РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКАЯ РАБОТА ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ «РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА С ОЭ»
ЗАДАЧА РАБОТЫ.

Рассчитать h – параметры биполярного транзистора, его входное и выходное сопротивления, коэффициент передачи по току, пользуясь входными и выходными характеристиками транзистора. Тип транзистора задается преподавателем. Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ).

Провести графоаналитический расчет усилительного каскада на заданном типе транзистора, включенного по схеме с ОЭ, с одним источником питания E_К и с температурной стабилизацией рабочего режима.

Определить параметры элементов схемы усилительного каскада:

коэффициенты усиления по току (К_i), напряжению (К_u), мощности (K_p); токи и напряжения в режиме покоя I_бо, I_ко, U_бэо, U_кэо; амплитудные значения входных и выходных переменных токов и напряжений в линейном режиме работы усилителя; полезную выходную мощность каскада и его КПД; верхнюю и нижнюю граничные частоты полосы пропускания.

Ниже приводится рекомендуемая последовательность расчета усилителя на базе транзистора p-n-p типа проводимости (рис. 1). Расчет усилителя с n-p-n типа транзистором аналогичен (в этом случае следует правильно выбрать полярность источника питания Е_К).

1. Расчет параметров транзистора.

1. Изобразить семейство статических входных и выходных характеристик заданного транзистора, соответствующих схеме с ОЭ.

2. Определить h – параметры транзистора, соответствующие схеме с ОЭ, пользуясь входными и выходными характеристиками транзистора:

по входным характеристикам определить

h₁₁ = , h₁₂ = ;

по выходным характеристикам определить

h₂₁ = , h₂₂ = .

3. 
   Найти входное и выходное сопротивление транзистора:
   

---

4. 
   Определить коэффициент передачи по току транзистора β:
   

β = h₂₁.

2. 
   Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
   
   1. 
      Изобразить семейство выходных и входных (при U_кэ = 5B) характеристики заданного транзистора как показано на рис. 2.
      
   2. 
      На выходных характеристиках нанести кривую допустимой мощности P_{k max}, рассеиваемой на коллекторе, P_{k max} = U_кэI_к = const.
      
   3. 
      Выбрать значение напряжения источника питания E_к в пределах (0.7 – 0.9) U_{k max}. (Следует учитывать, что E_к ≈ 3U_{m вых} и E_к ≈ U_кэо + I_ко(R_к + R_э)). Эту величину в дальнейшем, после выбора R_к, R_э, и U_{m вых} следует скорректировать.
      
   4. 
      Из условия передачи максимальной мощности от источника энергии к потребителю (согласованный режим) выбрать R_к ≈ R_{вых. т}. однако на выход усилителя обычно включается нагрузка R_н ≤ R_к поэтому рекомендуется выбирать R_к = (0.3 – 1)R_{вых. т}. так чтобы его величина лежала в диапазоне R_к = (0.5 - 10) кОм.
      
   5. 
      Построить нагрузочную линию усилительного каскада, согласно уравнению
      

U_кэ = Е_к - I_кR_к

Для этого использовать две точки (“d” и ”c”) на выходных характеристиках транзистора (рис. 2):

U_кэ = 0, I_к = (т.ч. “d”); I_к = 0, U_кэ = Е_к (т.ч. “c”).

При этом линия нагрузки должна проходить левее и ниже допустимых значений U_{k max},

I_{k max}, и P_{k max} и обеспечить достаточно протяженный линейный участок переходной характеристики (см. рис. 2)

6. 
   По точкам пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками построить переходную характеристику транзистора I_к = f(I_б) (см. рис. 2)
   
7. 
   На переходной характеристике транзистора (с учетом входной характеристики) выбрать линейный участок “а - в”, в диапазоне которого усилитель усиливает без искажения. На середине участка “а - в” нанести рабочую точку “А”, соответствующую режиму работы транзистора по постоянному току.
   
8. 
   По координатам рабочей точки “A” определить токи и напряжения транзистора в режиме покоя (по постоянному току): I_бо, I_ко, U_бэо, U_кэо.
   

---

3.0. Расчет усилительного каскада по переменному току.

3.1. Определить пределы изменения амплитуд входного тока и напряжения, выходного тока и напряжения в линейном режиме работы усилителя. Найти: I_бm, I_кm, U_бэm, U_кэm

(см. рис. 2)

3.2. Рядом с графиками входных и выходных характеристик транзистора показать характер изменения токов и напряжений во времени в виде кривых:

i_б = I_бо + I_бmsinωt; u_бэ = U_бэо + U_бэmsinωt;

i_к = I_ко + I_кmsinωt; u_кэ = U_кэо + U_кэmsinωt;

соответствующих рабочим участкам этих характеристик.

4.0. Расчет параметров элементов усилителя ОЭ.

4.1. Рассчитать элементы цепи термостабилизации R_Э и С_Э.

4.1.1. Увеличение R_Э повышает глубину отрицательной обратной связи во входной цепи усилителя (улучшает термостабилизацию), с другой стороны, при этом падает КПД усилителя из – за дополнительных потерь мощности на этом сопротивлении. Обычно выбирают величину падения напряжения на R_Э порядка (0,1 – 0,3)Е_К, что равносильно выбору R_Э ≈ (0,05 – 0,15)R_К в согласованном режиме работы транзистора. Используя последнее соотношение выбираем величину R_Э.

