Данные объема изделий на основе БИС рассчитываются по формуле:


Таблица 4.1 – Данные показателей объема

НЭ изделие,	Изделие на ЭВП,	Изделие на транзисторах,	Изделие на БИС,
2,110-7	635	33	9

Таблица 4.2 – Выигрыш по занимаемому объему

, раз	, раз	, раз
3,1109	1,6108	4,2107

5. Определение выигрыша в массе

Данные массы наноэлектронного изделия указаны в таблице 2,5.

Данные массы изделий на основе ЭВП и транзисторов рассчитываются по формулам:





Значения и приведены в таблице 2.2 и таблице 2.3, соответственно.

Данные массы изделия на основе БИС рассчитываются по формуле:



Значения приведены в таблице 2.4.

Определим массы изделий.

---

Таблица 5.1 – Данные массы

НЭ изделие,	Изделие на ЭВП,	Изделие на транзисторах,	Изделие на БИС,
0,0215	1605000	321000	642

Таблица 5.2 – Выигрыш в массе

, раз	, раз	, раз
75106	14106	2,9104

6. Определение выигрыша по потребляемой мощности

Потребляемая мощность наноэлектронного изделия указана в таблице 2.5.

Потребляемая мощность изделия на основе ЭВП рассчитывается по формуле:



где – средний выходной ток, потребляемый ЭВП, А;

– напряжение питания ЭВП, В;

– ток канала ЭВП, А;

- напряжение канала ЭВП, В.

Значения параметров для ЭВП приведены в Таблице 2.2.

Потребляемая мощность изделия на основе транзисторов рассчитывается по формуле:



где – средний ток, потребляемый транзистором, А;

– напряжение питания, В;

Потребляемая мощность изделия на основе БИС рассчитывается по формуле:

---

где – средний потребляемый ток одной БИС, А;

– напряжение питания, В;

Потребляемые мощности изделий:






Таблица 6.1 – Данные потребляемой мощности

НЭ изделие,	Изделие на ЭВП,	Изделие на транзисторах,	Изделие на БИС,
95	343106	96106	0,03106

Таблица 6.2 – Выигрыш в потребляемой мощности

, раз	, раз	, раз
3,6106	1,01106	315

7. Определение выигрыша в стоимости

Стоимость изделий указана в таблицах исходных данных.

Расчет общей стоимости готового изделия на ЭВП, транзисторах и БИС эквивалентные наноизделию производятся по формулам:

Для ЭВП

Для транзисторов

Для БИС

В расчетах затраты на изготовление изделий (материалы, сборка и др.) учитываются коэффициентами:

---

.

– количество ЭВП, транзисторов, БИС для реализации наноэлектронного изделия с аналогичными функциями.

Общие стоимости:






Таблица 7.1 Данные стоимости

НЭ изделие,	Изделие на ЭВП,	Изделие на транзисторах,	Изделие на БИС,
8257	8,91010	1,31010	5,5106

Таблица 7.2 Выигрыш в стоимости

, раз	, раз	, раз
10106	1,5106	666

Выводы

Выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 31810⁶ раз, транзисторах – 12710⁶ раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 4710³ раз.

Выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 31810⁶ раз, транзисторах – 12710⁶ раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 4710³ раз.

---

Выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных
приборах – 7510⁶ раз, транзисторах – 1410⁶ раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 2,910⁴ раз.

Выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 3,610⁶ раз, транзисторах – 1,0110⁶ раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 315 раз.

Выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных
приборах – 1010⁶ раз, транзисторах – 1,510⁶ раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 666 раз.

---

Смотрите также файлы

• Напряженность, электрическое смещение, поляризация для каждого слоя конденсатора.docx

• Прогноз погоды в регионе.docx

• Спецификация итоговой аттестации.pdf

• Явление электромагнитной индукции.doc

• .docx