Файл: Техническое задание на курсовую работу по дисциплине Элементная база телекоммуникационных систем на тему Стабилизатор напряжения студента группы.docx

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 26.10.2023

Просмотров: 476

Скачиваний: 11

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. Структурная схема стабилизатора

2. Общие вопросы проектирования

3. Определение исходных данных

4. Выбор транзистора

5. Выбор стабилитрона

6. СТАБИЛИЗАЦИЯ ТОКА СТАБИЛИТРОНОВ

Рис. 8. Зависимость сопротивления стабилитрона от тока стабилизации

7. Расчет параметров стабилизатора

8. Защита стабилизатора по току

9. Защита нагрузки от перенапряжения

10. Индикация состояния стабилизатора

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Литература

напряжению на нагрузке. Светодиод VD6 (СИД)светится. Сопротивление R4. Вычисляется мощность рассеяния на резисторе, выбирается его тип.Индикация состояния перегрузки стабилизатора осуществляется с помощью СИД VD8. В исходном состоянии диод не светится, т.к. напряжениеограничено стабилитроном VD7. Напряжение включения стабилитрона выбирается на 10% больше максимального напряжения UКЭтранзистора VT1. Получим 26 В Расчет сопротивления R5 выберем резистор с сопротивлением 1,2В/5мА=240 Ом.СИД выбирается с красным свечением.Ток этой цепи удерживает тиристор в открытомсостоянии.Плавкий предохранитель FU выбирается на такой ток, чтобы он сработал при допустимом токе тиристора равным 100мА.Для устранения низкочастотных и высокочастотных помех на выходестабилизатора параллельно нагрузке включаются емкости С1 = 0,1 мкФ и С2 = 10 ÷ 20мкФ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Впроцессевыполнениякурсовойработыуспешнобылидостигнутыпоставленные цели, рассмотренные основные понятия, касающиеся устройств в системах связи.Также были рассчитаны устройства, применяемые в системах связи. Были расширены умения по использованию справочными данными, а также закреплены знания, полученные при изучении теоретической части дисциплины, в частности, примененияполупроводниковыхдиодовитранзисторов,рассчитыватьпараметры этих устройств, и элементов, входящих в ихсостав.Поскольку все поставленные цели успешно достигнуты, а необходимые дляработынавыкиуспешноусвоены,

необходимые расчеты выполнены, можно считать курсовую работу выполненной.


Литература


  1. Тырышкин И.С. Физические основы полупроводниковой электроники. М.: Высшая школа 2000.

  2. Лачин В. И. Электроника: учеб. пособие / В. И. Лачин, Н. С. Савёлов.

- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс" 2007.

  1. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 2002. 622 с.

  2. Воробьёв Н. И. Проектирование электронных устройств: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1989. 223 с.

  3. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Источники питания и стабили- заторы. – М. : Издательский дом «Додэка – ХХI», «Альтекс», 2007.

  4. Матвиенко В.А. Характеристики и параметры полупроводниковых прибо- ров. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2007.

  5. Молокова Г.Ф. Основные требования к оформлению дипломного проекта: Методические указания. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2005.

  6. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 640 с.





Смотрите также файлы