Файл: Физика Программа, методические указания и задачи для студентов заочников (с примерами решения) (А.А.Кулиш).pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 05.04.2024
Просмотров: 288
Скачиваний: 0
3.9. Потенциал поля, создаваемого некоторой системой зарядов, имеет вид: =a(x2+y2)-bz2, где а и b - положительные константы. Найти напряженность поля E и ее модуль E . Построить графики зависимости
Ex=f(x), Ez=f(z).
(E= 2 a2 (x2 y 2 ) (вz)2 ; |
|
|
|
|
|
|
). |
E 2ae |
x |
2aye |
y |
2вze |
z |
||
|
|
|
|
|
3.10.Плоский воздушный конденсатор подключили к батарее, а затем отключили от неё. После этого сдвинули пластины конденсатора, уменьшив расстояние между пластинами в 2 раза. Как изменится:
а) энергия, запасенная конденсатором; б) заряд на обкладках конденсатора;
в) плотность энергии электрического поля конденсатора?
3.11.Диэлектрическая пластина шириной 2а с проницаемостью =2 помещена в однородное электрическое поле напряженности Е, силовые линии которого перпендикулярны пластине:
Изобразите на рисунке линии полей Е и D электрического поля, Постройте качественно графики зависимостей Ех, Dх от х (ось х
перпендикулярна пластине, вектор Е направлен вдоль оси х, точка х=0 находится в середине пластины).
3.12.Диэлектрическая пластина с проницаемостью =2 помещена в однородное электрическое поле с напряженностью Е. Линии поля Е
образуют некоторый угол с поверхностью пластины. Изобразите качественно линии полей Е и D в вакууме и в пластине. Постройте качественно графики зависимостей Ех=f(x) и D=f(x).
3.13. Внутри плоской однородной диэлектрической пластины с =3 вектор напряженности однородного электрического поля составляет угол
с поверхностью пластины. Считая, что с одной стороны пластины вакуум, а с другой стороны диэлектрик с =2, изобразить качественно линии Е и D электрического поля в трех указанных средах. Построить качественно зависимости Ех=f(x) и Dx=f(x). Ось ОХ перпендикулярна поверхностям пластины, а ее толщина d.
3.14. Плоский воздушный конденсатор опустили в воду так, что поверхность воды параллельна плоскостям пластин, а ее уровень расположен на расстоянии h от нижней пластины. Найти зависимость электроемкости конденсатора от величины h, если площадь пластины S, а расстояние между ними d.
0s
(С= d h( 1) ).
3.15. Электрическое поле создается равномерно заряженным шаром радиусом R с объемной плотностью заряда . Определить зависимость вектора электрического смещения электрического поля от r. Построить качественно график Dr=f(r).
(D=(1/3) r; D=( /3) (R3/r2)).
Постоянный ток
Примеры решения задач
26. Пространство между пластинами плоского конденсатора заполнено многослойным диэлектриком, обладающим слабой электропроводностью. Диэлектрическая проницаемость диэлектрика монотонно уменьшается от пластины 1 от значения 1 4 до значения
2 |
3 у |
пластины 2. Удельная электропроводность |
монотонно |
|
уменьшается от пластины 1 от значения 1 10 7 |
Ом 1 м 1 до значения |
|||
2 |
10 10 |
Ом 1 м 1 у пластины 2. Конденсатор |
включен |
в цепь с |
постоянной ЭДС, и в нем устанавливается постоянный электрический ток силой J 1 10 7 А, текущий через диэлектрик от стороны 1 конденсатора к
стороне |
2. Найти |
величину свободного заряда Q , |
возникшего в |
|
диэлектрике при протекании тока. |
|
|||
Дано: |
|
Решение: |
|
|
|
|
|||
1 |
4 |
|
Среда между пластинами конденсатора обладает |
|
2 |
3 |
|
как электропроводящими, так и диэлектрическими |
|
1 10 7 Ом-1 м-1 |
свойствами. Поэтому в решении используется закон |
|||
2 |
10 10 |
Ом-1 м-1 |
Ома в дифференциальной форме: |
(1) |
J 1 10 7 А |
j E |
|||
|
|
|
|
|
Q – ? |
(где J – плотность тока, E – напряженность |
|
электрического поля) и теорема Гаусса для |
|
диэлектрика. Направление линий тока вектора J и |
|
направления |
|
|
векторов электрического смещения D1 и D2 у пластины 1 и пластины 2 соответственно показаны на рисунке.
