Файл: Отчет по дисциплине Схемо и системотехника электронных систем Выполнили студенты гр. Бит201 Тобиас Д. В. Гребнев А. А.pdf

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ
ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное автономного образовательное учреждение высшего образования
«Омский государственный технический университет»
Радиотехнический факультет
ОТЧЕТ
По дисциплине
«Схемо- и системотехника электронных систем»
Выполнили студенты гр. БИТ-201:
Тобиас Д.В.
Гребнев А.А.
Проверил преподаватель:
Ляшук А.Н.
2022 г., Омск

Лабораторная работа № 1
Цель:
Исследовать ВАХ и определить h-параметры биполярного транзистора
BFP650
Ход работы:
Ознакомимся со спецификацией транзистора BFP650
Заголовок спецификации транзистора BFP650
Выделим из спецификации нужные нам значения

Электрические характеристики транзистора
Составим схему при участии нашего транзистора для определения выходных h-параметров
Схема

Выходная ВАХ биполярного транзистора BFP650
На графике изображена зависимость силы тока на коллекторе от напряжения коллектор-эмиттера.
Выходная ВАХ и расчет h22

h22 – дифференциальный коэф. передачи тока
Найдем h22-параметр с помощью формулы, при Iб=const.
ℎ
22
= ????
К
????
КЭ
⁄
h22 = 1.004e-4 / 2 = 1.004 * 10^(-4) / 2 = 0,502 * 10^(-4)
Выходная ВАХ и расчет h21
h21 - дифференциальный коэф. обратной связи
Найдем h21-параметр по формуле:
ℎ
21
= ????
к
????
б
⁄ h21 = 0.008 / 2.900e-5 = 275
Преобразуем цепь для нахождения параметра h11

Схема
Входная ВАХ и расчет h11
h11 - входное сопротивление биполярного транзистора

Найдем h11-параметр по формуле:
ℎ
11
= ∆????
бэ
∆????
б
⁄
h11 = 0.02 / 2.021e-5 = 990 Ом
Вывод:
В данной лабораторной работе мы собрали схему с участием биполярного транзистора BFP650
Нашли h-параметры транзистора, построили вольтамперные характеристики.

Лабораторная работа № 2
Цель:
Составить 4 схемы с биполярным транзистором, установить рабочие точки биполярного транзистора для каждой их схем.
Ход работы:
Имеются 4 схемы:
Схемы
Требуется произвести расчет по постоянному току данных схем (для каждой из схем взят транзистор BFP650).
В спецификации для данного транзистора возьмем информацию:

Коэффициент усиления по постоянному току h fe
= 170

При токе I
c
= 5 mA

Схема #1: (после подстройки)
Найдем ток базы I
b как результат отношения тока коллектора к коэффициенту усиления по постоянному току. Ток базы I
b
= 30 мкА
Падения напряжения на база-эмиттер 0.7 В
Напряжение между коллектором и эмиттером = 5 В
Ток делителя больше тока базы примерно в 10 раз поэтому, ток делителя I
del
=
300 мкА
Рассчитаем значения резисторов:
R1 равно отношению падения напряжения от источника питания до коллектора 10 В – 5 В = 5 В (V
dc
- V
ce
) и тока протекающего через R1 равный
I
c
= 5 мА
R2 равно отношению падения напряжения от источника питания до базы 10 В
– 0,7 В = 9,3 В (V
dc
– V
be
) и тока делителя равный I
del
= 300 мкА
R3 равно отношению падения напряжения на база-эмиттер 0,7 В и тока делителя равный I
del
= 300 мкА
После мы подставляем рассчитанные значения резисторов и «калибруем» значение R2 до тех пор, пока не добьёмся тока, протекающего через эмиттер, равного ≈5 мА.
Аналогично проводим действия для других схем.

Схема #2: (после подстройки)
Схема #3: (после подстройки)

Схема #4: (после подстройки)
Вывод:
В данной лабораторной работе мы составили 4 схемы биполярного транзистора, установили рабочие точки биполярного транзистора для каждой их схем. Произвели расчет 4 схем по постоянному току.

Лабораторная работа № 3
Цель:
Изучить транзисторный усилитель и научиться работать с ним.
Ход работы:
Используем данный стенд для сборки схемы с общим эмиттером:
Схема стенда "Транзисторный усилитель" с общим эмиттером
(S1-2; S2-1; S3-4; S4-1;
S5-1; S6-1;)
Постоянные значения:

Uк = 7,526

Uб = 1,962

Uэ = 1,292
К стенду с транзисторным усилителем подключим осциллограф. Начнем отслеживать изменения осциллограммы U
g и U
k одновременно будем снимать показания U
g и U
k
, для постройки графиков.

Зависимость U
k
от U
g
График зависимости U
k
от U
g

Отследим зависимость U
k от частоты
№
Uk, B
f
1 0,294 10 2
0,549 20 3
0,96 40 4
1,32 80 5
1,42 100 6
1,57 200 7
1,6 400 8
1,54 800 9
1,53 1000 10 1,3 2000 11 0,91 4000 12 0,529 8000 13 0,408 10000 14 0,342 12000 15 0,308 14000 16 0,236 18000
Зависимость U
k
от f
АЧХ при общем эмиттере

Используем данный стенд для сборки схемы с общей базой:
Схема стенда "Транзисторный усилитель" с общей базой
(S1-5; S2-1; S3-4; S4-1;
S5-5; S6-1;)
К стенду с транзисторным усилителем подключим осциллограф. Начнем отслеживать изменения осциллограммы U
g и U
k одновременно будем снимать показания U
g и U
k
, для постройки графиков.

№
Uг
Uk, B
1 0,014 0,345 2
0,027 0,68 3
0,041 1
4 0,055 1,34 5
0,068 1,66 6
0,082 1,97 7
0,095 2,28 8
0,109 2,58 9
0,123 2,86 10 0,137 3,12 11 0,151 3,35 12 0,164 3,56 13 0,178 3,75 14 0,192 3,9 15 0,205 4
16 0,219 4,08 17 0,233 4,14 18 0,288 4,3 19 0,315 4,35 20 0,355 4,41 21 0,372 4,42 22 0,396 4,45
Зависимость U
k
от U
g
График зависимости U
k
от U
g

Точка 22
График зависимости U
k
от U
g
(выделенная точка 22)
Осциллограмма при значениях точки 22

Точка 16
График зависимости U
k
от U
g
(выделенная точка 16)
Осциллограмма при значениях точки 16

Точка 6
График зависимости U
k
от U
g
(выделенная точка 6)
Осциллограмма при значениях точки 6

Отследим зависимость U
k от частоты
№
Uk, B
f
1 0,225 10 2
0,304 20 3
0,343 40 4
0,354 80 5
0,361 100 6
0,364 200 7
0,362 400 8
0,348 800 9
0,345 1000 10 0,302 2000 11 0,218 4000 12 0,127 8000 13 0,097 10000 14 0,081 12000 15 0,073 14000 16 0,055 18000
Зависимость U
k
от f
АЧХ при общей базе

Сравнение общего эмиттера с общей базой
Вывод:
В данной лабораторной работе мы изучили транзисторный усилитель с общим эмиттером и общей базой.