Министерство цифрового развития, связи и массовыхкоммуникаций Российской Федерацииордена Трудового Красного Знамени федеральное государственноебюджетное образовательное учреждение высшего образования“Московский технический университет связи и информатики” Кафедра электроникиЛабораторная работа №4«ИССЛЕДОВАНИЕ МДП-СТРУКТУРЫ»Выполнил:Проверилa:Каравашкина В.Н.Москва2023 г.Цель работы:Изучение особенностей структуры металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) и возможностей её применения в электронике.Обозначения и расчётный формулы:Ход лабораторной работы:Вариант №3:

Толщина диэлектрика, мкм	Концентрация акцепторной примеси N, см-3	Ширина канала W, мкм	Длина канала L, мкм
0,03	1016	0,4	1,25

---

Таблица с расчетами:

Исходные данные	Измененный параметр	Пороговое напряжение, В	Удельная крутизна, А/В2	Удельная емкость, Ф/мкм2	Емкость затвор-канал, Ф
Из табл. 1	-	0,9924	2,0248 *10-5	1,1505 *10-16	5,7525 *10-17
При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения порогового напряжения	N=1015см-3	0,7241	2,0248 *10-5	1,1505 *10-16	5,7525 *10-17
При самостоятельно изменённом параметре с целью увеличения удельной крутизны	W=0,8 мкм	0,9924	4,0497 *10-5	1,1505 *10-16	5,7525 *10-17
При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения ёмкости затвор-канал	L = 1 мкм	0,9924	2,5311 *10-5	1,1505 *10-16	4,602 *10-17

Вывод: Уменьшение концентрации акцепторной примеси N или уменьшение толщины диэлектрика d приводит к уменьшению порогового напряжения U0. Увеличение ширины канала W или уменьшение длины канала L или уменьшение толщины диэлектрика d приводит к увеличению удельной крутизны В и емкости затвор-канал Сзк. Однако, при уменьшении ширины канала W или уменьшении длины канала L также происходит уменьшение ёмкости затвор-канал Сзк.

---

Смотрите также файлы

• Департамент общего и профессионального образования Свердловской области.docx

• Стаж, число лет.docx

• Викторина Знатоки природы.docx

• Задания Д10 45.doc

• Актуальность данной темы.docx