Файл: Метпроект1_110к2005.doc

Этот резистор ограничивает ток, протекающий через диоды VD9, VD10 от источника . Для уменьшения рассеиваемой мощности целесообразно ограничить ток через диоды на уровне, не превышающем 5мА. Тогда:

;

Мощность рассеиваемая на резисторе R10:

2.3.2.13.Расчет резистора R2.

Этот резистор предназначен для обеспечения глубокого насыщения VT3:

где - коэффициент насыщения;

- напряжение на базе насыщенного VT3.

Мощность, рассеиваемая на резисторе R2:

2.3.2.14.Выбор транзистора VT2

Ток коллектора в этом транзисторе достигает величины:

;

где - прямое падение напряжения на диоде VD1;

- падение напряжения на насыщенном транзисторе VT2.

Выбор транзистора должен быть проведен с учетом следующих неравенств:

2.3.2.15.Выбор диода VD1.

Этот диод должен быть инерционным, т.е. сравнительно низкочастотным, чтобы осуществить задержку включения VT7, VT8, при этом:

2.3.2.16. Расчет резистора R1.

где - напряжение на базе и коллекторе насыщенного VT2;

- прямое падение напряжения на диоде VD1.

Мощность, рассеиваемая на резисторе R1:

2.3.2.17.Расчет резистора R20.

Этот резистор обеспечивает неглубокую положительную обратную связь для повышения устойчивости схемы. Целесообразно принять:

тогда

Мощность, рассеиваемая этим резистором:

2.3.2.18.Выбор транзистора VT1

где - ток коллектора насыщения VT1;

- напряжение на коллекторе насыщенного транзистора VT1.

Приняв получим:

2.3.2.19.Расчет задержки выключения транзистора VT3.

где

- время рассасывания не основных носителей в цепи базы;

;

где - граничная частота усиления тока транзистора VT3;

- минимальный коэффициент передачи тока транзистора VT3;

- коэффициент насыщения при включении VT3;

- коэффициент насыщения при выключении VT3:

где ;

- напряжение на базе насыщенного транзистора VT3;

- объемное сопротивление базы VT3.

2.3.3.Расчет охладителей для силовых полупроводниковых приборов схемы РУМ

Для проектирования охладителей необходимо первоначально определить мощность, рассеиваемую силовым полупроводниковым прибором РУМ.

Мощность, рассеиваемая транзисторами VT6, VT8, VT10, VT11:

где

- коэффициент заполнения (максимальный) импульсов на выходе НО1, НО2 ;

- скважность реверса;

- напряжение между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора VT6;

- время включения транзистора VT6;

- время отключения VT6 (ориентировочно );

- частота следования импульсов на выходе ГПН;

- пусковой ток двигателя.

Мощность, рассеиваемая транзисторами VT4, VT9:

где - напряжение между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора VT4.

Мощность, рассеиваемая диодами VD7, VD8, VD11, VD12:

где - прямое падение напряжения на диоде VD7.

Исходные данные для расчета:

- тип транзистора;

- максимальная температура p-n перехода - , ;

- тепловое сопротивление переход корпус транзистора - , ;

- тепловое сопротивление корпус транзистора -охладитель (уточняется экспериментально).

- максимальная температура окружающей среды Т_с,;

- мощность, рассеиваемую транзистором по исходным данным ,:

1.1 Максимальная мощность, которую может рассеять транзистор с теплоотводом:

, .

1.2 Тепловое сопротивление охладителя по исходным данным:

, .

Здесь g = 0,9 - коэффициент, учитывающий неравномерность распределения температуры по охладителю.

1.3 Среднеповерхностная температура перегрева охладитель-среда:

, .

Минимальную протяженность ребра охладителя L (см.рис.2.3.3.1) определяем в соответствии с графиком на рис.2.3.3.2 при и тепловым сопротивлением, полученным в п.1.2.

Высоту ребра h (см. рис.2.3.3.1) рекомендуется принять в диапазоне от 20 до 40мм. Расстояние между ребрами должно задаваться из условия bA, где A-толщина пограничного слоя. Для естественной конвекции A=8…10мм.

Предварительно задаемся шириной охладителя l из расчета 10…15 мм на один Вт рассеиваемой мощности по исходным данным, толщиной плиты охладителя d=3…5мм и толщиной ребра =2…4мм. Далее определяем остальные размеры охладителя (n, b) и уточняем l (рис. 2.3.3.1):

 = 2…3 мм, , ,