Файл: Методические указания и задания к курсовому проектированию для студентов специальности Радиотехника Екатеринбург 2022 удк 621. 396.doc
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 06.11.2023
Просмотров: 445
Скачиваний: 2
| n | 1 | 2 | 3 | 4 |
| A0n B0n | 3,832 2,405 | 7,016 5,520 | 10,173 8,654 | 13,324 11,792 |
реализуемых стабильных непрерывных сигналов, отличаются низкой временной и температурной стабильностью, большой массой и габаритами.
Лучшими характеристиками обладают дискретные фазовращтели. Они управляются постоянными напряжениями не требующими высокой стабильности, позволяют выровнять потери при различных фазовых сдвигах, обеспечивают управление большими уровнями СВЧ мощности. Наибольшее применение находят схемы с использованием p-i-n диодов, которые при подаче управляющего напряжения скачком изменяют активную составляющую полного сопротивления в широких пределах; реактивная же составляющая мала и почти не меняется. Таким образом, диоды играют роль безинерционных электронных ключей.
Имеется большое число схемных решений дискретных фазовращателей на p-i-n диодах удобных для реализации определенных фазовых сдвигов.
Дискретные фазовращатели состоят из нескольких каскадов, каждый из которых при подаче управляющего напряжения измеряет фазу волны на величину Δψ=2π/m, где
Фазовращатели состоят из отрезков линий прередачи и электронных ключей на p-i-n диодах. В качестве линий передачи чаще всего используются волноводные или полосковые линии. Конструкции p-i-n диодов могут быть различными в зависимости от схемы включения (последовательные или параллельные ключи), типа линии передачи (волноводы, симметричные или несимметричные полосковые линии). Подробные сведения о них имеются в справочниках.
К наиболее часто применяемым дискретным фазовращателям относятся:
1
. Фазовращатель типа «периодически нагруженной линии».
Фазовый набег изменяется за счет включения в линию реактивности с помощью ключа. Реактивные нагрузки реализуются обычно в виде шлейфов, длина и волновое сопротивление которых выбираются из условия получения необходимой входной проводимости.
Расстояние между реактивностями, при указанном на рис. 4.4 способе включения ключей, выбирают равным l=λл/8, а входная проводимость шлейфов в замкнутом состоянии ключей и разомкнутом отвечала соотношению B
шл КЗ=-Вшл ХХ. ,где - волновое сопротивление линии шлейфа, а его длина. Величину фазового дискрета при этом можно рассчитать по формуле: (5.5)Подбирая и ρ/ρшл можно получить заданное значение .В фазовращателях такого типа трудно получить фазовые сдвиги больше π/4 из-за возрастания КСВ.2. Отражательные фазовращатели с развязывающими устройствами мостового типа.Н аиболее употребительными в таких фазовращателях являются квадратный мост на полосковых линиях и щелевой волноводный мост. ХХХХДополнительный фазовый сдвиг между входами 1 и 2 (см. рис. 5.5) определяется соотношением: . (5.6)Если в этой схеме используются короткозамкнутые отрезки, то они коммутируются параллельными ключами. Соотношение для расчета дискрета фазы, при этом, остается тем же.Фазовращатели с развязывающими устройствами мостового типа наиболее приемлемы для реализации близких к π/2.3 l1. Фазовращатели с переключением каналов. В
l2 приведенной схеме используются последовательные ключи. Возможны схемы и с параллельными ключами. Ф Рис. 5.6. ФВ с переключением каналовHHhhрррр
азовый дискрет определяется соотношением: (5.7)Подобные фазовращатели удобнее делать для >π/2. В этом случае разность плеч l2 и l1 будет удобнее реализовать.6 Варианты заданий и методические указания.Задания сгруппированы по 3 разделам, соответствующих типам антенных устройств. Номер варианта для студента определяется двумя последними цифрами номера зачетной книжки. В методических указаниях даны пояснения к выполнению отдельных пунктов работы.6.1 Плоская антенная решетка с дискретным фазированием.Исходные данные:
-
Частота f, ГГц; -
Ширина ДН по уровню половины мощности в градусах; -
Уровень боковых лепестков -δ дБ; -
Максимальный угол отклонения луча при сканировании в конусе θm, в градусах; -
Мощность передатчика в импульсе Р, кВт; -
Тип излучателя.
