Файл: 156электроник анаука.pdf

156
ЭЛЕКТРОНИК А
наука | технология | бизнес
Спецвыпуск (00137) 2014
ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА НАНОЭЛЕТРОНИКИ
www.electronics.ru
МЕМРИСТОРЫ –
НОВЫЙ ТИП ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТИВНОЙ
ПАМЯТИ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
А.Гудков
1
gudkov@niifp.ru, А.Гогин
1
, М.Кик
1
, А.Козлов
1
, А.Самусь
2
Одно из важнейших направлений развития современной микро- и наноэлектроники – разработка новых типов полупроводниковой памяти [1]. В последние годы наряду с традиционными типами запоминающих устройств (динамической, статической и флеш-памяти) большое внимание уделяется резистивной памяти, которая сочетает достоинства быстрой оперативной памяти с энергонезависимостью программируемой памяти.
В основе этого типа памяти лежит туннельная структура металл–
изолятор–металл (МИМ). Для ее изготовления, учитывая нанометровые размеры слоев, наиболее подходящими технологиями являются атомно-слоевое осаждение (АСО) и магнетронное формирование гетероструктур в едином вакуумном цикле. Эти технологии дополняют процесс создания высокоэффективных СБИС с нанометровыми размерами и позволяют на конечной стадии изготовления кристалла внести в него запоминающее устройство нового типа – мемристивную память [2–5]. Резистивная память с произвольным доступом
(RRAM) – новое поколение энергонезависимой памяти, основанной на использовании двух устойчивых состояний двухслойного барьера: с высоким и низким сопротивлениями, переключение между которыми осуществляется путем приложения внешнего напряжения (протекания тока через диэлектрик). Память этого типа может выступать и самостоятельно в виде трехмерных запоминающих устройств (ЗУ) сверхбольшого объема. Рассмотрим мемристор подробнее.
С
уществование мемристора было тео- ретически предсказано более 40 лет назад американским исследовате- лем Чуа в 1971 году [6] и подтверж- дено экспериментально только в 2008 году в лаборатории компании Hewlett Packard [7].
Мемристор можно определить как элемент элек-
1
ФГУП "НИИФП им. Ф.В.Лукина"
2
ЗАО "Компэлст", Москва трической цепи, сопротивление которого неко- торым образом зависит от прошедшего через него заряда. После отключения напряжения в цепи мемристор не изменяет свое состояние, т.е. "запоминает" последнее значение сопро- тивления. Отсюда и его название (Memristor – memory resistor, резистор с памятью). Мемристор, разработанный в НР группой Уильямса, пред- ставлял собой тонкий слой полупроводящего материала на основе TiO
х
, размещенный между

Спецвыпуск (00137) 2014
ЭЛЕКТРОНИК А
наука | технология | бизнес
157
ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА НАНОЭЛЕТРОНИКИ
www.electronics.ru двумя металлическими платиновыми контак- тами (рис.1а) [7]. С одной стороны слоя в обла- сти шириной w находится легирующая при- месь (положительные ионы). Свойства такого мемристора можно продемонстрировать на про- стой модели, основанной на механизме дрейфа ионов под действием приложенного напряже- ния. Полное сопротивление рассматриваемого устройства можно представить как сумму сопро- тивлений двух переменных резисторов, соеди- ненных последовательно (рис.1б). Один из рези- сторов (проводящая область – недоокисленный слой Ti) имеет низкое сопротивление R
ON
, дру- гой (диэлектрик – TiO
2
) – намного более высокое сопротивление R
OFF
. Когда к металлическим кон- тактам прикладывается напряжение, заряжен- ные ионы начинают дрейфовать и граница между двумя областями смещается. Если к мемристору приложено переменное синусоидальное напря- жение определенной частоты, его вольтампер- ная характеристика (ВАХ) принимает вид, напо- минающий фигуру Лиссажу с центром в начале координат (рис.1в) [8].
Таким образом, ВАХ мемристора имеет следу- ющие основные особенности:
• при пропускании через мемристор биполяр- ного периодического тока или напряжения ВАХ имеет гистерезисный характер (типа фигуры
Лиссажу независимо от любых начальных усло- вий). Важно отметить, что природа гистере- зиса – внутреннее свойство мемристора, а не измерительной цепи;
• при увеличении частоты периодического сиг- нала амплитуда гистерезиса уменьшается и форма ВАХ вырождается в прямую линию, наклон которой зависит от амплитуды пита- ющего сигнала.
В реальных системах за счет сильных элек- трических полей и эффектов термического разо- грева, присутствующих при наномасштабных размеров прибора, в транспорте ионов прояв- ляются сильные нелинейные эффекты и вид вольтамперной характеристики может изме- няться [9]. Проведенные исследования показали, что мемристивный эффект наблюдается в боль- шом классе материалов на основе окислов: MgO,
TiO
х
, ZrO
x
, HfO
x
, VО
x
, NbO
x
, TaO
x
, CrO
x
, MoO
x
,
WO
x
, MnO
x
, FeO
x
, CoO
x
, NiO
x
, CuO
x
, ZnO
x
, AlO
x
,
GaO
x
, SiO
x
, SiO
x
N
y
, GeO
x
, SnO
х
, BiO
x
, SbO
x
; окис- лов редкоземельных металлов: Y, Ce, Sm, Gd, Eu,
Pr, Er, Dy и Nd; перовскитов: SrTiO
3
, Ba
0,7
Sr
0
,
3
TiO
3
,
SrZrO
3
, BiFeO
3
) и в нитридах, например таких как AlN [9].
Поведение мемристора позволяет использовать его в качестве биполярого ключа, элемента памяти или составной части логического элемента: при подаче напряжения противоположной полярности мемристор замыкает или размыкает проходящую через него цепь, т.е. мемристор переходит из состо- яния "0" в состояние "1" и на оборот. Причем это состояние мемристор "запоминает" и может хра- нить практически неограниченно долго и для этого ему не требуется источник напряжения.
Достигнутое на сегодняшний день время пере- ключения мемристора из одного состояния в дру- гое составляет порядка 120 пс [10].
Простейшая система параметров мемристоров
(при наличии режима формовки, биполярного управления, позитивного переключения) опре- деляется его гистерезисной ВАХ (рис.2). Режим работы мемристора в схемах определяют его рабо- чие (управляющие) напряжения:
U
F
– напряжение "формовки";
U
W
– напряжение установки (записи);
Рис.1. Структура мемристора (а) и эквивалентная схема (б); ВАХ мемристора (в)
–0,4 0,0 0,4
–1,0 0,2 1,0
Ток
Напряжение в)
Pt
Ron
Pt
Pt
Roff
Pt
R
on wID
TiO
2
TiO
2-x
Pt
Pt
–
+
D
W
б)
а)
R
off wID

158
ЭЛЕКТРОНИК А
наука | технология | бизнес
Спецвыпуск (00137) 2014
ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА НАНОЭЛЕТРОНИКИ
www.electronics.ru
U
E
– напряжение восстановления (стирания);
U
R
– напряжение считывания.
Управляющим напряжениям соответствуют протекающие через прибор токи, причем при напряжении считывания U
R
необходимо изме- рять два тока: ток в состоянии с низкой прово- димостью (I
L
) и ток в состоянии с высокой про- водимостью (I
H
). Их отношение (равное отноше- нию проводимостей) определяет гистерезисные свойства прибора (различие состояний). Для пер- спективных мемристоров напряжение формовки желательно исключить, а на начальном этапе развития потребовать, чтобы оно было меньше удвоенного напряжения питания. Напряжение записи/стирания не должно превышать напря- жение питания, а напряжение считывания должно быть порядка половины напряжения питания.
Принято характеризовать гистерезис мемри- сторов отношением сопротивлений R
H
/R
L
, где
R = U
R
/I
R
. Другой (классической) характеристи- кой является гистерезисность, равная отношению площади петли гистерезиса к площади описан- ного вокруг нее прямоугольника. При идеальном гистерезисе гистерезисность стремится к еди- нице (а отношение сопротивлений очень велико).
