Файл: Отчет по лабораторной работе 3 Исследование биполярного транзистора.docx
Добавлен: 22.11.2023
Просмотров: 169
Скачиваний: 4
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Министерство образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина»
Кафедра «Электроники и микропроцессорных систем»
Отчет по лабораторной работе №3
«Исследование биполярного транзистора»
Выполнили: студентки гр. 2-24хx
Корнилова Е.А.
Корнеева Т.А.
Фомичева В.В.
Капанина-Гамина А.О.
Проверил: Тарасов С.В.
Иваново 2022
Источник–15 В0…+15 В
Рис. 3.3. Схема для снятия входных характеристик транзистора с ОБ Источник–15 В0…+15 В
Источник 15 В
Рис. 3.4. Схема для снятия входных характеристик с параметрами рези-сторов R1 = 10 кОм, R2 = 50 кОм, R3 = 100 Ом и диапазоном измеренияPV2 –
Источник–15 В0…+15 В
Источник 15 В
Рис.3.5.Схемадляснятиявходныххарактеристикспараметрамирезисторов R1 = 1 кОм, R2 = 1 кОм, R3 = 100 Ом и диапазономизмеренияPV2 –20В
| Iэ, мА | 0 | 0.01 | 0.05 | 0.1 | 0.5 | 1 | 5 | 10 |
| Uэб, B (0В) | 0,18 | 0,48 | 0,56 | 0,60 | 0,66 | 0,58 | 0,71 | 0,75 |
| Uэб, B (10 В) | 0,28 | 0,45 | 0,51 | 0,54 | 0,63 | 0,65 | 0,73 | 0,75 |
-
Источник 15 В
Для снятия выходных характеристик исследуйте тран- зистор КТ502, схема включения с ОБ которого представлена на рис. 3.6.
Рис. 3.6. Схема для снятия выходных характеристик транзистора с ОБ Таблица 3.4. РезультатыизмеренийдляпостроениязависимостиIк=f(Uкб)приIэ= 0,1 мА
| Uкб, В | -0,7 | -0,6 | -0,5 | -0,3 | -0,1 | 0 | 1 | 3 | 5 |
| Iк, мА | 0,54 | 1,66 | 4,93 | 4,96 | 4,96 | 4,96 | 4,96 | 4,96 | 4,97 |
-
Снимите выходную характеристику транзистора Iк = f(Uкб) при Iэ = 5 мА. Для этого измените номиналы резисто- ров R1 и R2 согласно схеме, представленной на рис. 3.9.
Источник–15 В0…+15 В
Рис. 3.9. Схема для снятия выходных характеристик транзистора с номиналами R1 = 1 к и R2 = 1 к Таблица 3.7. РезультатыизмеренийдляпостроениязависимостиIк=f(Uкб)приIэ=5мА
| Uкб, В | -0,7 | -0,6 | -0,5 | -0,3 | -0,1 | 0 | 1 | 3 | 5 |
| Iк, мА | 2,74 | 5,0 | 5.27 | 5.28 | 5.28 | 5.29 | 5.3 | 5.31 | 5.33 |