Раздел №3

Активные элементы радиоэлектронных устройств

Лабораторная работа № 3. Исследование основных параметров транзисторов

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №3
Дата 19.04 ФИО Иванов Е. Павлов А. Уч.гр ИКТ-23
Цель работы:

Изучение принципа действия биполярного транзистора, его основных параметров и способов их определения. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

Объект и средства испытаний:

Объектами испытаний служат: биполярный транзистор структуры N-P-N. Для исследования характеристик транзистора используются включенные в цепь виртуальные приборы: вольтметры, амперметры.
1. Схема электрической цепи для снятия ВАХ биполярного транзистора transistor_1.ms14.


2. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора I_б=f(U_эб) при напряжении U_кэ=5В.

Ток базы Iб, мкА	50	100	200	300	400	500
Напряжение Uбэ, В	0,688	0,711	0,734	0,749	0,760	0,768

3. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора I_б=f(U_эб) при напряжении U_кэ=10В.

Ток базы Iб, мкА	50	100	200	300	400	500
Ток коллектора Iк, мА	0,012	0,024	0,046	0,066	0,083	0,099
Напряжение Uбэ, В	0,687	0,711	0,735	0,751	0,761	0,770

---

4. График с входными ВАХ транзистора I_б=f(U_бэ) для напряжений U_кэ равных 5 В и 10 В.
5 В 10 В



5.Передаточная характеристика транзистора. Зависимость I_к=f(I_б) для U_кэ=10В.



6. Коэффициент усиления транзистора.



0,55 / 258,3 = 0,00021
7. Выходные характеристики биполярного транзистора.

Напряжение Uкэ, В		0,1	0,5	1	5	8	12
Ток коллектора Iк, мА при токе базы Iб, мкА	50	0.001	0.006	0.006	0.008	0,011	0,013
	100	0.003	0,012	0,013	0,018	0,022	0,027
	200	0.006	0,023	0,024	0,034	0,041	0,051
	300	0.009	0,033	0,035	0,048	0,059	0,072
	400	0,011	0,042	0,044	0,061	0,074	0,092
	500	0,014	0,050	0,053	0,074	0,089	0,110

8. График семейства выходных ВАХ биполярного транзистора I_к=f(U_кэ).




9. Схема электрической цепи с транзистором, база которого подключена к источнику напряжения G3.



ВЫВОД: В ходе лаборатоной работе мы

---

изучили принцип действия биполярного транзистора, его основные параметры и способы их определения. Получили входные и выходные вольтамперные характеристики биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

10. Схема электрической цепи для исследований характеристик биполярного транзистора.


11. Результаты эксперимента.

Параметр	Значение в контрольной точке
Iб, мкА	100	200	300	400	500	600	700	800	900	1000	1200	1400	1800	2000	2100
Uбэ, В	0,734	0,735	0,749	0,759	0,767	0,773	0,779	0,784	0,788	0,79	0,792	0,793	0,793	0,796	0,796
Uкэ, В	6,504	6,383	4,817	3,663	2,754	2,021	1,408	0,890	0,451	0,257	0,212	0,195	0,187	0,169	0,167
Iк, мА	0,037	0,037	0,048	0,056	0,062	0,067	0,071	0,074	0,077	0,078	0,079	0,079	0,079	0,079	0,079

12. Графики U_кэ=f(U_бэ) и I_к=f(I_б).

---

1Iк=f(Iб).

Uкэ=f(Uбэ)

---

Смотрите также файлы

• Сварка трением с перемешиванием.docx

• ОценитьПерсональный Куратор 1.pdf

• Письменное деление на числа оканчивающиеся нулями.docx

• Тематический контроль Современные подходы к пониманию права Обществознание 10 класс.docx

• Джоанн Кэтлин Роулинг Гарри Поттер и Дары Смерти.doc