Файл: Проектирование приемника непрерывных сигналов.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.01.2024

Просмотров: 75

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.


=> неверно, поэтому перехожу на каскадную схему включения, у которого:

Или же можно взять 2 каскада на одном транзисторе

40<270

= (36)
Выходная проводимость транзистора:
(37)
Тогда коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:

(38)
N=1
2. Определить число каскадов тракта первой промежуточной частоты.

Число каскадов тракта первой промежуточной частоты N определяется по аналогии с первым пунктом данного раздела: сначала определяется необходимое усиление в этом тракте, а уже затем необходимое число каскадов. Обобщенная формула вычислений:
(39)
где напряжение на входе второго преобразователя частоты, равное 300…400мкВ для биполярных транзисторов (БТ).


= (40)
Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:

= = (41)
= (42)

коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:


(43)

N=1

Необходимо отметить, что чем ниже частота , тем выше коэффициент устойчивого усиления транзисторов.

3. Определить число каскадов тракта второй промежуточной частоты.

Вычисления проводятся по формуле:
(44)
где - напряжение на входе детектора, равное (0.5…1)В для АД, СД, ЧД (с настроенными или расстроенными контурами ) и (30…50)мВ для дробного ЧД;

=5…10 – коэффициент запаса.



Берем транзистор КТ 342 В
= (45)
Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:
=

= (46)

= (47)
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:

(48)

N=4

4.Определить усиление в тракте низкой частоты.

Коэффициент усиления в тракте низкой частоты равняется:
(49)
где =2…5 – коэффициент запаса,

=(0,8…0,9)

= (50)

Определяем напряжение в нагрузке:
= В (51)

В тракте низкой частоты для обеспечения необходимого усиления целесообразно использование микросхем, некоторые из которых приведены в Приложении 4.

Параметры и схемы включения микросхем серии К226, предназначенные для усиления низкой частоты.
Таблица 4.

Серии МС



(кГц)







К 226 УН1А,Б,С

250…350

0, 2…100

+12,-6







Входная емкость микросхемы не 226 превышает 20пФ.

9. Определение числа каскадов приемника, охватываемых АРУ
В ТЗ приведен коэффициент регулирования АРУ, показывающий динамический диапазон изменения входного и выходного сигнала. Для проведения дальнейших расчетов эти динамические диапазоны надо перевести дБ по напряжению и вычислить динамический диапазон АРУ:
(52)




Число охватываемых каскадов N равняется:
(53)
где - динамический диапазон регулировки одного каскада


(54)

- число охватываемых каскадов АРУ
10.Составление структурной схемы проектируемого приемника
Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4


Рис.4
Особенности построения структурной схемы приемника следующие:

в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;

около каждого вида устройства показать их количество N=? и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;

ввести АРУ и показать какое количество усилительных каскадов охватывает система АРУ;

показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;

вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести конкретный вид этого детектора:


для АТ сигналов – АД,

для ЧТ сигналов – ЧД ( перед «обычным» ЧД необходим ограничитель),

для сигналов с ОМ – СД (синхронный детектор). Обычно СД – это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся в боковой полосе.


Р ис. 5


Рис.6
Приложение 1

Параметры биполярных транзисторов


Тип транзистора

(МГц)

(Ом)



(пФ)

(пС)

Шт (дБ)

(Ом) (Ом)

КТ 342 В

300

200

400

4

700

7

5 50

КТ 306 А

500

30

30

5

500

15

30 100

КТ 306 Б

650

30

60

5

500

15

30 100

КТ 3126 А

500

7

100

2,5

15

8

5 6

КТ 3127 А

600

6

150

1

10

5

5 10

КТ 316 А

600

17

60

3

50

10

15 16,7

КТ 316 Б,В

800

17

120

3

50

10

15 16,7

КТ 316 Г

600

17

100

3

150

10

15 50

КТ 316 Д

800

17

300

3

150

10

15 50

КТ 3128 А

800

7

150

1

5

5

6 5

КТ 397 А

800

25

300

1,3

40

6

20 30,8

КТ 3109 А

800

8

15

1

10

6

7 10

ГТ 311 А

770

8

70

1,8

50

8

8 27,8

ГТ 311 Б

1500

8

80

1,5

100

5,1

8 66,7

ГТ 311 Г

1500

8

60

1,5

75

5,1

8 50

ГТ 311 Д

1500

7

110

1,5

75

5,1

8 50

ГТ 329 А

1200

22

100

2

15

4

10 7,5

Т 341 А

1950

60

60

1

10

4,5

30 10

КТ 382 А

2250

3

330

2

6

3

3 3

КТ 382 Б

2250

3

330

0,7

5,5

4,5

3 2,8

КТ 372 А

2400

20

10

1

9

3,5

8 9

КТ 372 Б

3000

20

10

1

9

3,5

8 9

КТ 371 А

3600

10

200

1,2

10

5

8 8,3

Т 362

4800

5

200

1

10

4

8 10

ГТ 362 Б

4800

5

200

0,5

30

4

8 6

КТ 391 А

7000

8

150

0,7

3,7

4,5

7 5,3

КТ 391 Б

7000

8

150

1

3,7

4,5

7 5,3

КТ 368 А

7000

6

300

1,7

15

3,3

5 2,8

КТ 368 Б

7000

6

300

1,7

15

2,8

5 2,8

КТ 3115 А-2

7500

9

20

0,6

9

5

7 15

КТ 3124 А-2

8000

6

200

0,6

2,5

5

5 4,2

КТ 610 А

10000

12

300

4,1

55

6

10 13,4

КТ 610 Б

7000

12

300

4,1

22

6

5,4