Общий список требуемых электрических пара- метров мемристоров как элементов RRAM при- веден в таблице. Для применения мемристоров
Параметры мемристоров для RRAM
Параметр
Условное обозначение
Требуемый для RRAM
Размеры (площадь), нм
S
<50 × 50
Напряжение формовки
U
F
–
Напряжение записи, В
U
W
1–5
Напряжение стирания, В
U
E
1–5
Напряжение считывания, В
U
R
0,1–0,5
Добротность (отношение сопротивлений)
R
H
/R
L
>1000
Время запись (чтение), нс t
<5
Число циклов запись/чтение
N
>10 12
Время хранения, лет
T
>10
Рис.2. Упрощенная ВАХ мемристора с указанием определяющих точек
Рис.3. Схематическое изображение матрицы мемри- стивных элементов памяти (а); изображение матрицы мемристоров на основе структуры Pt/TaOx/Ta [11], полученное с помощью атомно-силового микроскопа.
Размер мемристоров 50×50 нм
I
U
I
H
U
E
U
R
U
S
U
F
I
L
"0" или "1"
а)
б)

Спецвыпуск (00137) 2014
ЭЛЕКТРОНИК А
наука | технология | бизнес
159
ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА НАНОЭЛЕТРОНИКИ
www.electronics.ru в качестве элементов памяти используют простую структуру параллельных проводников шириной около 50 нм, которые пересекаются с другим набо- ром нанопроводников. Между ними находится прослойка из материала, обладающего мемри- стивными свойствами (рис.3). Под действием приложенного напряжения прослойка может изменять свою проводимость [8, 11]. Благодаря регулярной структуре из пересекающихся нано- проводников изготовление мемристора доста- точно простое, особенно в сравнении со сложной структурой современных процессоров на основе
КМОП-технологии.
Память на основе мемристоров может заме- нить широко используемую сегодня флеш-память.
В Hewlett Packard рассчитывают довести плот- ность "мемристорной" памяти до 20 Гбайт/см
2
, что будет в два раза больше, чем ожидаемая плот- ность флеш-памяти. А поскольку жесткие диски в компьютерах уже сейчас активно заменяют носители на основе твердотельной флеш-памяти
(SSD), то можно ожидать, что память на мемри- сторах станет единственным типом компьютер- ной памяти (рис.4)[12].
Основные проблемы, затрудняющие сегодня практическое использование мемристоров, заключаются в поиске материалов и разработке технологии изготовления мемристоров наноме- тровых размеров (менее 30–50 нм), которая обес- печивала бы стабильность и воспроизводимость их параметров при требуемом числе циклов перезаписи порядка 10 14
. Существенный про- гресс в этом направлении достигнут исследо- вателями лаборатории НР, которые продемон- стрировали возможность изготовления мем- ристоров на основе перспективных структур
Pt/TaO
2/
Ta
2
O
5-x
/Pt и TiN/Ti
4
O
7
/TiO
2
/TiN на пластине диаметром 300 мм (рис.5) [12]. Отличительная осо- бенность этих структур – отсутствие необходимо- сти предварительной "формовки" для получения эффекта мемристивности, как это требовалось на структурах типа Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt. Главная причина качества таких мемристоров заключается в том, что число фазовых состояний соединений тан- тала и кислорода намного меньше, чем у соеди- нений титана и кислорода. Изменение фазового состояния барьера мемристора Pt/TaO
2/
Ta
2
O
5-x
/Pt под действием импульса напряжения происхо- дит более однозначно и воспроизводимо.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ
В ФГУП "НИИФП им. Ф.В.Лукина" начаты работы по разработке технологических процессов атомно- слоевого осаждения и магнетронного распыле- ния с целью формирования мемристоров для
Рис.4. Потенциал применений мемристоров
Разработка чипа
Замена флеш-памяти
Твердотельные накопители
Замена
ДОЗУ
Время
2013 г.