Ток через среду постоянный, линии тока перпендикулярны к пластинам конденсатора, следовательно, для величин силы тока у пластины 1 и пластины 2 можно записать: J j1 S0 j2 S0 (S0 – площадь пластины конденсатора.) Это же соотношение с учетом закона Ома (1) принимает форму:
J 1 E1 S0 2 E2 S0 . (2) Для использования теоремы Гаусса проведем гауссову поверхность в виде прямоугольного параллелепипеда ( пунктирная линия на рисунке),
так чтобы внутри находился диэлектрик. По теореме Гаусса для диэлектрика, учитывая направление векторов D , имеем:
Q D dS D2 S0 D1 S0 . |
(3) |
S |
|
Связь между вектором электрического смещения |
D и напряженностью |
E электрического поля, как известно, имеет вид: |
|
D 0 E . |
(4) |
Из соотношении (2) – (4) для величины заряда Q следует:
Q D2 S0 D1 S0 2 0 E2 S0 1 0 E1 S0 |
( |
0 2 J |
|
0 1 J |
) J 0 |
( |
2 |
|
1 |
) |
||||
2 |
|
2 |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
1 |
||||
1 10 7 8,85 10 12 ( |
3 |
|
4 |
) 27 10 9 |
Кл. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 10 7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
1 10 10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ответ:Q 27 н Кл.
|
27. В схеме, изображенной на рисунке, 1 11В, 2 4 В, 3 6В, |
|
R1 5 |
Ом, |
R2 10Ом, R3 2Ом. Внутреннее сопротивление источников |
тока |
пренебрежимо мало. Определить силы токов I1 , I2 , I3 , текущих |
|
через сопротивления. |
||
Дано: |
Решение: |
1 11В
2 4 В
3 6В
R1 5 Ом |
|
|
|
||
R2 |
10Ом |
|
|
|
|
R3 |
2Ом |
Представленная |
в задаче |
схема постоянного тока |
|
|
|
||||
I1 –? |
|||||
может быть рассчитана на основе законов Кирхгофа. Для |
|||||
I2 –? |
|||||
применения законов |
Кирхгофа |
выделим два замкнутых |
|||
I3 –? |
|||||
контура АBCD и AFEB. |
|
Зададим направление обхода этих замкнутых контуров по часовой стрелке, как показано на рисунке. Также будем рассматривать узел схемы
А, в котором сходятся (или вытекают) токи I1 , I2 , |
I3 . |
По первому закону Кирхгофа для токов узла А следует уравнение: |
|
I1 I2 I3 0. |
(1) |
Вданном выражении учитывалось правило знаков: ток втекающий
вузел – положителен, ток вытекающий из узла – отрицателен.
По второму закону Кирхгофа для контуров ABCD и AFЕB имеем
соответственно: I1 R1 |
I2 R2 |
1 2 . |
|
|
(2) |
|
|
|
|
I2 R2 I3 |
R3 2 |
3 . |
(3) |
|
В выражениях |
(2) и (3) учитывалось правило знаков, определяемое |
|||
выбранным направлением обхода контура. |
|
|||
Подставляя известные численные значения сопротивлений |
||||
участков цепи и ЭДС источников тока в уравнения (1) – (3), получим: |
|
|||
1 I1 1 I2 1 I3 0 |
|
|||
|
10 I2 0 I3 |
7 . |
(4) |
|
5 I1 |
||||
|
10 I2 2 I3 |
2 |
|
|
0 I1 |
|