МИНОБРНАУКИ РОССИИ«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «ЛЭТИ»» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА) Кафедра МИТДЗ №3По дисциплине «ФОМНЭ» Вариант 11Выполнил студент группы 1101 _________________ Преподаватель доцент кафедры МИТ __________________ Санкт-Петербург2022ЗаданиеРассчитать величину крутизны в области насыщения для транзистора с МДП структурой, обращая особое внимание на размерность.Характеристики материала (ε, ε_0, μ) – найти самостоятельно в справочниках. (μ приповерхностная подвижность носителей, в 2,5 раза меньше объемной)Дано:

M1	W	L	M2	d
Ge	0,2	9	SiO2	90

М1 – материал подложки; W – ширина канала в мкм; L - длина канала в мкм; М2 - материал подзатворного окисла; d - толщина подзатворного окисла в нмРасчетыВеличина крутизны в области насыщения МПД транзистора расчитывается по следующей формуле: , где μ — подвижность электронов в канале; С₃ — емкость затвора; L — длина канала; U_си — напряжение сток-исток при насыщении.Расчет емкости затвора происходит по следующей формуле: , где , , равная 3,9Подвижность электронов в канале германия μ=0,39Напряжение сток-исток при насыщении U_си МДП-транзистора = 8 В (принято по умолчанию).

---

Рисунок 1 Выходные данные ВАХ МПД транзистора А/ВВыводВ ходе работы была рассчитана крутизна МДП транзистора в зоне насыщения. Крутизна транзистора – это важный параметр, который характеризует его управляющее действие. Чем она больше, тем «острее» реакция транзистора на изменение напряжения на затворе. Чтобы увеличить крутизну нужно уменьшать толщину диэлектрика, уменьшать длину канала и увеличивать его ширину.

---

Смотрите также файлы

• Планконспект Коррекция социальной дезадаптации.docx

• Урока Предмет Немецкий язык Класс 5а Тема урока Актуализация грамматического материала при совершенствовании навыков монологической речи по теме Хобби.doc

• Конспект урока "Образы комедии Д. И. Фонвизина ".docx

• Организация процесса труда.docx

• Квест по математике Выделите основные этапы развития.doc