Универсальная память
Нейронные сети
RAM
Flash
Hard Disk
Optical Disk
Floppy Disk
Memristor
Рис.5. Развитие технологии изготовления мемристо- ров в лаборатории Нewlett Рackard
10 3
10 4
10 5
10 6
10 7
10 8
10 9
10 10 10 11 10 12 10 13 10 14 10 15 2008 2009 2010 2011 2012
Количество циклов запись/чтение
Год
Pt/TiO
2
/Pt
Pt/TaO
x
/Pt
Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt
Pt/Ta
2
O
5
/Ta
Pt/TaO
2
/Ta
2
O
5-x
/Pt и TiN/Ti
4
O
7
/TiO
2
/TiN
Pt/TaO
2
/Ta
2
O
5-x
/Pt
Tребования для RRAM

160
ЭЛЕКТРОНИК А
наука | технология | бизнес
Спецвыпуск (00137) 2014
ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА НАНОЭЛЕТРОНИКИ
www.electronics.ru
СБИС технологического уровня 32 нм. Основной топологический вариант изготовления мемри- сторов – пересечение взаимно перпендикуляр- ных шин нижнего (первого) и верхнего (вто- рого) слоев металла. Именно мемристор с такой структурой (простейший мемристор) обладает главными достоинствами резистивной памяти: минимальной площадью, топологической инва- риантностью, планарностью. Поэтому именно он был выбран как основной вариант эксперимен- тальных образцов.
Для создания технологического маршрута и конструкции элементов мемристора были разработаны следующие технологические процессы:
• нанесение пленок платины нижнего электрода толщиной 10–30 нм;
• травление ионно-лучевым методом пленок пла- тины нижнего электрода;
• нанесение нанослоев TiO
x и TiO
2
;
• нанесение пленок платины верхнего электрода;
• травление ионно-лучевым методом пленок пла- тины верхнего электрода.
Напыление пленок платины проводилось на модернизированной вакуумной установке "Вершина" методом магнетронного распыления.
При отработке задавались следующие режимы: предварительный вакуум – 2,7·10
–3
Па; рабочее давление 4 ·10
–1
Па; отпыл мишени в течение
10 мин. Напыление платины проводилось на подложку в течение 1,8 мин при токе на мишень
0,8 А и напряжении 470 В. Травление пленок пла- тины проводилось с помощью ионного источ- ника в среде аргона на установке микроионного травления ТLА-20K (США) методом физического распыления.
Была поведена разработка технологических процессов получения пленок TiO
x
/TiO
2
мето- дом реактивного магнетронного распыления.
Напыление пленок проводилось на установке
SCR-650 (Alkatel). Титановая мишень распылялась путем магнетронного ВЧ распыления при мощ- ности источника питания 500 Вт в газовой смеси аргон/кислород с разным содержанием кисло- рода и общим давлением 0,3 Па. Смесь получали в рабочей камере путем смешивания двух газо- вых потоков – чистого аргона и аргон-кислород- ной смеси с содержанием кислорода 20% по объ- ему. Газовые потоки регулировались прецизион- ными регуляторами расхода газа.
Для отработки технологии нанесения была проведена серия тестовых процессов и получены зависимости проводимости и скорости напы- ления пленок TiO
x от процентного содержания кислорода в рабочей смеси. В процессе работы была исследована зависимость остаточной про- водимости пленки от времени окисления в уста- новке. В результате было установлено, что дан- ным методом можно окислять пленку TiO
x толщи- ной до 4 нм. При этом толщина оксида достигала
8–10 нм, что достаточно для получения рабочих приборов.
Была также исследована проводимость пленок и получена зависимость проводимости от содер- жания кислорода в смеси. Переход напыляемых пленок из проводящего в диэлектрическое состоя- ние происходит в сравнительно узком диапазоне парциальных давлений (2,5–3,3% O
2
). Установлено, что на проводимость пленок в этом диапазоне сильное влияние оказывает скорость напыле- ния и температура подложки. Чтобы улучшить воспроизводимость проводящих свойств пленки, для дальнейших исследований TiO
x
-пленки фор- мировались при объемном содержании кисло- рода в смеси, равном 2%. Для пленок TiO
2
была выбрана смесь с содержнием кислорода 5,3%.
