Файл: Отчет по лабораторной работе 2 Исследование характеристик и параметров полупроводникового.docx
Добавлен: 22.11.2023
Просмотров: 85
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Федеральное государственное образовательноеБюджетноеучреждениевысшегопрофессиональногообразования«Сибирский государственный университет телекоммуникаций иинформатики»
0.017∗647∗1.6????0=6.6∗3∗0.82∗60∗10−2 =0.00036 Рисунок3–Вольтампернаяхарактеристикалазерногодиода Рисунок4–Ватт-ампернаяхарактеристикалазерногодиодаПо рисунку 4 можно определить Iпор, значение тока при котором Iфдотлично от нуля. Iпор=28 мА.Рисунок5–Энергетическаяхарактеристиказависимостиηe=f(Iлд) Рисунок6–Энергетическаяхарактеристиказависимостиη0=f(Iл)
Кафедра Технической электроники
ОТЧЕТПо лабораторной работе № 2
ИсследованиехарактеристикипараметровполупроводниковоголазераПо дисциплине: Квантоваяиоптическаяэлектроника
Выполнил:Группа:АБ-016Дата выполнения работы
27февраля2023Проверил:Оценка:Дата защиты:
Новосибирск,2023гЦель работы:
Изучить методики измерения основных параметров и характеристикполупроводникового лазера. Экспериментальное исследованиеосновных характеристикипараметровполупроводниковоголазера.Ход работы:
Таблица1-Своднаятаблицаизмеренныхирасчетныхвеличин| Измеренные | Рассчитанные | |||||
| Iлд [мА] | Uлд [В] | Iфд [мкА] | PЛД.потр. [мВт] | PЛД.изл. [мВт] | ηe [%] | η0 |
| 0 | 0 | - | 0 | - | - | - |
| 0.1 | 0.03 | - | 0.003 | - | - | - |
| 1 | 0.05 | - | 0.05 | - | - | - |
| 2 | 0.1 | - | 0.2 | - | - | - |
| 5 | 0.25 | - | 1.25 | - | - | - |
| 10 | 0.35 | - | 3.5 | - | - | - |
| 16 | 0.52 | - | 8.32 | - | - | - |
| 25 | 0.63 | - | 15.75 | - | - | - |
| 30 | 0.82 | 1 | 24.6 | 0.017 | 0.069 | 0.00036 |
| 43 | 1 | 6 | 40 | 0.102 | 0.255 | 0.0016 |
| 50 | 1.2 | 23 | 60 | 0.391 | 0.652 | 0.00499 |
0.017∗647∗1.6????0=6.6∗3∗0.82∗60∗10−2 =0.00036 Рисунок3–Вольтампернаяхарактеристикалазерногодиода Рисунок4–Ватт-ампернаяхарактеристикалазерногодиодаПо рисунку 4 можно определить Iпор, значение тока при котором Iфдотлично от нуля. Iпор=28 мА.Рисунок5–Энергетическаяхарактеристиказависимостиηe=f(Iлд) Рисунок6–Энергетическаяхарактеристиказависимостиη0=f(Iл)
Вывод:
В данной лабораторной работе были изучены методики измеренияосновныхпараметровихарактеристикполупроводниковоголазера, рассчитаныипостроеныграфикиВАХизависимостихарактеристиклазерного диодаоттока лазерного диода.