Файл: Отчет по лабораторной работе 6 по дисциплине Электроника.docx

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Отчет по практике

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.12.2023

Просмотров: 135

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Министерство образования и науки Российской ФедерацииУральский федеральный университетимени первого Президента России Б. Н. ЕльцинаКафедра «Радиоэлектроника информационных систем»Оценка работы____________Преподаватель____________ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ p-n-ПЕРЕХОДОМ
Отчет по лабораторной работе № 6
по дисциплине «Электроника»Подпись Дата Преподаватель Дурнаков Андрей Адольфович ФИО преподавателяСтудент ______Филинский Захар Евгеньевич____ ФИО студентаГруппа РИ-211121Екатеринбург 2022

  1. Цель работы
Ознакомиться с конструкцией полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом, их принципом действия, характеристиками и параметрами различных транзисторов. Исследовать влияние температуры на характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом, а также зависимость параметров от режима работы транзистора

  1. Схема для исследования полевого транзистора
Рис. 1. Схема снятия характеристик полевого транзистора

  1. Паспортные данные и схема расположения выводов исследуемого полевого транзистора

  2. Таблицы результатов экспериментальных измерений.


UЗИ = 0 В



UСИ В
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Т=20 С
IС, мA
0
2,2
3,2
3,7
3,9
4
4,1
4,2
4,2
4,2
4,2

Т=70 С
IС, мA
0
1,8
2,7
3,1
3,3
3,4
3,55
3,6
3,6
3,6
3,6

UЗИ = 0,75 В
Т=20 С
IС, мA
0
1,3
1.8
2
2,1
2,2
2,2
2,22
2,3
2,3
2,4

Т=70 С
IС, мA
0
1,1
1,5
1,7
1,8
1,9
1,9
1,95
2
2
2

UЗИ = 1,5 В
Т=20 С
IС, мA
0
0,6
0,7
0,78
0,8
0,8
0,8
0,82
0,88
0,9
0,9

Т=70 С
IС, мA
0
0,45
0,6
0,62
0,65
0,7
0,7
0,75
0,8
0,8
0,8
Таблица 1.


UСИ =12 В



UЗИ В
2,5
2,3
2,1
1,9
1,75
1,25
0,75
0,25
0

Т=20 С
IС, мA
0
0,07
0,21
0,34
0,5
1,15
2
3,05
3,64

Т=70 С
IС, мA
0
0,04
0,14
0,29
0,49
1,2
2,2
3,2
4,2
Таблица 2.

  1. Расчет статических параметров исследованного полевого транзистора
1-Параметр S – крутизнаS = dIc/dUзи | Ucи = 5 В = (4 мА – 2,2 мА) / (0,75 В – 0 В) = 2,4 мА/В.2-Параметр Ri – внутренние сопротивление транзистора в режиме насыщенияRi = dUси / dIc | Uзи = 1,5 В = (9 В – 2 В) / (0,9 мА – 0,7 мА) = 35 кОм.3-Коэффициент усиления: μ = S*Ri = 2,4 мА/В * 35 кОм = 84.

  1. Семейство выходных характеристик исследованного полевого транзистора при комнатной и повышенной температурах.

  1. Семейство сток-затворных характеристик исследованного полевого транзистора с обозначением термостабильной точки (области)
Термостабильная область(xz) z x Термостабильная точка

  1. Таблицу расчетных значений и график зависимости S = f(UЗИ) при напряжении стока UСИ = UСИ.НОМ.

Параметры
S
Ri
μ 
Uотс

Размерность
мА/В
кОм
-
В

Паспортные значения












Расчетные значения
2,4
35
84
2,5
Таблица 3.

Смотрите также файлы