Файл: Отчет по лабораторной работе 3 Исследование биполярного транзистора.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Отчет по практике

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 22.11.2023

Просмотров: 76

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Министерство образования Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина»

Кафедра «Электроники и микропроцессорных систем»

Отчет по лабораторной работе №3

«Исследование биполярного транзистора»
Выполнили: студентки гр. 2-24хx
Корнилова Е.А.

Корнеева Т.А.

Фомичева В.В.

Капанина-Гамина А.О.

Проверил: Тарасов С.В.
Иваново 2022


Целью работы является ознакомление с принципом дей- ствия биполярного транзистора, снятие и анализ входных и вы- ходных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой (ОБ) и с общим эмиттером (ОЭ).

Схема для снятия входных характеристик исследуйте тран- зистор КТ502, схема включения с ОБ которого представлена на рис. 3.3.



Источник 15 В

Источник

–15 В0…+15 В
Рис. 3.3. Схема для снятия входных характеристик транзистора с ОБ




Источник

–15 В0…+15 В

Источник 15 В



Рис. 3.4. Схема для снятия входных характеристик с параметрами рези- сторов R1 = 10 кОм, R2 = 50 кОм, R3 = 100 Ом и диапазоном измерения PV2 –






Источник

–15 В0…+15 В

Источник 15 В


Рис. 3.5. Схема для снятия входных характеристик с параметрами резисторов R1 = 1 кОм, R2 = 1 кОм, R3 = 100 Ом и диапазоном измерения PV2 – 20 В


Iэ, мА


0

0.01

0.05

0.1

0.5

1

5

10

Uэб, B (0В)

0,18

0,48

0,56

0,60

0,66

0,58

0,71

0,75

Uэб, B (10 В)

0,28

0,45

0,51

0,54

0,63

0,65

0,73

0,75

Таблица 3.1. Результаты измерений для построения зависимости Iэ = f(Uэб)

К пункту3


    1. Источник 15 В
      Для снятия выходных характеристик исследуйте тран- зистор КТ502, схема включения с ОБ которого представлена на рис. 3.6.




Источник

–15 В0…+15 В
Рис. 3.6. Схема для снятия выходных характеристик транзистора с ОБ

Таблица 3.4. Результаты измерений для построения зависимости Iк = f(Uкб) при Iэ = 0,1 мА

Uкб, В

-0,7

-0,6

-0,5

-0,3

-0,1

0

1

3

5

Iк, мА

0,54

1,66

4,93

4,96

4,96

4,96

4,96

4,96

4,97




    1. Снимите выходную характеристику транзистора Iк = f(Uкб) при Iэ = 5 мА. Для этого измените номиналы резисто- ров R1 и R2 согласно схеме, представленной на рис. 3.9.



Источник 15 В

Источник

–15 В0…+15 В
Рис. 3.9. Схема для снятия выходных характеристик транзистора с номиналами R1 = 1 к и R2 = 1 к
Таблица 3.7. Результаты измерений для построения зависимости Iк = f(Uкб) при Iэ = 5 мА

Uкб, В

-0,7

-0,6

-0,5

-0,3

-0,1

0

1

3

5

Iк, мА

2,74

5,0

5.27

5.28

5.28

5.29

5.3

5.31

5.33