3. Найти, описанным выше методом экстраполяции, для каждого значения температуры величину тока насыщения ISTi и занести в таблицу.

4. Вычислить величины T1/Ti и ln(ISTi /IST1 ) и занести в таблицу для ВАХ диодов при различных температурах.

5. Для каждого диода в осях T1/Ti и ln(ISTi /IST1) нанести экспериментальные точки. Через полученные точки провести прямую линию, максимально приближенную ко всем экспериментальным точкам.

6. Обработать экспериментальные данные методом наименьших квадратов. Вычислить угловой коэффициент для каждой прямой.

7. Вычислить ширину запрещенной зоны исследуемых полупроводников.

5 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе данной работы ознакомились с общим подходом к определению фундаментальных параметров полупроводниковых материалов. К таким параметрам относятся ширина запрещенной зоны, энергетическое положение и концентрация примесей в нем, энергетическое распределение концентрации электронных состояний в хвостах энергетических, а также энергетическое распределение и концентрация поверхностных состояний и т.д.

Также экспериментально определили ширину запрещенной зоны полупроводников различного физико-химического состава методом температурного сканирования (методом экстракции неосновных носителей заряда).

---

Смотрите также файлы

• Первая помощь пострадавшим от ахов первая помощь пострадавшим от ахов.pptx

• Гражданскоправовой договор.docx

• Методические рекомендации по прохождению учебной практики (УП. 05. 01).docx

• Подпрограмма Развитие подотрасли растениеводства, переработки и реализации продукции растениеводства.docx

• Тематический план по выполнению лабораторных работ и практических занятий по междисциплинарному курсу мдк 01. 04. Контроль качества сварных соединений.docx