Файл: Физика Программа, методические указания и задачи для студентов заочников (с примерами решения) (А.А.Кулиш).pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.04.2024

Просмотров: 288

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

3.9. Потенциал поля, создаваемого некоторой системой зарядов, имеет вид: =a(x2+y2)-bz2, где а и b - положительные константы. Найти напряженность поля E и ее модуль E . Построить графики зависимости

Ex=f(x), Ez=f(z).

(E= 2 a2 (x2 y 2 ) (вz)2 ;

 

 

 

 

 

 

).

E 2ae

x

2aye

y

2вze

z

 

 

 

 

 

3.10.Плоский воздушный конденсатор подключили к батарее, а затем отключили от неё. После этого сдвинули пластины конденсатора, уменьшив расстояние между пластинами в 2 раза. Как изменится:

а) энергия, запасенная конденсатором; б) заряд на обкладках конденсатора;

в) плотность энергии электрического поля конденсатора?

3.11.Диэлектрическая пластина шириной 2а с проницаемостью =2 помещена в однородное электрическое поле напряженности Е, силовые линии которого перпендикулярны пластине:

Изобразите на рисунке линии полей Е и D электрического поля, Постройте качественно графики зависимостей Ех, от х (ось х

перпендикулярна пластине, вектор Е направлен вдоль оси х, точка х=0 находится в середине пластины).

3.12.Диэлектрическая пластина с проницаемостью =2 помещена в однородное электрическое поле с напряженностью Е. Линии поля Е

образуют некоторый угол с поверхностью пластины. Изобразите качественно линии полей Е и D в вакууме и в пластине. Постройте качественно графики зависимостей Ех=f(x) и D=f(x).

3.13. Внутри плоской однородной диэлектрической пластины с =3 вектор напряженности однородного электрического поля составляет угол

с поверхностью пластины. Считая, что с одной стороны пластины вакуум, а с другой стороны диэлектрик с =2, изобразить качественно линии Е и D электрического поля в трех указанных средах. Построить качественно зависимости Ех=f(x) и Dx=f(x). Ось ОХ перпендикулярна поверхностям пластины, а ее толщина d.


3.14. Плоский воздушный конденсатор опустили в воду так, что поверхность воды параллельна плоскостям пластин, а ее уровень расположен на расстоянии h от нижней пластины. Найти зависимость электроемкости конденсатора от величины h, если площадь пластины S, а расстояние между ними d.

0s

(С= d h( 1) ).

3.15. Электрическое поле создается равномерно заряженным шаром радиусом R с объемной плотностью заряда . Определить зависимость вектора электрического смещения электрического поля от r. Построить качественно график Dr=f(r).

(D=(1/3) r; D=( /3) (R3/r2)).

Постоянный ток

Примеры решения задач

26. Пространство между пластинами плоского конденсатора заполнено многослойным диэлектриком, обладающим слабой электропроводностью. Диэлектрическая проницаемость диэлектрика монотонно уменьшается от пластины 1 от значения 1 4 до значения

2

3 у

пластины 2. Удельная электропроводность

монотонно

уменьшается от пластины 1 от значения 1 10 7

Ом 1 м 1 до значения

2

10 10

Ом 1 м 1 у пластины 2. Конденсатор

включен

в цепь с

постоянной ЭДС, и в нем устанавливается постоянный электрический ток силой J 1 10 7 А, текущий через диэлектрик от стороны 1 конденсатора к

стороне

2. Найти

величину свободного заряда Q ,

возникшего в

диэлектрике при протекании тока.

 

Дано:

 

Решение:

 

 

 

1

4

 

Среда между пластинами конденсатора обладает

2

3

 

как электропроводящими, так и диэлектрическими

1 10 7 Ом-1 м-1

свойствами. Поэтому в решении используется закон

2

10 10

Ом-1 м-1

Ома в дифференциальной форме:

(1)

J 1 10 7 А

j E

 

 

 

 

 



Q – ?

(где J – плотность тока, E – напряженность

 

электрического поля) и теорема Гаусса для

 

диэлектрика. Направление линий тока вектора J и

 

направления

 

 

векторов электрического смещения D1 и D2 у пластины 1 и пластины 2 соответственно показаны на рисунке.

Ток через среду постоянный, линии тока перпендикулярны к пластинам конденсатора, следовательно, для величин силы тока у пластины 1 и пластины 2 можно записать: J j1 S0 j2 S0 (S0 – площадь пластины конденсатора.) Это же соотношение с учетом закона Ома (1) принимает форму:

J 1 E1 S0 2 E2 S0 . (2) Для использования теоремы Гаусса проведем гауссову поверхность в виде прямоугольного параллелепипеда ( пунктирная линия на рисунке),

так чтобы внутри находился диэлектрик. По теореме Гаусса для диэлектрика, учитывая направление векторов D , имеем:

Q D dS D2 S0 D1 S0 .

(3)

S

 

Связь между вектором электрического смещения

D и напряженностью

E электрического поля, как известно, имеет вид:

 

D 0 E .

(4)

Из соотношении (2) – (4) для величины заряда Q следует:

Q D2 S0 D1 S0 2 0 E2 S0 1 0 E1 S0

(

0 2 J

 

0 1 J

) J 0

(

2

 

1

)

2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

1

1 10 7 8,85 10 12 (

3

 

4

) 27 10 9

Кл.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 10 7

 

 

 

 

 

 

 

 

1 10 10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ответ:Q 27 н Кл.


 

27. В схеме, изображенной на рисунке, 1 11В, 2 4 В, 3 6В,

R1 5

Ом,

R2 10Ом, R3 2Ом. Внутреннее сопротивление источников

тока

пренебрежимо мало. Определить силы токов I1 , I2 , I3 , текущих

через сопротивления.

Дано:

Решение:

1 11В

2 4 В

3 6В

R1 5 Ом

 

 

 

R2

10Ом

 

 

 

R3

2Ом

Представленная

в задаче

схема постоянного тока

 

 

I1 –?

может быть рассчитана на основе законов Кирхгофа. Для

I2 –?

применения законов

Кирхгофа

выделим два замкнутых

I3 –?

контура АBCD и AFEB.

 

Зададим направление обхода этих замкнутых контуров по часовой стрелке, как показано на рисунке. Также будем рассматривать узел схемы

А, в котором сходятся (или вытекают) токи I1 , I2 ,

I3 .

По первому закону Кирхгофа для токов узла А следует уравнение:

I1 I2 I3 0.

(1)

Вданном выражении учитывалось правило знаков: ток втекающий

вузел – положителен, ток вытекающий из узла – отрицателен.

По второму закону Кирхгофа для контуров ABCD и AFЕB имеем

соответственно: I1 R1

I2 R2

1 2 .

 

(2)

 

 

 

 

I2 R2 I3

R3 2

3 .

(3)

В выражениях

(2) и (3) учитывалось правило знаков, определяемое

выбранным направлением обхода контура.

 

Подставляя известные численные значения сопротивлений

участков цепи и ЭДС источников тока в уравнения (1) – (3), получим:

 

1 I1 1 I2 1 I3 0

 

 

10 I2 0 I3

7 .

(4)

5 I1

 

10 I2 2 I3

2

 

0 I1