1.

Проводниковые материалы в зависимости от величины удельного сопротивления и применения подразделяют на следующие группы:

• 
  металлы и сплавы высокой проводимости;
  
• 
  сплавы с повышенным и высоким удельным сопротивлением;
  
• 
  жаростойкие проводящие материалы;
  
• 
  криопроводники;
  
• 
  сверхпроводники;
  
• 
  материалы для контактов;
  
• 
  припои.
  

2.

Удельное электрическое сопротивление (удельное сопротивление) — физическая величина, характеризующая способность материала препятствовать прохождению электрического тока, выражается в Ом·метр. Удельное электрическое сопротивление принято обозначать греческой буквой ρ. Значение удельного сопротивления зависит от температуры в различных материалах по-разному: в проводниках, удельное электрическое сопротивление с повышением температуры возрастает, а в полупроводниках и диэлектриках — наоборот, уменьшается.

3.

Под удельным сопротивлением проводника понимают его сопротивление при длине, равной 1 метру, и площади поперечного сечения 1мм2.

Значение удельного сопротивления проводника применяется при расчете электрического сопротивления проводника, которое находится по формуле: R=p (l/S), где:
R- сопротивление, Ом ;
p- удельное сопротивление,
Ом*мм І /м;
l-длина проводника, метров;
S - площадь поперечного сечения проводника, мм І .

4.

Единица измерения удельного сопротивления в Международной системе единиц (СИ) — Ом·м; также измеряется в Ом·см и Ом·мм²/м

5.

Механические свойства проводниковых материалов (твердость, прочность, пластичность и ударная вязкость).

Механические свойства - это комплекс свойств, отражающих способность материала противодействовать деформации под действием приложенных сил.

6.

Мягкая отожженная медь служит электротехническим стандартом.

7.

Металлы с высокой проводимостью используются для изготовления проводов, кабелей, обмоток трансформаторов, волноводов, анодов мощных генераторных ламп и т. д.

---

8.

Полупроводники используются при создании транзисторов, термисторов, светодиодов, фотоэлементов, интегральных схем.

9.

Полупроводниковый диод — самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного PN перехода

10.

Основными электрофизическими характеристиками полупроводниковых материалов являются: ширина запрещенной зоны, подвижность, удельное сопротивление, время жизни, температура плавления, энергия ионизации примесей, начало собственной проводимости.

11.

К органическим диэлектрикам относятся материалы, в составе которых находится углерод.

12.

Пленочные электроизоляционные материалы представляют собой гибкие пленки и ленты, получаемые из синтетических высокополимерных диэлектриков: полистирола, полиэтилена, фторопласта-4 и др.

13.

Керамика, стекла, ситаллы широко используются в качестве материалов электротехнического назначения

14.

Подложка для гибридных ИМС должна обладать хорошими диэлектрическими, механическими и температурными свойствами, т.е. подложка должна иметь малый температурный коэффициент линейного расширения, высокую механическую прочность, большое удельное сопротивление.

15.

К недостаткам пластиковой защиты МС следует отнести:

Невысокие влагозащитные свойства, обусловленные гигроскопичностью (способностью поглощения молекул воды), которая вызывает растрескивание корпуса при сжатии-расширении накопившейся в микропорах воды;

Ненадёжностью соединения пластмассы с металлом (контакты и дорожки), которая вызвана значительной разницей коэффициентов теплового расширения (КТР) этих материалов;

Недостаточно хороший теплоотвод (на порядок меньше, чем у керамических и металлических корпусов).

Керамические корпуса

Повышенная устойчивость к воздействию внешних факторов: влаге (отсутствие гигроскопичности), химическим реактивам;

Широкий диапазон рабочих температур — от -45 до +85°С;

Высокие диэлектрические параметры;

Эффективный отвод тепла;

Способность сохранять стабильные размеры;

Прочность по отношению к механическому воздействию;

Радиационная стойкость;

Значение КТР керамики почти идентично с КТР кремния (Si).

16.

Основными технологическими процессами, применяемыми при изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем, являются оксидирование, фотолитография, диффузия, эпитаксия, ионное легирование.

---

17.

По конструктивно-технологическому признаку ИМС разделены на три группы: полупроводниковые, гибридные и прочие

18.

Подложка ИМС (подложка) – заготовка, предназначенная для нанесения на неё элементов гибридных и пленочных интегральных микросхем, межэлементных и межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

19.

---

Смотрите также файлы

• 1 Теоретические основы воспитания и обучения детей Задание 1.docx

• Реферат на тему "Вино".pdf

• Взаимодействие колледжа с работодателями как условие качественной подготовки выпускников.docx

• Учет основных средств.rtf

• Виды и методы технического контроля качества продукции пао Среднеуральский медеплавильный завод.docx