Файл: Вологодский государственный университет.docx

федеральноегосударственноебюджетноеобразовательноеучреждениевысшегообразования«Вологодскийгосударственныйуниверситет»Институтмашиностроенияэнергетикиитранспорта(наименованиеинститута)Кафедраэлектрооборудования(наименованиекафедры)ЖУРНАЛКОНТРОЛЬНЫХ РАБОТ(наименованиеписьменнойработы)Дисциплина:«Электроника»

13.03.02. код направления подготовки

_44.02_ код выпускающей кафедры

_01_ регистрационный номер по журналу

1 код формы обучения

Преподаватель	к.т.н.,доц.БулавинаТ.Г. (уч.степень,звание, должность. Ф.И.О)
Выполнили студенты	Агеев М.Д. (Ф.И.О)
Группа, курс	5Б13ЭС-31,3курс
Дата сдачи
Дата защиты Оценка по защите	(подписьпреподавателя)

Вологда2022г.

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ

Современное развитие электроники и широкое применение интегральных процессов и микросхем дало возможность в десятикратно уменьшить массы и размеры электронной аппаратуры

---

, управляемой и контролируемой технологическими процессами многих отраслей промышленности, причем микросхемы и микропроцессоры используются в совокупности аппаратных и программных средств с преобразователями аналоговых сигналов, с унификацией информационных магистралей.

В современных электронных устройствах (дешифраторах, сумматорах, триггерах, регистрах, счетчиках и многих других) основным видом сигналов являются цифровые. Цифровые технологии относятся к самым динамичным направлениям развития и в значительной степени определяют общий технологический прогресс. Впрочем, и в XXI веке аналоговые элементы остаются популярными, а именно технологии цифровых технологий стимулируют развитие и выпуск цифровых микросхем, а также аналоговые и цифровые микросхемы.

Ускоренное развитие электроники, как области науки и техники вызывает потребность к ее познанию при подготовке специалистов многих направлений.

Целью прохождения данного лабораторного практикума является закрепление знаний о простейших структурных единицах электроники.

В процессе выполнения лабораторных работ будут обретены навыки чтения электронных схем, снятия различных характеристик, определения параметров компонентов.

Задача №1,5

Исходные данные для расчета представлены в таблице 1.1.Таблица 1.1 – Исходные данные на расчет

Nд,см-3	Т, К	Кл
10 в 17	300

вместо n величину N_D и, обозначая уpовень Феpми через E_Fn

---

, получаем:



Откуда следует:



n_i = 1,45·10¹⁰ (см^-3) - собственная концентрация носителей заряда Si;

k = 8,62·10^-5 (эВ/К) - постоянная Больцмана.



(эВ).

Согласно известной формуле для расчета концентрации неосновных носителей заряда в электронном полупроводнике с учетом сдвига уровня Ферми относительно середины запрещённой зоны:

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. 
   Коновалов Б. И., Мишуров В. С. Основы преобразовательной техники: учебное пособие. — Томск: ТУСУР, 2015 – 197 с.
   
2. 
   Попков О.З. Основы преобразовательной техники: учеб. пособие для вузов / О.З. Попков. 3-е изд., стереот. — Москва: МЭИ, 2010 – 200 с.
   
3. 
   Аксенов А. И., Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы / 5-е изд . доп. и испр. - Москва.: СОЛОН-Пресс, 2005. - 584 с.
   
4. 
   Орлов, В.В. Основы силовой преобразовательной техники: Учеб. пособие / В.В. Орлов, Н.Д. Поздеев. – Вологда: ВоГТУ, 2004. – 171с.
   
5. 
   Номиналы резисторов, таблица, онлайн калькулятор. – Текст: электронный // Fly Modification //: сайт – URL: https://flymod.ru/?p=490 (дата обращения: 29.11.2021 г).
   
6. 
   Родюков М.С., Коновалов Н.Н. Электроника. Расчёт усилительного каскада с общим эмиттером: методические указания по выполнению домашней работы, 2-е изд., испр. – Москва.: МГУПИ, 2011 г. 48 с.
   
7. 
   Изъюрова, Г. И. Расчет электронных схем. Примеры и задачи: учеб. пособие для вузов по спец. электрон. техники/ Г.И. Изъюрова, Г.В. Королев, В.А. Терехов [и др.]. – М.: Высш. шк., 1987. – 335 с.
   

---