Файл: Отчет по лабораторной работе 3 Исследование биполярного транзистора.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Отчет по практике

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 22.11.2023

Просмотров: 170

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Министерство образования Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина»

Кафедра «Электроники и микропроцессорных систем»

Отчет по лабораторной работе №3

«Исследование биполярного транзистора»
Выполнили: студентки гр. 2-24хx
Корнилова Е.А.

Корнеева Т.А.

Фомичева В.В.

Капанина-Гамина А.О.

Проверил: Тарасов С.В.
Иваново 2022

Целью работы является ознакомление с принципом дей-ствия биполярного транзистора, снятие и анализ входных и вы-ходныххарактеристик биполярноготранзистора, включенногопосхемес общей базой (ОБ) и с общимэмиттером(ОЭ).Схема для снятия входных характеристик исследуйте тран-зистор КТ502, схема включения с ОБ которого представлена нарис. 3.3. Источник 15 В
Источник–15 В0…+15 В
Рис. 3.3. Схема для снятия входных характеристик транзистора с ОБ Источник–15 В0…+15 В
Источник 15 В
Рис. 3.4. Схема для снятия входных характеристик с параметрами рези-сторов R1 = 10 кОм, R2 = 50 кОм, R3 = 100 Ом и диапазоном измеренияPV2 –
Источник–15 В0…+15 В
Источник 15 В
Рис.3.5.Схемадляснятиявходныххарактеристикспараметрамирезисторов R1 = 1 кОм, R2 = 1 кОм, R3 = 100 Ом и диапазономизмеренияPV2 –20В

Iэ, мА


0

0.01

0.05

0.1

0.5

1

5

10

Uэб, B (0В)

0,18

0,48

0,56

0,60

0,66

0,58

0,71

0,75

Uэб, B (10 В)

0,28

0,45

0,51

0,54

0,63

0,65

0,73

0,75
Таблица 3.1. РезультатыизмеренийдляпостроениязависимостиIэ=f(Uэб)К пункту3


    1. Источник 15 В
      Для снятия выходных характеристик исследуйте тран- зистор КТ502, схема включения с ОБ которого представлена на рис. 3.6.
Источник–15 В0…+15 В
Рис. 3.6. Схема для снятия выходных характеристик транзистора с ОБ Таблица 3.4. РезультатыизмеренийдляпостроениязависимостиIк=f(Uкб)приIэ= 0,1 мА

Uкб, В

-0,7

-0,6

-0,5

-0,3

-0,1

0

1

3

5

Iк, мА

0,54

1,66

4,93

4,96

4,96

4,96

4,96

4,96

4,97


    1. Снимите выходную характеристику транзистора Iк = f(Uкб) при Iэ = 5 мА. Для этого измените номиналы резисто- ров R1 и R2 согласно схеме, представленной на рис. 3.9.
Источник 15 В
Источник–15 В0…+15 В
Рис. 3.9. Схема для снятия выходных характеристик транзистора с номиналами R1 = 1 к и R2 = 1 к Таблица 3.7. РезультатыизмеренийдляпостроениязависимостиIк=f(Uкб)приIэ=5мА

Uкб, В

-0,7

-0,6

-0,5

-0,3

-0,1

0

1

3

5

Iк, мА

2,74

5,0

5.27

5.28

5.28

5.29

5.3

5.31

5.33