Файл: Условное графическое обозначение биполярного транзистора типа npn выглядит следующим образом.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.10.2023
Просмотров: 63
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Условное графическое обозначение биполярного транзистора типа n-p-n выглядит следующим образом:Где:B - база (Base)C - коллектор (Collector)E - эмиттер (Emitter)Чтобы определить область работы транзистора, нам необходимо знать значения напряжений на его электродах. В данном случае, заданы следующие напряжения в рабочей точке:Uбэ = 0.64 В (напряжение между базой и эмиттером) Uкэ = 17 В (напряжение между коллектором и эмиттером)Область работы транзистора можно определить, исходя из данных напряжений:Если Uбэ > 0 и Uкэ > 0, то транзистор работает в активном режиме (Active mode).Если Uбэ < 0 и Uкэ > 0, то транзистор работает в насыщенном режиме (Saturation mode).Если Uбэ < 0 и Uкэ < 0, то транзистор работает в отсечке (Cutoff mode).В данном случае, так как Uбэ > 0 и Uкэ > 0 (0.64 В > 0 и 17 В > 0), транзистор работает в активном режиме.Для инжекционной модели биполярного транзистора в активном режиме, уравнения токов выглядят следующим образом:Iбэ = Is * (e^(Uбэ/Ut) - 1) Iкэ = α * Iбэ + Iкэ0Где:Iбэ - ток базы-эмиттераIкэ - ток коллектора-эмиттераIs - насыщенный ток диода базы-эмиттераUбэ - напряжение база-эмиттерUt - термическое напряжение (приближенно равно 26 мВ при комнатной температуре)α - коэффициент усиления тока коллектора-эмиттераIкэ0 - ток коллектора-эмиттера при Uбэ = 0Эквивалентная схема инжекционной модели в активном режиме:Где:β - коэффициент усиления тока базы-эмиттера