Файл: Методические указания для выполнения курсовых и расчетнографических работ для студентов высших учебных заведений.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.01.2024

Просмотров: 43

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.


Iвых оу=IбVT2=[Uвых оу-(UбэVT2+UбэVT3)]/R2,

откуда R2=(Uвых оу-2Uбэ)/Iвых оу≈(6,3-2,1)/1,5*10-3=2800 Ом.

По ГОСТ принимаем R2=2 кОм.

2.4.4 Расчёт режима работы и выбор элементов для источника опорного напряжения

Источник опорного напряжения представляет собой простейший параметрический стабилизатор, выполненный на элементах R6VD5. Нагрузкой его является инвертирующий вход микросхемы DA, следовательно, режим работы источника должен быть таким, чтобы ответвление тока на вход микросхемы не влияло на этот выбранный режим, т.е. Iст>>Iвх оу. Исходя из этого условия, предварительно принимаем

Iст≈10*Iвх оу, Iст≥10*0,7=7 мА.

Вторым условием выбора стабилитрона является то обстоятельство, что напряжение его стабилизации должно соотноситься с заданным максимальным выходным напряжением всего стабилизатора следующим образом

Uвых=Uст*Kд,

где Kд=(R7+R8+R9)/(R8+R9) – коэффициент деления делителя выходного напряжения всего стабилизатора. Принимая Kд=1,1, получаем Uст≤Uвых мин/Kд=6,9/1,1=6,3 В. Полученным требованиям удовлетворяет стабилитрон КС-156 с параметрами: Uст=5,6 В, Iст мин=3 мА, Iст макс=55 мА. Принимая Iст≥Iст мин=2Iст мин=2*3=6 мА, получаем ток источника опорного напряжения Iоп=10 мА. Исходя из полученного тока, находим

Uмин R6=Uвых мин-Uст=6,9-5,6=1,3 В. Тогда R6=UR6/IR6=UR6/Iд=1,3/10*10-3=130 Ом.

По ГОСТ принимаем R6=130 Ом.
2.4.5 Определение параметров измерительного органа

Измерительный орган выполнен на элементах R7R8R9. Принимаем общий ток делителя с учётом входного тока операционного усилителя Iио>>Iвх оу. Принимаем этот ток равным 10 мА. Тогда общее суммарное сопротивление всех резисторов делителя должно быть равно R=Uвых мин/Iио=6,9/(1*10-2)=690 Ом. Так как ранее было определено, что коэффициент деления делителя Кд=1,1, то из условия Кд=( R7+R8+R9)/(R8+R9) находим

R8+R9=Rд=690/1,1=630 Ом. Тогда R7=R-(R8+R9)=60 Ом.

Принимая R9=R7=60 Ом, находим R8=R-(R7+R9)=690-(60+60)=570 Ом.

По ГОСТ принимаем: R7=R9=62 Ом, R8=560 Ом.

2.4.6 Выбор транзисторов для усилителя постоянного тока (VT2VT3).

Так как выходной ток УПТ является током базы силового транзистора VT1, то он будет равен I
бVT1 макс=Iк макс1=5,8/20=0,29 А. Зная максимальный ток коллектора VT3

IкVT3 макс=IбVT1 макс=0,29 А

и максимально возможное напряжение на нём, не превышающее Uп макс=32,4 В, выбираем в качестве VT3 транзистор КТ608А.

Для него Uкэ макс=60 В,Iк макс=0,4 А, β=40-160.

При этом условии IбVT3=IкVT3/ β3=0,29/40=0,00725 А (7,25 мА).

Исходя из полученных расчётов, коэффициент усиления транзистора VT2 должен быть равен не менее β2≥Iк2/Iб2=IбVT3/Iвых оу=7,25/1,5≥5.

Выбираем в качестве VT2 транзистор КТ315И, для которого Uкэ макс=60 В, Iк макс=50 мА, β=30.

2.4.7. Определение коэффициента полезного действия стабилизатора напряжения в предельных режимах его работы.

Коэффициент полезного действия стабилизатора напряжения определяется выражением

η=Pн/Pвх=Uн*Iн/(Uвх*Iн)=Uн/Uвх,

где Uн и Iн — напряжение и ток в нагрузке (на выходе стабилизатора). Предельными режимами работы стабилизатора являются:

1) При максимальном Uвх и минимальном Uвых,

2) При минимальном Uвх и максимальном Uвых.

