ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 17.01.2025

Просмотров: 3035

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

Министерство образования российской федерации государственное образовательное учреждение высшего профессиональ­ного образования таганрогский государственный радио­технический университе

Введение

1. Общие сведения о строении и классификации материалов

2. Диэлектрики

2.1. Характеристики диэлектриков в постоянных электрических полях

2.2. Уравнение Клаузиуса-Моссоти

2.3. Диэлектрическая проницаемость сложных диэлектриков

2.4. Деполяризующий фактор

2.5. Токи абсорбции

3. Электропроводность диэлектриков

3.1. Виды электропроводности диэлектриков

3.2. Электропроводность газов

3.3. Электропроводность жидкостей

3.4. Электропроводность твердых диэлектриков

3.5. Поверхностная электропроводность диэлектриков

4. Свойства диэлектриков в переменных полях

4.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость,

Тангенс угла потерь

4.2. Виды поляризации диэлектриков

Ионная поляризация

Электронно-релаксационная поляризация

Ионно-релаксационная поляризация

Дипольно-релаксационная поляризация

Структурная поляризация

Резонансные виды поляризации

5. Диэлектрические потери и пробой диэлектриков

5.1. Виды диэлектрических потерь

5.2. Пробои диэлектриков

6. Органические диэлектрики

6.1. Основы строения и классификация органических диэлектриков

6.2. Неполярные высокочастотные полимеры

7. Полярные низкочастотные полимеры

8. Полярные низкочастотные полимеры

8.1. Термореактивные смолы

8.2. Низкочастотные термореактивные композиционные пластмассы

8.3. Пенопласты и поропласты

8.4. Волокнистые электроизоляционные материалы

9. Каучуковые материалы

10. Кремнийорганические полимеры и диэлектрики на их основе

11. Электроизоляционные лаки, эмали, клеи, компаунды

12. Неорганические диэлектрики

12.1. Слюда и материалы на её основе

12.2. Неорганические стёкла

13. Радиотехническая керамика

Литература

ТК ε =

ТКε может быть как положительным так и отрицательным и определяется по графикам зависимости ε от температуры t методом графического дифференцирования.


2.2. Уравнение Клаузиуса-Моссоти

В зависимости от строения все диэлектрики делятся на нейтральные и полярные. Диэлектрики, в молекулах которых центры положительных и отрицательных зарядов совпадают, называются нейтральными, если они не совпадают – полярными.

Например, у полиэтилена структурная формула имеет вид

n

Здесь n – индекс полимеризации, показывающий сколько молекул мономера входит в молекулу полимера. Формула симметрична, поэтому электрический момент m=0. У полихлорвинила структурная формула имеет вид:

m=ql

Здесь электрический момент m≠0. Между диэлектрической проницаемостью и поляризуемостью элементарных частиц вещества существует определенное соотношение, называемое уравнением Клаузиуса-Моссоти. Для неполярных газов и жидкостей

где n – число молекул в единице объема αЭ - электрическая поляризуемость одной молекулы. Для полярных газов и с определенным приближением для полярных жидкостей

где αД - дипольная поляризуемость одной молекулы. Уравнение Клаузиуса-Моссоти используется для аналитического определения зависимости ε то температуры. Для твердых диэлектриков из-за близкого расположения молекул уравнение Клаузиуса-Моссоти не справедливо.

2.3. Диэлектрическая проницаемость сложных диэлектриков

Диэлектрическая проницаемость слоистого диэлектрика или смеси разных диэлектриков определяется по формуле Лихтенекера

εХ= Q1*ε1Х+Q2*ε2Х

где ε , ε1 и ε2 - общая диэлектрическая проницаемость и проницаемость компонентов,

Q1 и Q2 – объемные концентрации компонентов (Q1+Q2=1)

X – константа, характеризующая распределение компонентов в пространстве, Х = -1 ÷ +1

При параллельном включении компонентов (рис. 2) Х = 1 и


ε = Q1 ε1 + Q2 ε2

При последовательном включении компонент (рис. 3) Х = -1

Когда компоненты распределены хаотически,

ε=

Формула Лихтенекера справедлива, когда ε1 и ε2 не сильно различаются. При большом различии ε1 и ε2 используются другие формулы.

2.4. Деполяризующий фактор

При помещении диэлектрика в электрическое поле с электрической индукцией D он поляризуется. При этом заряды элементарных диполей во внутренних слоях диэлектрика взаимно компенсируют друг друга, а заряды на внешних поверхностях не скомпенсированы. Они создают электрическую индукцию полюсов Dd (деполяризующее поле), тогда индукция внутри диэлектрика

Dвн= D-Dd

Направление Dd противоположно направлению D.

Величина индукции поверхностных зарядов Dd зависит от формы образца и от внешнего поля D. Влияние формы и направления внешнего поля на внутреннее поле в диэлектрике оценивается с помощью деполяризующего фактора

γ = γXi + γYj+γZk

Деполяризующее поле Dd = − γ P

Знак “ – “ связан с тем, что заряды на поверхности диэлектрика вызывают приток на обкладки зарядов противоположного знака.

Если поле перпендикулярно поверхности плоского конденсатора,

γX = γY = 0, а γZ =1 . Тогда DBH = D + P и, как показано ранее,

ε = 1+

При полушарообразной форме электродов конденсатора

ε = 1+zш

а при полуцилиндрической форме электродов

ε = 1+zц

где zш=1/3, zц=1/2

Таким образом, только у плоского конденсатора емкость за счет диэлектрика изменилась в ε раз. При других формах обкладок емкость увеличивается в меньшее количество раз.



2.5. Токи абсорбции

Процесс поляризации диэлектриков проходит в течение некоторого вре-

мени. Различают мгновенные и замедленные виды поляризации. К мгновенным видам поляризации относят те, время установления которых менее 10-12 с. Время установления замедленных видов поляризации может достигать нескольких минут. За время установления данного вида поляризации принимают время, в течение которого ток, связанные с этим видом поляризации, уменьшается в е раз. Токи в диэлектрике, связанные с его поляризацией, называются токами смещения IСМ. Токи в диэлектрике, связанные с наличием в нем небольшого числа свободных носителей зарядов, называются токами сквозной проводимости IСКВ. Полный ток через диэлектрик

I = Iскм + Iсм

При заряде конденсатора от источника постоянного напряжения U

(рис.4) за время менее 10-12с произойдет мгновенная поляризация диэлектрика, потечет ток IСМ МГН , емкость установится СМГН . Замедленные виды поляризации приведут к медленному увеличению емкости, течет ток замедленных видов поляризации IМЕД . Медленное изменение емкости и заряда конденсатора называется явлением абсорбции. Ток IМЕД называют током абсорбции. У некоторых диэлектриков IАБС спадает до нуля за 30-60 мин. Токи абсорбции велики у диэлектриков сложной структуры, полярных (бумага, диэлектрики электролитических конденсаторов). Учет явления абсорбции важен при измерении сопротивления изоляции диэлектриков RИЗ . Отсчет RИЗ следует проводить через определенное время, когда IМЕД=0.

Если конденсатор зарядить до напряжения UЗ (рис. 5) за время t1, затем замкнуть его накоротко на время t2-t1, затем оставить на некоторое время t3-t2 разомкнутым, то при наличии в диэлектрике явления абсорбции на обкладках появится напряжение UОСТ (остаточное). Коэффициентом абсорбции называется отношение UОСТ к UЗ, т.е.

KАБС =

Величина коэффициента абсорбции может достигать 10% (у электролитических конденсаторов).