2. 
   Для коллекторно – эмиттерной цепи усилительного каскада в соответствии со вторым законом Кирхгофа можно записать уравнение электрического состояния по постоянному току
   

Используя это уравнение скорректировать выбранные по п.п. 2.3 и 2.4 значение Е_к или величину R_к.

4.13. Определить емкость в цепи эмиттера С_э из условия R_э = (5 - 10)Х_э, где Х_э – емкостное сопротивление элемента С_э. При этом

мкФ, выбрав f_н = 50 – 100 Гц.

2. 
   Для исключения шунтирующего действия делителя R₁, R₂ на входную цепь транзистора задается сопротивление R_б.
   

и ток делителя I_д = (2 - 5)I_бо, что повышает температурную стабильность U_бо. Исходя из этого определить сопротивления R₁, и R₂, R_б:

---

; ;

3. 
   Определить емкость разделительного конденсатора из условия R_вх = (5 - 10)Х_р, где Х_р – емкостное сопротивление разделительного конденсатора, R_вх – входное сопротивление каскада. При этом
   

мкФ, а

4. 
   Определить параметры усилительного каскада.
   
   1. 
      Коэффициент усиления каскада по току K_i
      

2. 
   Входное сопротивление каскада R_вх
   

если то

3. 
   Выходное сопротивление каскада R_вых
   

4. 
   Коэффициент усиления по напряжению K_и
   

5.5. Коэффициент усиления по мощности K_р

6. 
   Полезную выходную мощность каскада
   

6. 
   Полную мощность, расходуемую источником питания
   

6. 
   КПД каскада
   

6. 
   Верхняя и нижняя граничные частоты определяются из соотношения для коэффициента частотных искажений:
   

на нижней частоте

---

;

и верхней частоте .

Обычно выбирается , тогда и ,

где

С_к – емкость коллекторного перехода.

5. 
   Заключение.
   

6.1. Объяснить назначение всех элементов схемы усилительного каскада. Параметры элементов схемы выбираются на основании всего комплекса расчетов. По данным расчета выбрать стандартные резисторы и конденсаторы по справочнику. [1]

6.2. По результатам анализа усилительного каскада дать рекомендации по применению выбранного типа транзистора, оценив его коэффициенты усиления, частотные свойства, выходные напряжения и мощность в линейном режиме и КПД.
Литература.

1. 
   Электротехнический справочник. Т.1,2. 7 – е изд. –М.: Энергоиздат, 1985, 1986
   
2. 
   Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник под ред. Б.Л. Переломана. –М.: Радио и связь, 1981
   
3. 
   Основы промышленной электроники под ред. В.Г. Герасимова. –М.: Высшая школа, 1978, 1986
   
4. 
   Забродин Ю.С. Промышленная электроника. –М.: Высшая школа, 1982
   
5. 
   Электротехника и электроника/кн. З .Электрические изменения и основы электроники// Под. ред. В.Г. Герасимова. –М.: Энергоатомиздат, 1998
   

Рис. 1 Усилитель с общим эмиттером.

7.0 Методические указания.

7.1. По п. «Задача работы».

Различают по конструктивному выполнению биполярные транзисторы p-n-p и n-p-n типов. Включение их в электрическую цепь представлены на рис. 3 а,б (обратить внимание на полярность источника питания!).

Для определения проводимости Вашего транзистора и правильности включения его в электрическую цепь следует по справочникам [1,2] определить тип транзистора.

7.2. По п. 1.2.

Определяем h парметры транзистора методом треугольников как показано на рис. 4. Точки для треугольника выбирают на линейных участках вольт-амперных характеристик рис. 4. (Например: т.ч. 1,2,3 - для параметров h₁₁ и h₁₂; и т.ч. 4,5,6,7 – для параметров h₂₁ и h₂₂.)



Рис. 2. Выбор рабочей точки.





(+) (-)

(-) (+)
«а» - n-p-n «б» - p-n-p
Рис. 3. Типы транзисторов.

Рис. 4. Вольт-амперные характеристики транзисторов.

h₁₁ = / U_кэ = const, h₁₂ = / I_б = const;

h₂₁ = / U_кэ = const, h₂₂ = / I_б = const.

Пределы именения h параметров для современных биполярных транзисторов малой и средней можности:

h₁₁ =R_б  n (10  100) Ом – входное сопротивление транзистора, где n  (110);

h₂₁ =  - коэффициент усиления по току; h₂₁ = (20 1000);

- коэффициент усиления по напряжению (K_U  200); – выходное сопротивление транзистора, где n  (110).

7.3. По п.2.2.

Кривую допустимой мощности вы также можете нанести по справочным данныv транзистора [1,2].

7.4. По п. 2.6.

Переходные характеристики транзистора I_к = f(I_б) (см. рис. 2) строят по пересечению линии нагрузки с выходными характеристиками транзистора. Для Вашего транзистора этих пересечений будет более 3-х.