| № варианта | f, ГГц | Δθ0,5XZ | Δθ0,5YZ | - δ, дБ | θm | Р, кВт | Тип излучателя |
| 00 03 06 09 12 | 1,0 1,3 1,5 1,7 2,0 | 20 15 15 5 10 | 10 15 10 15 25 | 20 25 30 15 20 | 35 20 30 20 40 | 0,5 1,0 0,3 0,9 0,2 | Полосковый резонатор |
| № варианта | f, ГГц | Δθ0,5XZ | Δθ0,5YZ | - δ, дБ | θm | Р, кВт | Тип излучателя |
| 15 18 21 24 27 | 1,2 1,4 1,8 2,0 2,5 | 20 10 20 10 5 | 20 15 15 10 10 | 15 20 17 15 13 | 20 15 20 25 30 | 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 | Симметрич-ный вибратор |
| 30 33 36 39 42 | 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 | 6 8 10 7 5 | 6 4 12 15 5 | 25 21 20 20 23 | 25 40 30 30 20 | 2,0 2,0 5,0 3,0 3,0 | Спиральная антенна |
| 45 48 51 54 57 | 10,0 8,0 6,0 5,0 4,0 | 5 5 5 10 15 | 5 10 20 15 7 | 18 20 20 18 15 | 30 35 40 35 30 | 1,0 3,0 5,0 6,0 8,0 | Диэлектри-ческая антенна |
| 60 63 66 69 72 | 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 | 5 10 7 5 15 | 10 5 7 20 15 | 15 20 25 20 15 | 20 25 20 25 15 | 1,5 2,0 2,5 2,0 1,0 | Директорная антенна |
| 75 78 81 84 87 | 10,0 8,0 10,0 12,0 11,0 | 3 5 7 2 4 | 3 3 2 5 2 | 18 20 22 16 15 | 10 15 10 15 10 | 15 35 16 30 20 | Пирами- дальный рупор |
| 90 92 94 96 98 | 1,5 2,0 1,0 1,2 1,7 | 10 12 14 16 18 | 20 14 20 10 20 | 18 20 17 15 13 | 20 20 30 30 40 | 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 | Полосковый вибратор |
| 91 93 95 97 99 | 12,0 11,0 10,0 13,0 15,0 | 2 2 5 4 3 | 2 3 3 2 2 | 18 20 23 27 25 | 20 20 20 30 30 | 10,0 12,0 20,0 15,0 18,0 | Щелевая резонатор- ная антенна |
Выбрать и рассчитать:
-
Параметры одиночного излучателя; -
Количество элементов и шаг решетки; -
Распределение возбуждения по элементам решетки; -
Схему питания и фазирования решетки, дискрет фазирования; -
Параметры линии передачи; -
Схему фазовращателя, тип диодов, основные конструктивные размеры фазовращателя;
-
Топологию или конструкцию фазовращателя с установленными диодами; -
Ячейку решетки с излучателем и фазовращателем.
-
Параметры одиночного излучателя нужно выбирать таким образом, чтобы ширина его диаграммы направленности по уровню -3 дБ превышала максимальный угол отклонения луча θmº; -
Шаг решетки (расстояние между соседними излучателями) выбирается с таким расчетом, чтобы побочный главный максимум решетки не выходил в главный лепесток одиночного излучателя при максимально отклоненном луче:
-
Исходя из заданного уровня боковых лепестков, можно, пользуясь табл. 3.1, выбрать закон распределения возбуждения (тока) по элементам решетки и размеры решетки, а следовательно, и количество элементов в строке или столбце. Следует отметить, что данные табл. 3.1 приведены для расрыва с непрерывным возбуждением. Однако антенная решетка (дискретно возбужденный раскрыв) обладает такими же свойствами в отношении ширины луча и уровня боковых лепестков, если межэлементные расстояния выбраны в соответствии с формулой (6.1); -
Схема питания должна включать в себя систему делителей мощности, обеспечивающих выбранное амплитудное распределение вдоль строк и столбцов. Если используются простейшие двоичные делители (см. раздел 5.2), то число элементов в строке или столбце должно составлять целую степень числа 2. -
Дискрет фазирования выбирается исходя из минимума каскадов фазовращателя и с учетом допустимого ухудшения направленных свойств решетки. На определение Δψ влияют три основных фактора [3]: