Файл: Лабораторная работа 1 По дисциплине Электроника По теме исследование идеализированного рn перехода Выполнили Москва 2022.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.11.2023
Просмотров: 424
Скачиваний: 11
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИОрдена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования«Московский технический университет связи и информатики»Кафедра электроникиЛабораторная работа №1По дисциплине «Электроника»По теме«ИССЛЕДОВАНИЕ ИДЕАЛИЗИРОВАННОГО Р-N ПЕРЕХОДА»Выполнили: Москва 2022Цель работы: Целью настоящей работы является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь р-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:– контактная разность потенциалов;– толщина;– тепловой ток (ток насыщения);– напряжение и тип пробоя;– барьерная ёмкость.Выполнение работы:Рис. 1 – Рисунок р-n переходаТаблица 1Результаты исследований
Вывод: показатели не зависят от изменения содержания эмиттера, они зависят от содержания базы и площади. При уменьшении содержания базы увеличивается напряжение пробоя и ток насыщения, но уменьшается барьерная емкость. При увеличении площади, увеличивается ток насыщения и барьерная емкость.Аналитическаы диаграмма p-проводника
| Характеристики p-n перехода | Исходный вариант | Вариант с увеличенным Uпроб. | Вариант с уменьшенной Сб0 | Вариант с уменьшенным I0 |
| Исходные данные | ||||
| Тип п/п | Ge | Ge | Ge | Ge |
| NA, см–3 |  | | | |
| NД, см–3 | 1017 | 1014 | 1014 | 1018 |
| S, см2 | 10-7 | 10-7 | 5*10-6 | 10-7 |
| Результаты при Т = 300 К | ||||
| k0,В | 6,6965Е-1 | 4.909E-1 | 4.909E-1 | 7.2935E-1 |
| w, мкм | 3,4600Е-2 | 9.3216E-1 | 9.3216E-1 | 1.1916E-2 |
| I0, А | 1,1986Е-15 | 4.4490E-14 | 2.2245E-14 | 1.7402E-16 |
| Uпроб.л., В | 2,7326Е-1 | 4.8593E1 | 4.8593E+1 | 4.8593E-2 |
| Uпроб.т., В | 4,4250Е-2 | 4.4250E1 | 4.4250E+1 | 4.4250E-3 |
| Сб0, Ф | 4,1130Е-13 | 1.5191E-14 | 7.5953E-15 | 6.2318E-13 |
Вывод: показатели не зависят от изменения содержания эмиттера, они зависят от содержания базы и площади. При уменьшении содержания базы увеличивается напряжение пробоя и ток насыщения, но уменьшается барьерная емкость. При увеличении площади, увеличивается ток насыщения и барьерная емкость.Аналитическаы диаграмма p-проводника