Файл: С.Н. Гринфельд Физические основы электроники уч. пособие.doc
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.07.2024
Просмотров: 804
Скачиваний: 1
СОДЕРЖАНИЕ
С.Н. Гринфельд физические основы электроники
1. Электропроводность полупроводников
1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
1.2. Электропроводность собственных полупроводников
1.3. Электропроводность примесных полупроводников
1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
2. Электронно-дырочный переход
2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
3.1. Общие характеристики диодов
4. Полупроводниковые транзисторы
4.1.2. Принцип действия транзистора
4.1.3. Схемы включения транзисторов
4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт
4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт
Схемы включения полевого транзистора
Температурная зависимость параметров птуп
4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
Структуры пт с изолированным затвором
Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)
Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
Максимально допустимые параметры полевых транзисторов
5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
6.3. Обратные связи в усилителях
6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи
6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения
6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения
6.5. Каскады предварительного усиления
6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)
7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля
7.2. Однотактные усилители прямого усиления
7.3. Дифференциальные усилители
7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей
8. Определение и основные характеристики операционных услителей
8.1. Устройство операционных усилителей
8.2. Характеристики операционных усилителей
8.4. Применение операционных усилителей
Неинвертирующий усилитель на оу
И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель
У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель
Усилители переменного напряжения
9. Устройства сравнения аналоговых сигналов
10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов
О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки
Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
Описание лабораторной установки
Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
Описание лабораторной установки
Последовательность расчета усилителя
Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие
Р
Рис.
6.20. Входная характеристика транзистора
Линия нагрузки (рис. 6.21) ограничивается точками 1 и 2. За пределами участка 1 – 2 процесс усиления сопровождается значительными нелинейными искажениями. Выше точки 1 наступает насыщение транзистора, и он перестает управляться током базы. Ниже точки 2 транзистор оказывается в режиме отсечки, т.е. также перестает управляться.
6 Рис. 6.21. График разрешенной области надежной работы транзистора.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с оэ
Ранее было показано, что изменение температуры вызывает изменение параметров транзистора, в результате чего изменяются его характеристики. Таким образом, при изменении температуры изменяется положение рабочей точки покоя относительно ее первоначального положения, а следовательно, изменяется режим работы транзистора.
Большие изменения тока коллектора покоя могут привести к существенным нелинейным искажениям. Поэтому в практических схемах применяются меры для стабилизации режима покоя.
Н
Рис. 6.22. Каскад с
цепью параллельной ООС
по напряжению
Rб.
Стабилизация режима покоя происходит следующим образом: при повышении температуры увеличиваются токи IбпиIкп, что приводит к изменению потенциала коллектора
Uкэп = Ек – (Iбп +Iкп)Rк,
а следовательно, и тока базы, и тока коллектора:
Iбп=;Iкп = βIбп.
Схема коллекторной температурной стабилизации проста, но имеет ограниченное применение из-за следующего недостатка. Наличие нежелательной ООС по переменному току через резистор Rб, уменьшает входное сопротивление и коэффициент усиления, поэтому эффективность стабилизации будет тем выше, чем больше сопротивлениеRк, а это требует увеличения напряжения источника питания (Ек).
Более эффективной является схема усилительного каскада с ООС по постоянному току (схема с эмиттерной температурной стабилизацией), которая сохраняет работоспособность при колебаниях температуры на (70...100) ○С (рис. 6.23).
С
Рис.
6.23. Каскад с цепью последовательной
ООС по току
Сопротивление резисторов R1,R2 иRэобычно рассчитывают в следующей последовательности:
определяют сопротивление резистора
Rэ = (0,1...0,3);
затем, задаваясь значением тока делителя Iд= (2...5)Iбп, определяют сопротивления резисторов:
; .
Уравнение нагрузочной прямой в этом случае имеет вид:
.
При жестких требованиях к температурной стабильности каскадов усиления применяют ООС как по напряжению, так и по току (комбинированную ОС).
