Файл: Анализ ТехникоЭкономической эффективности внедрения наноэлектронных изделий.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.11.2023

Просмотров: 262

Скачиваний: 20

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.


Данные объема изделий на основе БИС рассчитываются по формуле:


Таблица 4.1 – Данные показателей объема

НЭ изделие,



Изделие на ЭВП,



Изделие на транзисторах,


Изделие на БИС,

2,110-7

635

33

9


Таблица 4.2 – Выигрыш по занимаемому объему

, раз

, раз

, раз

3,1109

1,6108

4,2107


5. Определение выигрыша в массе

Данные массы наноэлектронного изделия указаны в таблице 2,5.

Данные массы изделий на основе ЭВП и транзисторов рассчитываются по формулам:





Значения и приведены в таблице 2.2 и таблице 2.3, соответственно.

Данные массы изделия на основе БИС рассчитываются по формуле:



Значения приведены в таблице 2.4.

Определим массы изделий.







Таблица 5.1 – Данные массы

НЭ изделие,



Изделие на ЭВП,



Изделие на транзисторах,


Изделие на БИС,

0,0215

1605000

321000

642


Таблица 5.2 – Выигрыш в массе

, раз

, раз

, раз

75106

14106

2,9104


6. Определение выигрыша по потребляемой мощности

Потребляемая мощность наноэлектронного изделия указана в таблице 2.5.

Потребляемая мощность изделия на основе ЭВП рассчитывается по формуле:



где – средний выходной ток, потребляемый ЭВП, А;

– напряжение питания ЭВП, В;

– ток канала ЭВП, А;

- напряжение канала ЭВП, В.

Значения параметров для ЭВП приведены в Таблице 2.2.

Потребляемая мощность изделия на основе транзисторов рассчитывается по формуле:



где – средний ток, потребляемый транзистором, А;

– напряжение питания, В;

Потребляемая мощность изделия на основе БИС рассчитывается по формуле:





где – средний потребляемый ток одной БИС, А;

– напряжение питания, В;

Потребляемые мощности изделий:






Таблица 6.1 – Данные потребляемой мощности

НЭ изделие,



Изделие на ЭВП,



Изделие на транзисторах,


Изделие на БИС,

95

343106

96106

0,03106


Таблица 6.2 – Выигрыш в потребляемой мощности

, раз

, раз

, раз

3,6106

1,01106

315


7. Определение выигрыша в стоимости

Стоимость изделий указана в таблицах исходных данных.

Расчет общей стоимости готового изделия на ЭВП, транзисторах и БИС эквивалентные наноизделию производятся по формулам:

Для ЭВП

Для транзисторов

Для БИС

В расчетах затраты на изготовление изделий (материалы, сборка и др.) учитываются коэффициентами:
.

– количество ЭВП, транзисторов, БИС для реализации наноэлектронного изделия с аналогичными функциями.

Общие стоимости:






Таблица 7.1 Данные стоимости

НЭ изделие,



Изделие на ЭВП,



Изделие на транзисторах,


Изделие на БИС,

8257

8,91010

1,31010

5,5106


Таблица 7.2 Выигрыш в стоимости

, раз

, раз

, раз

10106

1,5106

666


Выводы

Выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 318106 раз, транзисторах – 127106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 47103 раз.

Выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 318106 раз, транзисторах – 127106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 47103 раз.


Выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных
приборах – 75106 раз, транзисторах – 14106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 2,9104 раз.

Выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 3,6106 раз, транзисторах – 1,01106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 315 раз.

Выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных
приборах – 10106 раз, транзисторах – 1,5106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 666 раз.