7.5. По 5.4.

Коэффициент усиления усилительного каскада с ОЭ обычно лежит в пределах до 100, но не может превышать K_U 200.

7.6. По 5.8.

Усилительный каскад с ОЭ работает в линейном режиме и КПД не может превышать   50%.

8.0. Пример выполнения задания по п.6.

1) Назначение элементов схемы:

- транзистор Т – усилительный элемент;

- резисторы R₁, R₂ представляют собой делитель напряжения, устанавливающий потенциал базы (по постоянному току) необходимый для работы каскада в линейном режиме;

- резистор R_Э – цепь термостабилизации каскада, за счет падения напряжения на этом резисторе, превышающем напряжение на базовом переходе транзистора, уменьшает влияние изменения напряжения U_бэ0 при изменении температуры;

- R_К – сопротивление нагрузки по постоянному току, служит для получения нужного потенциала на коллекторе и позволяет получить амплитуду выходного напряжения необходимой величины;

- C_Р1, С_Р2 – разделительные конденсаторы, служат для разделения (защиты) транзисторов по постоянному току;

- С_Э – служит для уменьшения нижней границы частоты усилителя и увеличения коэффициента усиления по переменному току на низких частотах;

Выбираемые номинальные значения всех элементов по справочникам, при этом берем ближайшие номинальные значения для резисторов и конденсаторов;

2) Данный тип транзистора можно применять в каскадах предварительного усиления сигналов низкой и высокой частот, т.к. верхняя граница частоты превышает МГц, а нижняя граничная частота лежит в звуковом диапазоне. Выходная мощность каскада составляет _____ мВт.

ВАРИАНТЫ

МП21Г МП21Д МП39 МП40 МП41А МП42А МП42Б ГТ108Б ГТ108Г МП114 МП116 КТ104А КТ104Б КТ104В КТ201Б

КТ201Г КТ208А КТ209Б ГТ310А ГТ310Б П416 П416А П416Б КТ3107А КТ3107Б КТ3107К КТ313А КТ313Б КТ345А КТ345Б

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ

МП21Д, МП21Г



МП21Д – =40 мкА МП21Г – =100 мкА

=35 В

=50 мА =150 мВт =30 пФ
МП39, МП40, МП41А



МП39 – =400 мкА МП40 – =200 мкА МП41А – =100 мкА

=15 В =20 мА =150 мВт =50 пФ
МП42А, МП42Б



МП42А – =100 мкА МП42Б – =150 мкА

=15 В =150 мА =200 мВт =50 пФ f_гр=1 МГц
ГТ108Б, ГТ108Г



ГТ108Б – =100 мкА ГТ108Г – =50 мкА

=6 В =50 мА =75 мВт =50 пФ
МП114, МП115, МП116

МП114 – =0,3 мА МП115 – =0,3 мА МП116 – =0,1 мА

МП114 – =60 В МП115 – =30 В МП116 – =15 В

=10 мА =150мВт =50 пФ

МП114 – f_гр=0,92 МГц МП116 – f_гр=2,0 МГц
КТ104А, КТ104Б, КТ104В



КТ104А – =1,5 мА КТ104Б – =0,4 мА КТ104В – =0,2 мА

КТ104А – =30 В КТ104Б – =15 В КТ104В – =15 В

=50 мА =150 мВт =50 пФ

КТ201Г, КТ201Б

КТ201Б – =0,1 мА КТ201Г – =0,05 мА

КТ201Б – =20 В КТ201Г – =10 В

=30 мА =150мВт =20 пФ
КТ208А, КТ209Б

КТ208А – =150 мкА КТ209Б – =250 мкА

=15 В =300мА =200 мВт =20 пФ

ГТ310А, ГТ31Б


ГТ310А – =20 мкА ГТ310Б – =10 мкА

(при =10 кОм) =10 В (при =200 кОм) =6 В

=10 мА =20 мВт =20 пФ
П416, П416А, П416Б


П416 – =0,1 мА П416А – =0,05 мА П416Б – =0,03 мА

(при =0) =15 В (при ≤ 1кОм) =12 В

=25 мА =100 мВт =20 пФ

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107К

КТ3107А – =0,2 мА КТ3107Б – =0,1 мА КТ3107К – =0,04 мА

КТ3107А – =45 В КТ3107Б – =45 В КТ3107К – =25 В

=100 мА =300 мВт =12 пФ
КТ313А, КТ313Б

КТ313А – =0,1 мА КТ313Б – =0,05 мА

(при ≤ 1кОм) =50В

=350 мА =300 мВт =12 пФ

КТ345А, КТ345Б



КТ345А – =0,075 мА КТ345Б – =0,05 мА

(при ≤ 10 кОм) =20В

=200 мА =150 мВт =50 пФ

---

Смотрите также файлы

• Д. В. Горбачев 2023 г.docx

• Практическое задание к теме 4 Основы товароведения товаров животного происхождения.docx

• Асазанны ойыжара ауруы, ршу.docx

• Реферат природные ресурсы и природные условия тверского региона.docx

• Разработка лабораторного стенда по программированию микроконтроллера stm.doc