Файл: Образование преципитатов рFeSi2 в микрокристаллическом Si.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.11.2023
Просмотров: 34
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
-FeSi2. В таких пленках наблюдалась фотолюминесценция на длине волны X & 1.54 мкм при температуре 100 K. Была обнаружена зависимость интенсивности фотолюминесценции от концентрации железа, что позволило связать наблюдаемую фотолюминесценцию с преципитатами фазы в-FeSi2.
Работа выполнена при финансовой поддержке Программы фундаментальных исследований „Низкоразмерные квантовые структуры“ (грант № 6.15, 4B19).
Авторы выражают благодарность В.М. Лебедеву за измерения резерфордовского обратного рассеяния.
Список литературы
K. Lefki, P. Muret, E. Bustarret, N. Boutarek, R. Madar, J. Chewier, J. Derrien, M. Brunel. Sol. St. Commun., 80, 791 (1991).
A.G. Birdwell, R. Glosser, D.N. Leong, K.P. Homewood. J. Appl. Phys., 89, 965 (2001).
JCPDS Powder Diffraction File. Publ. by Int. Centr for Diffraction Data (Swarthmore, USA, 1989).
Н.А. Дроздов, А.А. Патрин. Письма ЖЭТФ, 23, 800 (1976). [Zh. Eksper. Teor. Fiz., Pisma, 23, 651 (1976)].
Редактор Т.А. Полянская
Formation of в-FeSi2 precipitates in microcrystalline Si films
E.I. Terukov, O.I. Kon’kov, V.Kh. Kudoyarova,
O.B. Gusev, V.Yu. Davydov, G.N. Mosina
Ioffe Physicotechnical Institute,
Russian Academy of Sciences,
194021 St.Petersburg, Russia
Abstract The formation of в-FeSb precipitates in microcrystalline silicon films has been observed for the first time. Amorphous silicon films doped with Fe (a-Si(Fe}) have been prepared by magnetron sputtering. Subsequent short-time annealing (800°C, 30 min) results in the transformation of amorphous silicon doped with Fe into microcrystalline one and the production of в-FeS^ precipitates. It is shown that the synthesized sample is able to emit at X га 1.54 pm at 100 K.
Работа выполнена при финансовой поддержке Программы фундаментальных исследований „Низкоразмерные квантовые структуры“ (грант № 6.15, 4B19).
Авторы выражают благодарность В.М. Лебедеву за измерения резерфордовского обратного рассеяния.
Список литературы
-
M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 58, 2696 (1985). -
D. Leong, M. Harry, K.J. Reeson, K.P. Homewood. Nature, 387, 686 (1997). -
K. Lefki, P. Muret, N. Cherief, R.S. Cinti. J. Appl. Phys., 69, 352 (1991). -
B.O. Kolbesen, H. Cerva. Phys. St. Sol. (b), 222, 303 (2000). -
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, G. Waiser, H. Kuehne. ФТП, 35 (11), 1320 (2001). -
R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, I.B. Khaibullin, E.I. Terukov, V.Kh. Kudoyarova. Nanotechnology, 12, 409 (2001). -
B.L. Sharma. Diffusion in semiconductors.
K. Lefki, P. Muret, E. Bustarret, N. Boutarek, R. Madar, J. Chewier, J. Derrien, M. Brunel. Sol. St. Commun., 80, 791 (1991).
A.G. Birdwell, R. Glosser, D.N. Leong, K.P. Homewood. J. Appl. Phys., 89, 965 (2001).
JCPDS Powder Diffraction File. Publ. by Int. Centr for Diffraction Data (Swarthmore, USA, 1989).
Н.А. Дроздов, А.А. Патрин. Письма ЖЭТФ, 23, 800 (1976). [Zh. Eksper. Teor. Fiz., Pisma, 23, 651 (1976)].
Редактор Т.А. Полянская
Formation of в-FeSi2 precipitates in microcrystalline Si films
E.I. Terukov, O.I. Kon’kov, V.Kh. Kudoyarova,
O.B. Gusev, V.Yu. Davydov, G.N. Mosina
Ioffe Physicotechnical Institute,
Russian Academy of Sciences,
194021 St.Petersburg, Russia
Abstract The formation of в-FeSb precipitates in microcrystalline silicon films has been observed for the first time. Amorphous silicon films doped with Fe (a-Si(Fe}) have been prepared by magnetron sputtering. Subsequent short-time annealing (800°C, 30 min) results in the transformation of amorphous silicon doped with Fe into microcrystalline one and the production of в-FeS^ precipitates. It is shown that the synthesized sample is able to emit at X га 1.54 pm at 100 K.