Файл: Статические характеристики полупроводниковых диодов.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 04.12.2023
Просмотров: 29
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
=1 мА
U2(1)= 668,72 *10-3+8=8,66872 В при I2=4 мА
Покажем на графике полученные результаты:
Рисунок 9. Параметры графика
Рисунок 10. Графическое отображение полученного напряжения, создающего заданные токи в цепи
Вывод: в ходе работы были построены графики ВАХ трех диодов. Судя по графикам, наибольшей контактной разностью потенциалов обладает кремниевый диод, следовательно, открывается он позже других диодов в этой работе. Наименьшей контактной разностью потенциалов обладает диод Шоттки. С увеличением температуры (рисунок 8) контактная разность потенциалов всех диодов уменьшается, и они открываются раньше. Это ведет к росту протекающего тока при более низком напряжении и, как следствие, к более раннему «пробою» диодов.
U2(1)= 668,72 *10-3+8=8,66872 В при I2=4 мА
Покажем на графике полученные результаты:
Рисунок 9. Параметры графика
Рисунок 10. Графическое отображение полученного напряжения, создающего заданные токи в цепи
Вывод: в ходе работы были построены графики ВАХ трех диодов. Судя по графикам, наибольшей контактной разностью потенциалов обладает кремниевый диод, следовательно, открывается он позже других диодов в этой работе. Наименьшей контактной разностью потенциалов обладает диод Шоттки. С увеличением температуры (рисунок 8) контактная разность потенциалов всех диодов уменьшается, и они открываются раньше. Это ведет к росту протекающего тока при более низком напряжении и, как следствие, к более раннему «пробою» диодов.