Файл: Техническое задание на курсовую работу по дисциплине Элементная база телекоммуникационных систем на тему Стабилизатор напряжения студента группы.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 26.10.2023
Просмотров: 152
Скачиваний: 6
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
СОДЕРЖАНИЕ
1. Структурная схема стабилизатора
2. Общие вопросы проектирования
3. Определение исходных данных
6. СТАБИЛИЗАЦИЯ ТОКА СТАБИЛИТРОНОВ
Рис. 8. Зависимость сопротивления стабилитрона от тока стабилизации
7. Расчет параметров стабилизатора
8. Защита стабилизатора по току
9. Защита нагрузки от перенапряжения
напряжению на нагрузке. Светодиод VD6 (СИД) светится. Сопротивление R4. Вычисляется мощность рассеяния на резисторе, выбирается его тип.
Индикация состояния перегрузки стабилизатора осуществляется с помощью СИД VD8. В исходном состоянии диод не светится, т.к. напряжение ограничено стабилитроном VD7. Напряжение включения стабилитрона выбирается на 10% больше максимального напряжения UКЭ транзистора VT1. Получим 26 В Расчет сопротивления R5 выберем резистор с сопротивлением 1,2В/5мА=240 Ом.
СИД выбирается с красным свечением.
Ток этой цепи удерживает тиристор в открытом состоянии.
Плавкий предохранитель FU выбирается на такой ток, чтобы он сработал при допустимом токе тиристора равным 100 мА.
Для устранения низкочастотных и высокочастотных помех на выходе стабилизатора параллельно нагрузке включаются емкости С1 = 0,1 мкФ и С2 = 10 ÷ 20 мкФ.
В процессе выполнения курсовой работы успешно были достигнуты поставленные цели, рассмотренные основные понятия, касающиеся устройств в системах связи.
Также были рассчитаны устройства, применяемые в системах связи. Были расширены умения по использованию справочными данными, а также закреплены знания, полученные при изучении теоретической части дисциплины, в частности, применения полупроводниковых диодов и транзисторов, рассчитывать параметры этих устройств, и элементов, входящих в их состав.
Поскольку все поставленные цели успешно достигнуты, а необходимые для работы навыки успешно усвоены,
необходимые расчеты выполнены, можно считать курсовую работу выполненной.
- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс" 2007.
Индикация состояния перегрузки стабилизатора осуществляется с помощью СИД VD8. В исходном состоянии диод не светится, т.к. напряжение ограничено стабилитроном VD7. Напряжение включения стабилитрона выбирается на 10% больше максимального напряжения UКЭ транзистора VT1. Получим 26 В Расчет сопротивления R5 выберем резистор с сопротивлением 1,2В/5мА=240 Ом.
СИД выбирается с красным свечением.
Ток этой цепи удерживает тиристор в открытом состоянии.
Плавкий предохранитель FU выбирается на такой ток, чтобы он сработал при допустимом токе тиристора равным 100 мА.
Для устранения низкочастотных и высокочастотных помех на выходе стабилизатора параллельно нагрузке включаются емкости С1 = 0,1 мкФ и С2 = 10 ÷ 20 мкФ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В процессе выполнения курсовой работы успешно были достигнуты поставленные цели, рассмотренные основные понятия, касающиеся устройств в системах связи.
Также были рассчитаны устройства, применяемые в системах связи. Были расширены умения по использованию справочными данными, а также закреплены знания, полученные при изучении теоретической части дисциплины, в частности, применения полупроводниковых диодов и транзисторов, рассчитывать параметры этих устройств, и элементов, входящих в их состав.
Поскольку все поставленные цели успешно достигнуты, а необходимые для работы навыки успешно усвоены,
необходимые расчеты выполнены, можно считать курсовую работу выполненной.
Литература
-
Тырышкин И.С. Физические основы полупроводниковой электроники. М.: Высшая школа 2000. -
Лачин В. И. Электроника: учеб. пособие / В. И. Лачин, Н. С. Савёлов.
- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс" 2007.
-
Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 2002. 622 с. -
Воробьёв Н. И. Проектирование электронных устройств: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1989. 223 с. -
Шустов М.А. Практическая схемотехника. Источники питания и стабили- заторы. – М. : Издательский дом «Додэка – ХХI», «Альтекс», 2007. -
Матвиенко В.А. Характеристики и параметры полупроводниковых прибо- ров. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2007. -
Молокова Г.Ф. Основные требования к оформлению дипломного проекта: Методические указания. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2005. -
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 640 с.