Для первого случая получим ηмин=Uн мин/Uвх макс=6,9/21,6=0,32.

Для второго случая ηмакс=Uн макс/Uвх мин=13,1/21,6=0,61.

Таким образом, во всём диапазоне изменения входного и выходного напряжений КПД будет находиться в пределах η=0,32-0,61.

ЛИТЕРАТУРА,

1. Электротехника и Электроника . под ред. Проф. Герасимова В.Г., книга 3. М. Энергоатомиздат, 2001г.

2. Касаткин А.С. Немцов М.В. Электротехника. М. Энергоатомиздат. 2006г.

3. Девочкин О.В., Прохоров В.П. и др. Электротехника и электроника. М., МГМУ, «МАМИ», 2014г. с. 22.

3. Прохоров В.А. Элементы и узлы полупроводниковых преобразователей. М., МГТУ «МАМИ» 2003г.

4. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам., Н.Н. Горюнов, М., Энергия, 1986г. 903с.

5. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. Учебное пособие для приборостроительных специальностей вузов. 2-е издание. М., Высшая школа 1991г.

Приложение 1

Тип транзистора

Максимальнодопустимый ток коллектора

Макс.допуст напряжение,Uкэдоп

Нач. ток транзистора, I кн мкА

Входное сопрот, h11

Ом

Коэф. обр. связи, h12

Коэф.усиления. h21 (усредненный)

Вых.проводимость H22,

Ом-1

Наиб.рассеиваем,мощность Рдоп, Вт

Обратный ток коллек­тора I k обр, мкА

fн

Гц

I

2

'3

4

5

6

7

8

9

10

11

KT-30I.

301АA

10

20

2

1000

1,510-3

60

310-6




10

70

КТ-З102

100

50




1000

0,510-3

200

810-6

0,15

0,05

40

ГТ-108А

50

10




540

910-3

35

1210-6

0,075

10

65

ГТ-109А

20

6

1,0

1000

б10-3

60

1210-6

0,03

0,05

50

ГТ-309Б







1,0

4500

910-3

120

2510-6

0,05

14

20

ГТ-322Б

10

25

!.0

2500

410-3

85

8510-6

0,2

4

50

МП21Б

50

20

1,0

1200

510-3

105

9010-6

0,15

10

45

МП-21Б

60

40

3

800

610-3

60

6010-6

0,15

10

80

МП-25

20

40

1.5

100

710-3

20

7,510-6

0.25

25

60

КП-25А

25

40

10

1000

510-3

30

3010-6

0,2

25

60


Справочные данные некоторых транзисторов, предназначенных для работы в схемах усилителя напряжения низкой частоты

МП-26

20

70

2

1000

1010-3

20

6010-6

0.2

75

60

МП-26Б

25

70




700

|1010-3

35

2010-6

0.2

73

40

МП-39

15

'20




850

710-3

28

5510-6

0.15

15

50

МП-39Б

15

20




1100

б10-3

40

4510-6

0,15

15

40

МП-40А

20

30

8

900

810-3

30

6010-6

0,15

10

30

МП-41

20

15




950

810-3

45

5010-6

0,15

10

20

МГМIA

20

15




750

510-3

75

7510-6

0,15

10

20

МП-42

30

15

25

950

810-3

30

3010-6

0,2

20

80

МП-42А

30

15




j800

1010-3

40

4510-6

0,2

20

75

МП-111 (111А)

20

20

1,5

320

610-3

20

5010-6

0,15

10

50




Приложение 2



а) б)

Входные (а) и выходные (б) характеристики транзисторов КТ 301В, КГ 301Д ; IБ= 25 мкА,

КТ 301 А, КТ 301Б -IБ= 12,5 мкА



а) б)

Входные (а) я выходные (б) характеристики транзисторов КТ 3102 а -IБ= 25 мкА

КT 3102 Б,ВД.- IБ= 15 мкА.



а) б)

Входные (а) и выходные (б) характеристики транзисторов ГТ 108 А IБ= 100 мкА


=20 мкА

а) б)

Входные (а) и выходные (б) характеристики транзисторов ГТ 322 А, 322 Б, 322 В.



а) б)

Входные (а) и выходные (б) характеристики транзисторов МП 25, МП 26 - IБ= 0,1 мА

МП 25А -IБ=0,05 мА МП 26Б-IБ= 0,025 мА



а) б)

Входные (а) и выходные б) характеристики транзисторов МП39- IБ= 400 мкА

МП 39Б, МП 40, МП 40A, МП41-IБ= 200 мкА МП 4IA -IБ= 100 мкА


а) б)

Входные (а) и выходные (б) характеристики транзисторов МП 42, МП 42А -IБ= 150 мкА МП 42Б- IБ= 100мкА .


