МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕРЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА» (СПбГУТ) Кафедра конструирования и производства радиоэлектронных средств Отчет по лабораторной работе 3 по теме « Исследование основных параметров транзисторов » Выполнила студентка группы РТ-01 Чихунова А.С. Принял: ассистент каф. КПРЭС Горобцов И.А. Санкт-Петербург 2021

Цель работы:

Изучение принципа действия биполярного транзистора, его основных параметров и способов их определения. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

Объект и средства испытаний:

Объектами испытаний служат: биполярный транзистор структуры N-P-N. Для исследования характеристик транзистора используются включенные в цепь виртуальные приборы: вольтметры, амперметры.
1. Схема электрической цепи для снятия ВАХ биполярного транзистора transistor_1.ms14.


2. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора I_б=f(U_эб) при напряжении U_кэ=5В.

Ток базы Iб, мкА	50	100	200	300	400	500
Напряжение Uбэ, В	0,687	0,711	0,735	0,749	0,76	0,768

3. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора

---

I_б=f(U_эб) при напряжении U_кэ=10В.

Ток базы Iб, мкА	50	100	200	300	400	500
Ток коллектора Iк, мА	12	24	46	66	83	99
Напряжение Uбэ, В	0,688	0,711	0,736	0,751	0,761	0,77

4. График с входными ВАХ транзистора I_б=f(U_бэ) для напряжений U_кэ равных 5 В и 10 В.


5. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость I_к=f(I_б) для U_кэ=10 В.



6. Коэффициент усиления транзистора.

193

7. Выходные характеристики биполярного транзистора.

Напряжение Uкэ, В		0,1	0,5	1	5	8	12
Ток коллектора Iк, мА при токе базы Iб, мкА	50	1.587	6	6.307	8.769	11	13
	100	3.222	12	13	18	22	26
	200	6.232	23	24	34	41	51
	300	9	33	35	48	59	72
	400	11	42	44	61	74	92
	500	14	50	52	73	88	109

8. График семейства выходных ВАХ биполярного транзистора I_к

---

=f(U_кэ).



9. Схема электрической цепи с транзистором, база которого подключена к источнику напряжения G3.



10. Схема электрической цепи для исследований характеристик биполярного транзистора.


11. Результаты эксперимента.

Параметр	Значение в контрольной точке
Iб, мкА	100	200	300	400	500	600	700	800	900	1000	1200	1400	1800	2000	2100
Uбэ, В		0.735	0.749	0.759	0.767	0.773	0.779	0.784	0.788	0.79	0.792	0.793	0.795	0.796	0.796
Uкэ, В		6.393	4.823	3.663	2.754	2.021	1.42	0.89	0.451	0.257	0.212	0.195	0.176	0.169	0.167
Iк, мА		37	48	56	62	67	71	74	77	78	79	79	79	79	79

12. Графики U_кэ=f(U_бэ) и I_к=f(I_б).



Вывод:

Изучили принцип действия биполярного транзистора

---

, его основных параметров и способы их определения. Сняли входные и выходные вольтамперные характеристики биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

---

Смотрите также файлы

• Пні Дниежзі тарихы Малімні атыжні.docx

• Влияние интернетсленга на речевую культуру современной молодежи.docx

• Дневникотчет по производственной практике.doc

• Практическая работа 12 Создание бд в табличной форме.pdf

• Психологическое измерение становится измерением испытуемых.docx