Файл: Правила оформления текста вкрб 25 Заголовки 26 Нумерация страниц 27 Списки 27 Иллюстрации 27 Таблицы 30 Формулы и уравнения 31 Приложения 32.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.11.2023

Просмотров: 537

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

РЕЦЕНЗИРОВАНИЕ ВКРБ

Решением выпускающей кафедры выпускные квалификационные работыбакалавровмогутподлежатьобязательному рецензированию.Вкачестверецензентовмогутпривлекатьсяпреподаватели,научныеинаучно-технические работники с высшим образованием, в том числе из другихвузовиорганизаций.ПриразработкевходевыполненияВКРБустройствразныхтипов,атакжетехнологическихпринциповиметодикможнопривлекатьвкаче-стве рецензентов представителей промышленных производств, обладающих со-ответствующейквалификацией.Врецензиидолжныбытьотмеченыследующиемоменты:

  • актуальность темы;

  • основные проблемы, рассмотренные в ВКРБ;

  • теоретическая и практическая значимость;

  • характеристика основных разделов работы с выделением положитель- ных сторон и, обязательно, недостатков.
В заключении указывается, отвечает ли работа предъявляемым требова-ниям, какой оценки она заслуживает. Рецензия подписывается рецензентом суказанием его ученой степени, ученого звания, должности и места работы. Под-пись рецензента, если он не является сотрудником МИРЭА, должна быть заве-ренауполномоченнымпредставителемкадровойслужбыпоместуработырецен-зента.
    1. СРОКИ ЗАЩИТЫ ВКРБ

Дата защиты определяется приказом ректора Университета в соответствиисучебнымпланомтогонаправленияподготовки,
покоторомуобучаетсястудент.Обычный срок защиты выпускной квалификационной работы бакалавра в Фи-зико-технологическом институте– до 30 июня включительно. Предзащита про-ходитобычно за5-7днейдо защиты.

ПРИЛОЖЕНИЕ А

Примероформлениятитульноголиставыпускнойквалификационнойработыбакалавра




МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«МИРЭА Российский технологический университет»

РТУ МИРЭА

Физико-технологический институт

Кафедра микросистемной техники

РАБОТА ДОПУЩЕНА К ЗАЩИТЕ

Заведующий кафедрой

П.П. Мальцев

«»202г.
ВЫПУСКНАЯКВАЛИФИКАЦИОННАЯРАБОТАПонаправлениюподготовкибакалавров28.03.01–НанотехнологииимикросистемнаятехникаНа тему: ОСОБЕННОСТИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОС-НОВЕТОНКИХСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХПЛЕНОК

Обучающийся

подпись

Захаров Захар Захарович

Шифр

ЭНБ-001218







Группа

ЭНБО-01-18








Руководитель работы


подпись


к. ф.-м. н., доцент


Михайлова М.М.

Консультант по организационно- экономической части



подпись


к. э. н., ст. преподава- тель



Иванова И.И.


Рецензент


подпись

к.т.н., младший науч- ный сотрудник


Константинов К.К.

МОСКВА2022

ПРИЛОЖЕНИЕ Б

ПримерсоставлениярефератаВКРБРефератВыпускнаяквалификационнаяработа содержит52с.,17рис.,1табл.,32источника,2прил.Ключевыеслова:гетероструктуры,сегнетоэлектрики,фазовыепереходыАктуальность предлагаемого исследования обусловлена…Объектомисследованияявляются….Цельработы –…..С этой целью в результате выполнения работы проведены теоретическиерасчеты….изготовленыэкспериментальныеобразцы…предложенымодели,позволяющие…проведеныэкспериментальныеисследования…На основании полученных результатов разработан макет…вычислены па-раметры …Новизнаполученныхрезультатовзаключаетсяв…Результаты выпускной квалификационной работы работы могут быть ис-пользованыдля…Апробациярезультатовпроведенананаучно-техническихконферен-циях…научномсеминаре…*По результатам работы опубликовано … статей в российских и зарубеж-ных журналах, из них ….. статей в журналах, индексируемых Web of Science иScopus3.*Внедрениерезультатоввыпускнойквалификационнойработыпроведенов…*Порезультатамработыподаназаявканапатент…зарегистрированапро-граммадляЭВМ…поданазаявканаполезнуюмодель...*Результатыработынагражденыдипломомконференции…медальювы-ставки…премиейПравительстваРФ…*РаботавыполненанаоборудованииЦентраколлективногопользова-ния…Научно-образовательногоцентра…*Работавыполненаврамкахгранта…
3 Пункты, отмеченные звездочкой, не являются обязательными и приводятся только при наличии ука-занныхсведений.