Приложение 3

Справочные данные транзисторов





ТИП

П/Н

ТИП2

Uкб,В

Uкэ, В

Uбэ, В

Iк (пост), А

Iк (им), А

Вст

Uкэ (нас), В

КТ208А,Б,В

p

0

1

20

20

20

0,15

0,3

20—60

0,4

КТ208Л,М

p

1

1

60

60

20

0,15

0,3

40—120

0,4

КТ209А

p

2

1

15

15

10

0,3

0,5

20—60

0,4

КТ209М

p

3

1

60

60

20

0,3

0,5

40—120

0,4

КТ501А

p

4

1

15

15

10

0,3

0,5

20—60

0,4

КТ501М

p

5

1

60

60

20

0,3

0,5

40—120

0,4

КТ502А

p

6

1

40




5

0,15

0,35

40—120

0,6

КТ502Е

p

7

1

90




5

0,15

0,35

80—240

0,6

КТ301Г

n

8

0

30

30

3

0,01

0,02

10—32

3

КТ301Ж

n

9

0

20

20

3

0,01

0,02

80—300

3

КТ312А

n

10

0

20

20

4

0,03

0,06

10—100

0,8

КТ312В

n

11

0

20

20

4

0,03

0,06

50—280

0,8

КТ315А

n

12

0




25

6

0,1




20—90

0,4

КТ315И

n

13

0




60

6

0,05




30

0,4

КТ326А

p

14

1

20

15

4

0,05




20—70

0,3

КТ326Б

p

15

1

20

15

4

0,05




40—160

0,3

КТ350А

р

16

1

20

15

5




0,6

20—200

1

КТ351А

р

17

1

20

15

5




0,4

20—80

0,6

КТ351В

р

18

1

20

15

5




0,4

52

0,35

КТ361А

р

19

1

25

25

4

0,05




20—90




КТ361Е

р

20

1

35

35

4

0,05




50—350




КТ501А

р

21

1

15

15

10

0,3

0,5

20—60

0,4

КТ501М

р

22

1

60

60

20

0,3

0,5

40—120

0,4

КТ502А

р

23

1

40




5

0,15

0,35

40—120

0,6

КТ502Е

р

24

1

90




5

0,15

0,35

40—120

0,15

КТ608А

р

25

0

60

60

8

0,4

0,8

20—80

1

КТ608Б

n

26

0

80

80

8

0,4

0,8

40—160

0,4

КТ630А

n

27

0

120

120

7

1

2

40—120

0,3

КТ630Е

n

28

0

60

60

7

1

2

160—480

0,3

КТ801А

n

29

0




80

2,5

2




15—30

2

КТ801Б

n

30

0




60

2,5

2




20—100

2

КТ803А

n

31

0




60

4

10




10—70

2,5

КТ808А

n

32

0




120

4

10




10—50




КТ809

n

33

0




400

4

3

5

15—100

1,5

КТ812А

n

34

0




400

7

8

12

4

1,6

КТ812В

n

35

0




200

7

8

12

10

1,6

КТ814А

р

36

1




40

5

1,5

3

40

0,6

КТ815А

n

37

0




40

5

1,5

3

40

0,6

КТ814Г

р

38

1




100

5

1,5

3

30

0,6

КТ815Г

n

39

0




100

5

1,5

3

30

0,6

КТ816А

р

40

1




25

5

3

6

20

1

КТ817А

n

41

0




40

5

3

6

20

1

КТ816Г

р

42

1




80

5

3

6

15

1

КТ817Г

n

43

0




100

5

3

6

15

1

КТ818А

р

44

1




25

5

10

15

15

2

КТ819А

n

45

0




40

5

10

15

15

2

КТ818Г

р

46

1




80

5

10

15

12

2

КТ819Г

n

47

0




100

5

10

15

12

2

КТ904

n

48

0

65

65

4

0,8

1,5

10—60

0,3

КТ914А

р

49

1

65

65

4

0,8

1,5







КТ907А,Б

n

50

0




60

4

1

3

50

0,35

КТ908А

n

51

0




100

5

10




10 - 60

1,5

КТ908Б

n

52

0




60

5

10




20

1,5