Файл: Отчет по лабораторной работе 2 Исследование характеристик и параметров полупроводникового.docx

Федеральное государственное образовательноеБюджетноеучреждениевысшегопрофессиональногообразования«Сибирский государственный университет телекоммуникаций иинформатики»

Кафедра Технической электроники

ОТЧЕТ

По лабораторной работе № 2

Исследованиехарактеристикипараметровполупроводниковоголазера

По дисциплине: Квантоваяиоптическаяэлектроника

Выполнил:Группа:АБ-016

Дата выполнения работы

27февраля2023Проверил:Оценка:

Дата защиты:

Новосибирск,2023г

Цель работы:

Изучить методики измерения основных параметров и характеристикполупроводникового лазера. Экспериментальное исследованиеосновных характеристикипараметровполупроводниковоголазера.

Ход работы:

Таблица1-Своднаятаблицаизмеренныхирасчетныхвеличин

Измеренные			Рассчитанные
Iлд [мА]	Uлд [В]	Iфд [мкА]	PЛД.потр. [мВт]	PЛД.изл. [мВт]	ηe [%]	η0
0	0	-	0	-	-	-
0.1	0.03	-	0.003	-	-	-
1	0.05	-	0.05	-	-	-
2	0.1	-	0.2	-	-	-
5	0.25	-	1.25	-	-	-
10	0.35	-	3.5	-	-	-
16	0.52	-	8.32	-	-	-
25	0.63	-	15.75	-	-	-
30	0.82	1	24.6	0.017	0.069	0.00036
43	1	6	40	0.102	0.255	0.0016
50	1.2	23	60	0.391	0.652	0.00499

---

0.017∗647∗1.6^????0=6.6∗3∗0.82∗60^∗10−2 ^=0.00036 Рисунок3–Вольтампернаяхарактеристикалазерногодиода Рисунок4–Ватт-ампернаяхарактеристикалазерногодиодаПо рисунку 4 можно определить Iпор, значение тока при котором Iфдотлично от нуля. Iпор=28 мА.Рисунок5–Энергетическаяхарактеристиказависимостиη_e=f(Iлд) Рисунок6–Энергетическаяхарактеристиказависимостиη₀=f(Iл)

Вывод:

В данной лабораторной работе были изучены методики измеренияосновныхпараметровихарактеристикполупроводниковоголазера, рассчитаныипостроеныграфикиВАХизависимостихарактеристиклазерного диодаоттока лазерного диода.

---