Файл: Условное графическое обозначение биполярного транзистора типа npn выглядит следующим образом.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.10.2023
Просмотров: 19
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Условное графическое обозначение биполярного транзистора типа n-p-n выглядит следующим образом:
Где:
B - база (Base)
C - коллектор (Collector)
E - эмиттер (Emitter)
Чтобы определить область работы транзистора, нам необходимо знать значения напряжений на его электродах. В данном случае, заданы следующие напряжения в рабочей точке:
Uбэ = 0.64 В (напряжение между базой и эмиттером) Uкэ = 17 В (напряжение между коллектором и эмиттером)
Область работы транзистора можно определить, исходя из данных напряжений:
Если Uбэ > 0 и Uкэ > 0, то транзистор работает в активном режиме (Active mode).
Если Uбэ < 0 и Uкэ > 0, то транзистор работает в насыщенном режиме (Saturation mode).
Если Uбэ < 0 и Uкэ < 0, то транзистор работает в отсечке (Cutoff mode).
В данном случае, так как Uбэ > 0 и Uкэ > 0 (0.64 В > 0 и 17 В > 0), транзистор работает в активном режиме.
Для инжекционной модели биполярного транзистора в активном режиме, уравнения токов выглядят следующим образом:
Iбэ = Is * (e^(Uбэ/Ut) - 1) Iкэ = α * Iбэ + Iкэ0
Где:
Iбэ - ток базы-эмиттера
Iкэ - ток коллектора-эмиттера
Is - насыщенный ток диода базы-эмиттера
Uбэ - напряжение база-эмиттер
Ut - термическое напряжение (приближенно равно 26 мВ при комнатной температуре)
α - коэффициент усиления тока коллектора-эмиттера
Iкэ0 - ток коллектора-эмиттера при Uбэ = 0
Эквивалентная схема инжекционной модели в активном режиме:
Где:
β - коэффициент усиления тока базы-эмиттера