Файл: Анализ ТехникоЭкономической эффективности внедрения наноэлектронных изделий.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.11.2023
Просмотров: 262
Скачиваний: 20
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Данные объема изделий на основе БИС рассчитываются по формуле:
Таблица 4.1 – Данные показателей объема
НЭ изделие, | Изделие на ЭВП, | Изделие на транзисторах, | Изделие на БИС, |
2,110-7 | 635 | 33 | 9 |
Таблица 4.2 – Выигрыш по занимаемому объему
, раз | , раз | , раз |
3,1109 | 1,6108 | 4,2107 |
5. Определение выигрыша в массе
Данные массы наноэлектронного изделия указаны в таблице 2,5.
Данные массы изделий на основе ЭВП и транзисторов рассчитываются по формулам:
Значения и приведены в таблице 2.2 и таблице 2.3, соответственно.
Данные массы изделия на основе БИС рассчитываются по формуле:
Значения приведены в таблице 2.4.
Определим массы изделий.
Таблица 5.1 – Данные массы
НЭ изделие, | Изделие на ЭВП, | Изделие на транзисторах, | Изделие на БИС, |
0,0215 | 1605000 | 321000 | 642 |
Таблица 5.2 – Выигрыш в массе
, раз | , раз | , раз |
75106 | 14106 | 2,9104 |
6. Определение выигрыша по потребляемой мощности
Потребляемая мощность наноэлектронного изделия указана в таблице 2.5.
Потребляемая мощность изделия на основе ЭВП рассчитывается по формуле:
где – средний выходной ток, потребляемый ЭВП, А;
– напряжение питания ЭВП, В;
– ток канала ЭВП, А;
- напряжение канала ЭВП, В.
Значения параметров для ЭВП приведены в Таблице 2.2.
Потребляемая мощность изделия на основе транзисторов рассчитывается по формуле:
где – средний ток, потребляемый транзистором, А;
– напряжение питания, В;
Потребляемая мощность изделия на основе БИС рассчитывается по формуле:
где – средний потребляемый ток одной БИС, А;
– напряжение питания, В;
Потребляемые мощности изделий:
Таблица 6.1 – Данные потребляемой мощности
НЭ изделие, | Изделие на ЭВП, | Изделие на транзисторах, | Изделие на БИС, |
95 | 343106 | 96106 | 0,03106 |
Таблица 6.2 – Выигрыш в потребляемой мощности
, раз | , раз | , раз |
3,6106 | 1,01106 | 315 |
7. Определение выигрыша в стоимости
Стоимость изделий указана в таблицах исходных данных.
Расчет общей стоимости готового изделия на ЭВП, транзисторах и БИС эквивалентные наноизделию производятся по формулам:
Для ЭВП
Для транзисторов
Для БИС
В расчетах затраты на изготовление изделий (материалы, сборка и др.) учитываются коэффициентами:
.
– количество ЭВП, транзисторов, БИС для реализации наноэлектронного изделия с аналогичными функциями.
Общие стоимости:
Таблица 7.1 Данные стоимости
НЭ изделие, | Изделие на ЭВП, | Изделие на транзисторах, | Изделие на БИС, |
8257 | 8,91010 | 1,31010 | 5,5106 |
Таблица 7.2 Выигрыш в стоимости
, раз | , раз | , раз |
10106 | 1,5106 | 666 |
Выводы
Выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 318106 раз, транзисторах – 127106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 47103 раз.
Выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 318106 раз, транзисторах – 127106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 47103 раз.
Выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных
приборах – 75106 раз, транзисторах – 14106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 2,9104 раз.
Выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах – 3,6106 раз, транзисторах – 1,01106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 315 раз.
Выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных
приборах – 10106 раз, транзисторах – 1,5106 раз, интегральных схемах большой степени интеграции – 666 раз.