Рис.6. Экспериментальный образец мемристора (а) на основе структуры Pt (30 нм) – TiO
2
/TiO
x
(30–50 нм) –
Pt (20 нм) (б); типичная ВАХ структуры Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt, измеренная в режиме ограничения тока (в)
0 50 100
–2 0
2
I, мкА
V, В
в)
I
V
a)
б)
Pt1
TiO
2
/TiO
x
Pt2

Спецвыпуск (00137) 2014
ЭЛЕКТРОНИК А
наука | технология | бизнес
161
ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА НАНОЭЛЕТРОНИКИ
www.electronics.ru
ЭКСПЕРИМЕНТ
Для отработки технологических процессов изго- товления элементов мемристоров на начальном этапе была разработана конструкция на основе структуры Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt c размерами элемен- тов от 10×10 мкм до 2×2 мкм, позволяющая изго- тавливать мемристор методами обычной фото- литографии (рис.6а).
Для изучения характера проводимости про- слойки вначале были изготовлены тестовые струк- туры Pt/TiO
2
/Pt и Pt/TiO
x
/Pt. Показано, что для структуры Pt/TiO
2
/Pt вольтамперная характери- стика имеет диодный характер, а для структуры
Pt/TiO
x
/Pt – резистивный. ВАХ эксперименталь- ных образцов полной Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt-структуры имеет хорошо выраженный диодный характер
(рис.6в), причем токи утечки не превышают
1 мкА, что говорит о высоком качестве барьера
TiO
2
/TiO
x
. Несимметричность ВАХ объясняется несимметричностью самого барьера, что является типичным для несимметричных МИМ-структур.
Видно, что ВАХ изначально уже обладает неко- торым гистерезисом при положительной раз- вертке по току.
Далее выполнялась процедура так назы- ваемой формовки, которая необходима для получения у данной структуры выраженного мемристивного эффекта [12]. Для этого выпол- нялась однополярная (положительная) раз- вертка по току. Амплитуда тока постепенно увеличивалась, и каждый раз регистрирова- лись изменения ВАХ мемристора на основе структуры Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt (рис.7а,б). Как видно из рисунка, в диапазоне малых токов раз- вертки (ВАХ №0–№4) изменения вольтампер- ной характеристики носят обратимый характер.
При дальнейшем увеличении тока развертки
Рис.7. Динамика изменения ВАХ экспериментальной структуры Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt в результате процесса “фор- мовки” при увеличении положительного тока развертки: исходная ВАХ от №0 до №4 (а) и от №5 до №8 (б)
Рис.8. Вольтамперная характеристика эксперимен- тального образца мемристора на основе структуры
Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt, полученная в результате процесса
“формовки”
–0,2 0
0,2 0,4 0,6 0,8
I, мА
–2 0
2
V, B
0 1
2 3
4
I, мА
–2 0
2
V, B
–0,2 0
0,2 0,4 0,6 0,8
I, мА
–2 0
2
V, B
0 1
2 3
4
I, мА
–2 0
2
V, B
а)
б)
0 1
2 3
4 5
8, 7, 6
–2
–1 0
1 2
–1,5
–1
–0,5 0
0,5 1
–2
–1 0
1 2
–1,5
–1
–0,5 0
0,5 1
I, м
А
V, B

162
ЭЛЕКТРОНИК А
наука | технология | бизнес
Спецвыпуск (00137) 2014
ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА НАНОЭЛЕТРОНИКИ
www.electronics.ru
(ВАХ №5–№7) ВАХ монотонно и необратимо пере- ходит в почти идеальную безгистерезисную ВАХ диодного типа №8. Далее однополярная развертка выключалась и включалась двухполярная раз- вертка при постепенном увеличении амплитуды тока развертки. Вольтамперная характеристка экс- периментального образца мемристора на основе структуры Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt приобретает типичный гистерезисный вид (рис.8).
Параметры ВАХ мемристора на основе структуры
Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt, показанной на рис.8, примерно соот- ветствуют требованиям, приведенным в таблице.