ПРИЛОЖЕНИЕ В

ПримероформлениярисункавтекстеВКРБ***ТЕКСТ***БылиполученыэкспериментальныеданныепараметраВвзависимостиотпараметра Адлядвухобразцов.Результатыпредставленынарисунке2.5.(пустаястрока)Рисунок2.5–ЗависимостьпараметраВотпараметраАдляобразцов1и2.Сплошнаялиния–аппроксимация врамкахвыбранноймодели.(пустаястрока)***ТЕКСТ***Внимание! Всплывающее окно показано для примера выбора параметровразметки в MSWord.

ПРИЛОЖЕНИЕ Г

ПримероформленияспискаиспользованныхисточниковСписокиспользованныхисточников

  1. Ссылканакнигу, еслиавторовнеболеетрех:
Друкер П. Классические работы по менеджменту. – М.: Московская школауправления«Сколково»: АльпинаБизнесБукс,2008.-220с.Климов Г.А. Методы и средства испытаний изделий электрорадиоизделийнанадежность:Учебн.пособие:В2-хт. –М.:Техносфера,2004.

  1. Ссылканакнигу, если авторовболеетрех:
Проектирование электронных средств / Васильев К.Р. и др. – М.: Техно-сфера,2004. – 420с.

  1. Ссылканасправочноепособие,методическиематериалы:
Системыавтоматизированногопроектированиярадиоэлектронныхсредств:Справочное пособие конструктора / А.М. Павлов, К.П. Борисов и др.; под общ.ред.

П.Н. Савельева; Пресс. – 1992. – 820 с.


  1. Ссылканаматериалыконференции:
ДмитриеваТ.Г.,КитаевВ.В.,МирошниченкоА.А.Локальнаяатомнаяимаг-нитнаяструктурааморфныхсплавов//Международнаянаучно-техническаякон-ференция «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения»(INTERMATIC-2011)13– 17ноября2011г.Москва, с.45-49.

  1. Ссылканастатьюизжурнала:
МакароваН.С.Модельсистемыобеспеченияконкурентоспособностипред-приятия радиоэлектронного комплекса России в современных экономическихусловиях //НаучныйвестникМИРЭА.–2011. –№5.–с.18-24.LeiH.,WangH.Z.,RenY.,FangQ.,ZhengX.G.,WeiZ.C.,XuN.S.,JiangM.H.Temporal and spectral behaviors of two-photon induced emission laser dyes // Opt.Commun. – 2001. –v.187.– р.231–234.

  1. Ссылканаавторефератдиссертации:
КаневскийВ.Е.Системаобеспечениякачестваполупроводниковыхматери-алов для приборов квантовой и оптоэлектроники на основе CALS-технологий:Автореф.дис.…канд.техн.наук/ МИРЭА.– М.,2010. – 16с.

  1. Ссылканаинтернет-ресурс:
Лекция профессора Михаэля Гретцеля в МГУ. «Стремительный взлет пе-ровскитныхсолнечныхбатарей»,12апреля2016г.URL:http://www.nanome-ter.ru/2016/04/16/14608051177549_521554.html(датаобращения08.01.2018,17:00).Информационный бюллетень «ПерсТ – перспективные технологии»: элек-трон.журн.2017.т.24,вып.20/22.URLhttp://perst.issp.ras.ru/Control/In-form/perst/2017/17_21_22/index.htm(датаобращения08.01.2018,17:09).Kr-IonLaserMirror.Overview//[Интернет-сайткомпанииTHORLABS]URL:http://www.thorlabs.de/newgrouppage9.cfm?objectgroup_id=807