Добавлен: 12.12.2023
Просмотров: 1888
Скачиваний: 56
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«Северо – Кавказская государственная академия»
СРЕДНЕПРОФЕССИОНАЛЬНЫЙ КОЛЛЕДЖ
-
Технологическое отделение
Цикловая комиссия «Экономические дисциплины»
ИНДИВИДУАЛЬНЫЙ ПРОЕКТ
по учебному предмету: «Физика»
На тему : «Акустические свойства полупроводников»
Специальность 35.02.16 Эксплуатация и ремонт
сельскохозяйственной техники и оборудования
Автор: Обучающийся группы 35.02.16-211
Коркмазов Кемран Ильясович
РУКОВОДИТЕЛЬ:
ПРЕПОДАВАТЕЛЬ:
Черкесск, 2022 г.
Содержание
Технологическое отделение
| Введение………………………………………………………………………... | 3 | |
| 1. | Общая характеристика полупроводниковых материалов........................ | 4 |
| 2. | Электропроводность полупроводников………………………………… | 6 |
| 3. | Поглощение и усиление звука……………………. | 8 |
| 4. | ………….. | 12 |
| Заключение……………………………………………………………………… | 14 | |
| Список использованных нормативных источников и литературы………….. | 16 | |
В полупроводниках имеет смысл изучать, прежде всего, те акустические эффекты, которые обусловлены взаимодействием звука с электронами проводимости. В конце концов, именно небольшое количество электронов проводимости отличает полупроводник от диэлектрика. Типичные концентрации электронов в тех случаях, которые нас интересуют, составляют 1011 - 1016 см-3.Рассмотрим акустические эффекты только в одном типе полупроводника, а именно в пьезоэлектрических полупроводниках. Акустические эффекты в них наиболее выражены, лучше всего и наиболее тщательно исследованы.Пьезоэлектрики- это кристаллы, в которых под действием равномерной деформации возникает дипольный момент и, следовательно, электрическое поле, пропорциональное деформации. Цель проекта – исследование акустических свойств полупроводников.Для наиболее полного достижения цели необходимо поставить следующие задачи:1. Дать общую характеристику полупроводниковых материалов;2. Изучить электропроводность полупроводников; 3. Описать поглощение и усиление звука;4. Изучить усиление акустических шумов и связанные с этим явления
-
Общая характеристика полупроводниковых материалов
У электронного полупроводника проводимость обусловлена в основном электронами проводимости.Полупроводники отличаются от других классов твердых материалов многими специфическими особенностями, главными из которых являются:1. Положительный температурный коэффициент электропроводности, то есть с повышением температуры электропроводность полупроводников растет.2. Удельная проводимость полупроводников меньше, чем у металлов, но больше, чем у изоляторов.3. Большие значения термоэлектродвижущей силы по сравнению с металлами.4. Высокая чувствительность свойств полупроводников к ионизирующим излучениям.5. Способность резкого изменения физических свойств под влиянием ничтожно малых концентраций примесей.6. Эффект выпрямления тока или неомическое поведение на контактах.Среди простых веществ полупроводниками являются бор, кремний, германий, серое олово, некоторые модификации фосфора, мышьяка и сурьмы, а также селен, теллур и иод. Недавно открыта новая модификация углерода – фуллерит, который является полупроводником в отличие от алмаза и графита. Помимо них известны многочисленные полупроводниковые соединения: оксиды, сульфиды, селениды, теллуриды, арсениды, антимониды, интерметаллические полупроводники, тройные и более сложные полупроводниковые соединения.Если считать, что электропроводность металлов составляет порядка 106 – 104 Ом-1*см-1, а изоляторов меньше 10-10 Ом-1*см-1, то удельная проводимость полупроводников находится в интервале 10-10 -103 Ом-1*см-1. Таким образом, проводимость полупроводников промежуточная между металлами и изоляторами.Неорганические полупроводники, как правило, обладают координационной структурой, то есть в их пространственных решетках отсутствуют молекулы. То есть они обладают немолекулярной структурой. Поэтому макроскопическое тело полупроводника состоит либо из большого числа одинаковых атомов (простое вещество), либо также из большого числа (порядка числа Авогадро) различных атомов (соединения).Важнейшую роль играют поверхностные свойства полупроводников. Нередко поверхностные энергетические уровни и зависящие от них свойства преобладают над объемными характеристиками полупроводников. Поэтому, чтобы улучшить электрофизические характеристики полупроводниковых приборов, в приборостроении особое внимание обращают на травление поверхности
, влияние адсорбированных газов, присутствие посторонних внешних примесей.
-
Электропроводность полупроводников
обусловленная этим дырочным током, называется дырочной электропроводностью или электропроводностью р-типа .
Полупроводники, не содержащие донорные и акцепторные примеси, называют собственными полупроводниками, а содержащие - примесными.
Итак, движение электронов (в одном направлении) и дырок атомов (в обратном направлении) самого полупроводника создает собственную электропроводность, которая с повышением температуры возрастает. Понижение же температуры будет уменьшать собственную электропроводность полупроводника, так как будет уменьшаться число электронов, переходящих в зону проводимости. Поэтому полупроводники при охлаждении приближаются к диэлектрикам по величине их сопротивления.
В полупроводниках и диэлектриках при температуре 00К все электроны находятся в валентной зоне, а зона проводимости абсолютно свободна. Электроны полностью заполненной зоны не могут принимать участия в создании электрического тока.
Для появления электропроводности необходимо часть электронов перевести из валентной зоны в зону проводимости. Энергии электрического поля недостаточно для осуществления этого перехода, требуется более сильное энергетическое воздействие, например, нагревание твердого тела.
Чем выше температура и меньше запрещенная зона, тем выше интенсивность межзонных переходов.
У диэлектриков запрещенная зона может быть настолько велика, что электронная электропроводность не играет определяющей роли.
Если каждый атом имеет, например, 4 валентных электрона, являющихся общими для 4 ближайших атомов (конфигурация валентных связей), то такое твердое тело является полупроводником. Например, в германии и кремнии, являющихся четырехвалентными элементами, на наружной оболочке имеется по четыре ковалентные связи с четырьмя ближайшими, окружающими его атомами.
3. Поглощение и усиление звука
При распространении бегущей звуковой волны пространственное распределение электронов стремится следовать за пространственным распределением пьезоэлектрического потенциала. Соответственно переменные пьезоэлектрические поля порождают переменные электронные токи, которые и «подстраивают» распределение электронов к распределению потенциала. При протекании этих токов в проводнике должно выделяться джоулево тепло. В результате при распространении звука механическая энергия звуковой волны переходит в энергию беспорядочного теплового движения, т. е. происходит поглощение звука. Интенсивность поглощаемого звука изменяется по закону: