Файл: Униполярное резистивное переключение в структурах на основе оксидов ниобия, тантала и циркония.doc

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.11.2023

Просмотров: 29

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Цитируемая литература


  1. Overview of candidate device technologies for storage-class memory / G.W. Burr, B. N. Kurdi, J. C. Scott [et al.] // IBM J. Res. Develop.— 2008. — V.52. — pp. 449-464.

  2. Highly scalable non-volatile resistive memory using simple binary oxide driven by asymmetric unipolar voltage pulses / I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. [et al.] // IEDM Tech. Dig. — 2004. — pp. 587–590.

  3. Sawa A. Resistive Switching in Transition Metal-Oxide / A. Sawa // Materials Today. — 2008. — V.11. — pp. 28-36.

  4. Huang R. Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology / R. Huang, W.U Hanming, K.J. [et al.] // Sci. China Ser F – Inf. Sci. — 2009. — V. 52 (9). — pp.1491 – 1533.

  5. Huang J.J. Flexible One Diode–One Resistor Crossbar Resistive-Switching Memory / J.J. Huang, T.H. Hou, C.W. Hsu [et al.] // Japanese Journal of Applied Physics.—2012.—V.51.— pp.09-1 - 09-5

  6. Kim S. Resistive switching of aluminum oxide for flexible memory / S. Kim, Y. K. Choi. // Applied physics letters. — 2008. — V. 92. — pp. 223508-1 – 223508-3.

  7. Kim Y.H. Flexible metal-oxide devices made by room-temperature photochemical activation of sol–gel films / Y.H.Kim, J. S. Heo // Nature. 2012. — V.489.— pp.128–132.

  8. Wong H.S. Metall-Oxide RRAM / H.S. Wong, H.Y. Lee, S. Yu [et al.] // Proceedings of the IEEE. —2012. —V.100. — N.6. — pp. 1951 – 1970.

  9. Observation of electric-field induced Ni filament channels in polycrystalline NiOx films / G.S. Park, X.S.Li, D.C. Kim [et al.] // Appl. Phys. Lett. —2007. —V.91. — pp. 222103-1 – 222103-222103-3.

  10. Fujiwara K. Resistance switching and formation of a conductive bridge in metal/binary oxide/ metal structure for memory devices / K. Fujiwara, T. Nemoto // Jap. Journal of applied physics. — 2008. —V.44. —pp. 8.

  11. Electrically induced conducting nanochannels in an amorphous resistive switching niobium oxide film / K. Jung, Y. Kim, W.J.,Hyunsik, [et al.] // Applied physics letters. — 2010. — V.97. — pp. 233509-1 233509-3.

  12. Novel hypostasis of old materials in oxide electronics: metal oxides resistive random access memory application / A. Pergament A, G. Stefanovich, A. Velichko, V. Putrolainen, T. Kundozerova, Т. Stefanovich // Journal of Characterization and Development of Novel Materials. — 2012. —V.4. — №2. — pp. 83 – 110.

  13. Dielectric Response of Ta2O5, Nb2O5, and NbTaO5 from First-Principles Investigations / S. Clima, G. Pourtois, A. Hardy, [et al.] // Journal of the Electrochemical Society. —2010. — V.157. — №1. — pp. 20 – 25.

  14. Pinto R. Filamentary switching and memory action in thin anodic films / R. Pinto // Physics letters A. — 1971. —V.35. —pp. 155-156.

  15. Ridley B.K. Mechanism of electrical breakdown in SiO2 films // B.K. Ridley // J. Appl. Phys. —1975. — V.46. — I.3. — pp. 998 – 108.

  16. Исаченко В.П. Теплопередача Изд.3 .Учебник для вузов / В.П. Исаченко, В.А. Осипова, А.С. Сукомел —М. Энергия, 1975. —488с.

  17. Sputtering target MOCVD precursor. Catalog 2010. — Toshima Manufactoring Co., LTD. Japan .2010, —p.14.

  18. Самсонов Г.В. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Г.В. Самсонов, А.Л. Борисова, Т.Г. Жидкова, Т.Н. Знатокова, Ю.П. Калошина, А.Ф.Кисилева. —М. Металлургия, 1978. — 472с.

  19. Морозов К.И. Термодиффузия в дисперсных системах / К. И. Морозов // ЖЭТФ. — 1999. —Т.115. —В.5. — С. 1721 – 1726.

  20. Смирнов В.И. Физико – химические основы технологии электронных средств Учебное пособие / В.И.Смирнов. — Ульяновск, 200. — 145с.

Кундозерова Т.В.

УНИПОЛЯРНОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ НИОБИЯ, ТАНТАЛА И ЦИРКОНИЯ


Автореферат



Подписано в печать 00.00.13. Формат 60x84.

Уч.-изд. л. 1,0. Тираж 100 экз. Изд. № 74.

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Петрозаводский Государственный Университет
Отпечатано в типографии Издательства ПетрГУ 185910, Петрозаводск, пр. Ленина, 33.

Смотрите также файлы