6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
Рассмотрим работу каскада по переменному току в режиме холостого хода, т.е. Rн = ∞.Напряжение синусоидального входного сигнала (рис. 6.23) подают на участок «база – эмиттер» транзистора, через разделительный конденсатор Ср1, что создает пульсацию тока базы относительно постоянной составляющейIбп. Изменение тока базы вызывает соответствующее изменение тока коллектора (Iк), протекающего по сопротивлению нагрузкиRк(iк~ = β·iб~ ). Переменная составляющая тока коллектора (Iк~) создает на сопротивленииRк усиленное по амплитуде напряжение, при этом появляется на выходеcхемы напряжениеUкэ~ =Uвых.
Увеличение входного напряжения вызывает увеличение тока базы (Iб), увеличение тока коллектора (Iк) и уменьшение напряженияUкэ, т.е. каскад с ОЭ осуществляет инверсию напряжения, выходной сигнал находится в противофазе к входному. Это обусловлено подключением нагрузкиRнпараллельно транзистору, на сопротивленииRксигнал синфазен входному. Несмотря на сдвиг фаз между выходным (Uвых) и входным (Uвх) напряжениями, в рабочем диапазоне частот не возникает фазовых искажений, так как все гармоники сдвигаются на 180º и форма выходного сигнала соответствует входному.
Процесс усиления сигнала можно пояснить графически с помощью входных и выходных статических характеристик транзистора (рис. 6.24)
Подключим к выходу цепи усилителя сопротивление внешней нагрузкиRн (см. рис. 6.23). Переменная составляющая тока коллектора (Iк~) делится в этом случае на две составляющие: ток через сопротивление (Rк), который далее замыкается через источник питанияEк, и ток нагрузки (Iвых).
Сопротивления RкиRндля переменного тока включены параллельно, так как внутреннее сопротивление источника питания по переменному току можно считать равным нулю. Поэтому
Uкэ~=Iк~=Iк~·Rн.
Линия нагрузки по переменному току идет круче (см. рис. 6.24), так как сопротивление выходной цепи транзистора уменьшилось, и проходит через точку покоя под углом ψ = arctgRн.
В режиме усиления малых сигналов (в каскадах предварительного усиления) расчет основных динамических параметров можно производить аналитически. В этом случае составляют эквивалентную схему усилительного каскада по переменному току (рис. 6.25).
П
Рис.
6.25. Эквивалентная схема замещения
усилителя с ОЭ по
переменному току
; ;
;
6.5.4. Каскад с ок
В усилительном каскаде с ОК (рис. 6.26) входной сигнал поступает на базу транзистора по отношению к общей точке, с которым через малое сопротивление источника питания Eкпо переменному току соединен коллектор. Выходной сигнал снимается с эмиттера и через разделительный конденсаторCр2подается в нагрузку. В схеме действует 100 %-я ООС по напряжению.
Т
Рис. 6.26. Усилительный
каскад с ОК
Rк~ =Rэ·Rн/ (Rэ+Rн).
В отличие от схемы с ОЭ входное и выходное напряжения каскада с ОК совпадают по фазе, при подаче входного сигнала базовый ток увеличивается, вызывая возрастание эмиттерного тока. Это приводит к увеличению падения напряжения на сопротивлении Rэи, следовательно, на сопротивлении нагрузкиRн.
Из схемы (см. рис. 6.26) видно, что
Uвх=Uбэ+Uвых,
так как Rн~ много больше сопротивления эмиттерного перехода (Uвых>>Uбэ). ПоэтомуKu=Uвых/Uвхблизок к единице, однако меньше ее. Таким образом, в схеме с ОК выходной сигнал повторяет входной по уровню напряжения и по фазе. Поэтому схема с ОК называется «эмиттерный повторитель». Эта схема не обеспечивает усиления по напряжению, но имеет достаточно высокий коэффициент усиления по току и, следовательно, по мощности.
С
Рис.
6.27. Схема замещения каскада с ОК
;
;
;
;