Напряжение формовки U
F
= 3–4 В (при токах формовки не менее 2,5–3 мА); напряжение записи U
W
= 1–1,5 В; напряжение стирания U
E
= –(1–1,5) В; напряжение считывания U
R
= 0,5–0,7 В. Добротность (отношение сопротивлений) для разных образцов составляло
R
OFF
/R
ON
= 25–30 (7,5 кОм/300 Ом). Следует также обратить внимание на недостаточное значение такого важного параметра, как число циклов перезаписи, полученное для данных образцов мемристоров – N < 10 2
. По-видимому, это связано с несовершенством барьера и с неоптимальным выбором значений толщины нанослоев.
* * *
Полученные предварительные результаты исследований мемристоров на основе струк- туры Pt/TiO
2
/TiO
x
/Pt показали необходимость проведения дальнейших работ как по опти- мизации выбора используемых материалов, например окислов тантала, и применения нитрида TiN вместо дорогостоящей платины, так и совершенствования технологических про- цессов – применение перспективных методов атомно-слоевого осаждения (АСО). Для этого разработана конструкция эксперименталь- ного кристалла, содержащая структуры мем- ристорв с размерами от 0,2×0,2 мкм до 32×32 нм.
Разработанная конструкция содержит также про- тотип матрицы 8×8 = 64 мемристоров размером
32×32 нм каждый.
Использование АСО в составе кластерных тех- нологических систем позволит получать сверх- тонкие конформные проводящие и изолирующие пленки на подложках из различных материалов, предоставляя широкие возможности для преци- зионного контроля процесса осаждения ультра- тонких слоев. Для решения поставленных задач планируется реализовать технологию изготовле- ния мемристивных структур на базе роботизиро- ванного кластерного технологического комплекса в едином вакуумном цикле с применением АСО в плане перехода к новому поколению полупро- водниковой нанотехнологии, обеспечивающей достижение минимальных топологических раз- меров вплоть до 22 нм.
Работа проводилась при поддержке
Министерства промышленности и торговли
Российской Федерации в рамках федеральной целе- вой программы "Развитие электронной компонент- ной базы и радиоэлектроники" на 2008–2015 годы.
ЛИТЕРАТУРА
1. Niwa M. Development of 32nm CMOS and Recent
Trend for Beyond 32nm. – 110622 SMT Symp. (2011).
2. Mazumder P. et al Memristors: Devices, Models and Applications. – Proceedings of the IEEE, 2012, v. 100, №6, p.1911–1916.
3. Waser R., Dittmann R., Staikov G., Szot K.
Redox-based resistive switching memories – nanoionic mechanisms, prospects, and challenges. – Advanced Materials, 2009, v.21(25–26), p.2632–2663.
4. Hutchby J. et al. Assessment of the Potential
& Maturity of Selected Emerging Research Memory
Technologies. – Workshop & ERD/ERM Working
Group Meeting (itrs), 2010.
5. Yang J. et al. Metal oxide memories based on thermochemical and valence change mechanisms. – MRS BULLETIN, 2012, v.37,
№2, p.131.
6. Chua L.O. Memristor – the missing circuit element. – IEEE Trans. Circuit Theory, 1971, v.18, p.507–519.
7. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R.,
Williams R.S. The missing memristor found. –
Nature letters, 2008, v.453, p.80–83.
8. Елисеев Н. Мемристоры и кроссбары: нанотех- нологии для процессоров. – Электроника: Наука,
Технология, Бизнес, 2010, №8, с.84–89.
9. Yang J., Strukov D.B. and Stewart D.R.
Memristive devices for computing. – Nature
Nanotechnology, 2013, v.8, p.13-24.
10. Torrezan A.C. et al. Measuring inherent switching speeds of memristor. – Nanotechnology,
2011, v.22, (48), p.485203.
11. Joshua Y.J., Byung J.Ch., Min-Xian Z., Torrezan
Antonio C., Strachan J.P., Williams St.R.
Memristive Devices for Computing: Mechanisms. –
Applications and Challenges. – HP Laboratories,
HPL-2013-48.
12. Nickel J. Memristor Materials Engineering: From
Flash Replasement Towards a Universal Memory. –
HP Lab. IEDM Advansed Memory Technology
Workshop. 2011, 4 December.

5>50>