Файл: Условное графическое обозначение биполярного транзистора типа npn выглядит следующим образом.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.10.2023

Просмотров: 19

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Условное графическое обозначение биполярного транзистора типа n-p-n выглядит следующим образом:





Где:

B - база (Base)

C - коллектор (Collector)

E - эмиттер (Emitter)

Чтобы определить область работы транзистора, нам необходимо знать значения напряжений на его электродах. В данном случае, заданы следующие напряжения в рабочей точке:

Uбэ = 0.64 В (напряжение между базой и эмиттером) Uкэ = 17 В (напряжение между коллектором и эмиттером)

Область работы транзистора можно определить, исходя из данных напряжений:

Если Uбэ > 0 и Uкэ > 0, то транзистор работает в активном режиме (Active mode).

Если Uбэ < 0 и Uкэ > 0, то транзистор работает в насыщенном режиме (Saturation mode).

Если Uбэ < 0 и Uкэ < 0, то транзистор работает в отсечке (Cutoff mode).

В данном случае, так как Uбэ > 0 и Uкэ > 0 (0.64 В > 0 и 17 В > 0), транзистор работает в активном режиме.

Для инжекционной модели биполярного транзистора в активном режиме, уравнения токов выглядят следующим образом:

Iбэ = Is * (e^(Uбэ/Ut) - 1) Iкэ = α * Iбэ + Iкэ0

Где:

Iбэ - ток базы-эмиттера

Iкэ - ток коллектора-эмиттера

Is - насыщенный ток диода базы-эмиттера

Uбэ - напряжение база-эмиттер

Ut - термическое напряжение (приближенно равно 26 мВ при комнатной температуре)

α - коэффициент усиления тока коллектора-эмиттера

Iкэ0 - ток коллектора-эмиттера при Uбэ = 0

Эквивалентная схема инжекционной модели в активном режиме:



Где:

β - коэффициент усиления тока базы-эмиттера