Файл: Отчет по лабораторной работе 2 Исследование характеристик и параметров полупроводникового.docx

Федеральное государственное образовательное Бюджетное учреждение высшего профессионального образования

«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

Кафедра Технической электроники

ОТЧЕТ

По лабораторной работе № 2

Исследование характеристик и параметров полупроводникового лазера

По дисциплине: Квантоваяиоптическаяэлектроника

Выполнил:

Группа: АБ-016

Дата выполнения работы

27февраля2023

Проверил:
Оценка:

Дата защиты:

Новосибирск, 2023г

Цель работы:

Изучить методики измерения основных параметров и характеристик полупроводникового лазера. Экспериментальное исследование основных характеристик и параметров полупроводникового лазера.

Ход работы:

Таблица 1 - Сводная таблица измеренных и расчетных величин

Измеренные			Рассчитанные
Iлд [мА]	Uлд [В]	Iфд [мкА]	PЛД.потр. [мВт]	PЛД.изл. [мВт]	ηe [%]	η0
0	0	-	0	-	-	-
0.1	0.03	-	0.003	-	-	-
1	0.05	-	0.05	-	-	-
2	0.1	-	0.2	-	-	-
5	0.25	-	1.25	-	-	-
10	0.35	-	3.5	-	-	-
16	0.52	-	8.32	-	-	-
25	0.63	-	15.75	-	-	-
30	0.82	1	24.6	0.017	0.069	0.00036
43	1	6	40	0.102	0.255	0.0016
50	1.2	23	60	0.391	0.652	0.00499

---

0.017 ∗ 647 ∗ 1.6

^{????0 =} 6.6 ∗ 3 ∗ 0.82 ∗ 60 ^{∗ 10}−2 ^{= 0.00036}




Рисунок 3 – Вольтамперная характеристика лазерного диода




Рисунок 4 – Ватт-амперная характеристика лазерного диода

По рисунку 4 можно определить Iпор, значение тока при котором Iфд отлично от нуля. Iпор = 28 мА.


Рисунок 5 – Энергетическая характеристика зависимости η_e=f(Iлд)




Рисунок 6 – Энергетическая характеристика зависимости η₀=f(Iл)

Вывод:

В данной лабораторной работе были изучены методики измерения основных параметров и характеристик полупроводникового лазера, рассчитаны и построены графики ВАХ и зависимости характеристик лазерного диода от тока лазерного диода.

---