Файл: Техническое задание на проектирование радиопередающего устройства 1 Технические требования Разработать радиопередающее устройство квдиапазона с частотной модуляцией. Рабочий диапазон частот.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.12.2023

Просмотров: 223

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
.Т. к. Pрас ≤ Pкmax – условие выполняется.Проверяем частотное соответствие транзистора: .– условие выполняется.При усилении модулированных колебаний необходимо обеспечить угол отсечки q=90˚ [4, стр. 9]. Тогда коэффициенты разложения синусоидального импульса равны:a0=0.319 a1=0.5 a2=0.212 g0=0.319 g1=0.5Еп выберается из условия: Еп≤Uкmax/2 = 70/2=35. Возьмем типовое значение Еп=24 В. радиопередающее частотная функциональная транзисторАмплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе:Максимальное напряжение на коллекторе не должно превышать допустимого:Амплитуда первой гармоники коллекторного тока: .Максимальный коллекторный ток не должен превышать допустимого: .Постоянная составляющая коллекторного тока:Iк 0=a0∙Iкmax=0.319∙18.120=5.780 А.Максимальная мощность, потребляемая от источника коллекторного питания: .Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:Pрас=P0max-Pmax=138.720-104.615=34.105 Вт ≤ Pкmax=100 Вт.Коэффициент полезного действия коллекторной цепи при номинальной нагрузке: .Номинальное сопротивление коллекторной нагрузки: .4.1.2 Расчет входной цепиПри расчете входной цепи транзистора с ОЭ предполагается, что между базовым и эммитерным выводами транзистора по ВЧ включен резистор с сопротивлением, равным:
Для получения приемлемых расчетных величин в дальнейшем задаемся:Rдоп=4 Ом.Амплитуда тока базы: . .Амплитуда напряжения возбуждения: .Напряжение смещения на эммитерном переходе: .Постоянные составляющие токов базы и эмиттера: . .Элементы эквивалентной схемы входного сопротивления транзистора определяются по формулам: . .Входные сопротивления транзистора в эквивалентной схеме:rвxOЭ .RвxOЭАктивная и реактивная составляющие входного сопротивления транзистора:Входная мощность:

Коэффициент усиления по мощности транзистора:
4.1.3 Элементы выходного каскадаОпределим значения блокировочных емкостей в цепи питания транзистора: . . .Найдем разделительную емкость: . .Емкость, параллельная Rэ, определяется их соотношения XСэ" Rэ на средней частоте рабочего диапазона: .Блокировочная индуктивность: .Определим сопротивление эмиттера:Eкэ=0.1∙Eп=0.1∙24=2.4 В. .Расчет элементов базового делителя:ERдоп=Iб 0∙Rдоп=0.275∙4=1.100 В.Iдел=3∙Iб 0=3∙0.275=0.825 А. . . . . .

.

.
4.2 Выходная цепь
4.2.1 Фильтр низких частот

Для подавления высших гармоник и фильтрации первой гармоники в передатчике используется сдвоенный П-образный контур (рисунок 6), позволяющий получить необходимый КПД.


Рисунок 6 – Выходная цепь передатчика

При заданном подавлении второй гармоники B=60 дБ, коэффициент фильтрации внеполосных излучений будет равен:

.

Зададимся добротностью контура по условию Q≤Qmax, исходя из максимального значения:

.

Q=10

Зададимся средним значением вспомогательного резистора Rвс=3...6 кОм=4.5 кОм, тогда:

.

Определим значения элементов контуров:

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

Так как нагрузка реактивная, то фильтр нагружаем на настроечную цепь [4, стр. 11].
4.2.2 Настроечная цепь