транзистора для чего:

3.6.1.Установить на источнике Е1 0…15 В по PV2 Uси=5В

3.6.2. Изменяя значения Uзи на источникеЕ1 0…3 В по PV1 Uзисогласно табл.2 и записывать значенияIс по миллиамперметруРА1

3.6.3. . Аналогично измерение Iкпроизвести при Iб= 0,3мА