МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МИТ


отчет

по лабораторной работе № 3

по дисциплине «Основы электроники и радиоматериалы»

Тема: Входная и передаточная характеристики биполярного транзистора

Студенты гр. 1104		***
Преподаватель		***

Санкт-Петербург

2023
Общие сведения: Биполярный транзистор – это полупроводник прибор с тремя областями чередующихся типов проводимости и двумя p-n-переходами, позволяющий усиливать электрические сигналы. Для n-p-n- транзисторов средняя p-область – имеет проводимость, противоположную крайним n-областям: эмиттерной и коллекторной.

При использовании транзистора в режиме усиления управляющий переход база-эмиттер (БЭ) смещен в прямом направлении, то есть, открыт, а управляемый переход база-коллектор (БК) – в обратном, т.е. закрыт. Электроны из эмиттера через открытый переход инжектируются в область базы. При достижении достаточно малой ширине базы небольшое количество инжектируемых электронов рекомбинирует с дыркам в базе, создавая базовый ток.

Основная часть инжектируемых электронов не успевает рекомбинировать с носителями в области базы и достигает коллекторного перехода. Происходит перенос электрических зарядов через базу из эмиттерной области в коллекторную.



Рис.1

Эмиттерный ток Ie равен сумме базового Ib (входной) и коллекторного Iс (выходной) токов: Ie= Ib+ Iс

Токи Ie , Ib, Ic связаны соотношениями: Iс  Iе, где коэффициент передачи тока из эмиттера в коллектор α = 0.95...0.99, и IcIb , где β – основной усилительный параметр транзистора, показывающий, во сколько раз ток Ic больше тока Ib: Ie=Ic+Ib= βIb+Ib=(1+ β)Ib.

Обработка результатов:

Указание преподавателя:

Пункт 1: n-p-n – 2N3904, Vbe1=0.665В,

---

В

Пункт 2: p-n-p – 2N3906, Vbe1=-0.77В, В



Рис.1 схемы n-p-n и p-n-p транзисторов

1.Исследование характеристик n-p-n транзистора:


Ib,мкА


V, мВ

Ib,мА






V, мВ


Рис.2 Графики напряжения и током базы, и током коллектора n-p-n

Таблица №1

Входное напряжение, мВ		Входная х-ка			Передаточная х-ка
		Ток базы, мкА			Ток коллектора, мА
665	90	6.1	56.2	1		10.8

---

2.Исследование характеристик p-n-p транзистора:


Ib,мкА


Ib,мА

V, мВ






V, мВ


Рис.3 графики напряжения и током базы, и током коллектора p-n-p

Таблица №2

Входное напряжение, мВ		Входная х-ка			Передаточная х-ка
		Ток базы, мкА			Ток коллектора, мА
-770	90	-66,4	62	-13,5		12,6

3. Задание

Рассчитаем входные сопротивления транзистора

Данные берет из таблиц №1 и №2

Таблица №3

	n-p-n	p-n-p
Статическое
динамическое

---

Рассчитаем Коэффициенты передачи

Таблица №4

	n-p-n	p-n-p
B

Рассчитаем крутизну

Таблица №5

	n-p-n	p-n-p
s

Крутизна входной х-ки транзистора

Таблица №6

	n-p-n	p-n-p

Вывод: В ходе данной лабораторной работы, были исследованы n-p-n и p-n-p транзисторы и их входные и передаточные характеристики. Так же рассчитаны входные сопротивления (динамические и статические), коэффициенты передачи (B, , ),которые похожи между n-p-n и p-n-p транзисторами, крутизна и входная крутизна транзистора, которые не сильно отличаются.

---

Смотрите также файлы

• Особенности управления образовательной организацией в современных условиях.doc

• Введение. Цель кр.docx

• Этнические и межнациональные проблемы современного мира глобализация и мультикультурализм.docx

• Какой была первая железнодорожная сигнализация.docx

• Установите соответствие между значением общей накопленной величиной дисконтированных доходов и принятием решения по проекту.pdf