Файл: Отчет по лабораторной работе 3 по теме Исследование основных параметров транзисторов.docx

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Отчет по практике

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 18.01.2024

Просмотров: 122

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕРЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»

(СПбГУТ)

Кафедра конструирования и производства радиоэлектронных средств
Отчет по лабораторной работе 3

по теме

« Исследование основных параметров транзисторов »


Выполнила студентка группы РТ-01

Чихунова А.С.
Принял: ассистент каф. КПРЭС

Горобцов И.А.

Санкт-Петербург

2021


Цель работы: Изучение принципа действия биполярного транзистора, его основных параметров и способов их определения. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.Объект и средства испытаний: Объектами испытаний служат: биполярный транзистор структуры N-P-N. Для исследования характеристик транзистора используются включенные в цепь виртуальные приборы: вольтметры, амперметры.1. Схема электрической цепи для снятия ВАХ биполярного транзистора transistor_1.ms14.2. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=5В.

Ток базы Iб, мкА
50
100
200
300
400
500

Напряжение Uбэ, В
0,687
0,711
0,735
0,749
0,76
0,768
3. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора
Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=10В.

Ток базы Iб, мкА
50
100
200
300
400
500

Ток коллектора Iк, мА
12
24
46
66
83
99

Напряжение Uбэ, В
0,688
0,711
0,736
0,751
0,761
0,77
4. График с входными ВАХ транзистора Iб=f(Uбэ) для напряжений Uкэ равных 5 В и 10 В.5. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость Iк=f(Iб) для Uкэ=10 В.6. Коэффициент усиления транзистора. 1937. Выходные характеристики биполярного транзистора.

Напряжение Uкэ, В
0,1
0,5
1
5
8
12

Ток коллектора Iк, мА при токе базы Iб, мкА
50
1.587
6
6.307
8.769
11
13

100
3.222
12
13
18
22
26

200
6.232
23
24
34
41
51

300
9
33
35
48
59
72

400
11
42
44
61
74
92

500
14
50
52
73
88
109
8. График семейства выходных ВАХ биполярного транзистора Iк

=f(Uкэ).



9. Схема электрической цепи с транзистором, база которого подключена к источнику напряжения G3.



10. Схема электрической цепи для исследований характеристик биполярного транзистора.


11. Результаты эксперимента.


Параметр
Значение в контрольной точке

Iб, мкА
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1200
1400
1800
2000
2100



Uбэ, В



0.735
0.749
0.759
0.767
0.773
0.779
0.784
0.788
0.79
0.792
0.793
0.795
0.796
0.796



Uкэ, В



6.393
4.823
3.663
2.754
2.021
1.42
0.89
0.451
0.257
0.212
0.195
0.176
0.169
0.167



Iк, мА



37
48
56
62
67
71
74
77
78
79
79
79
79
79


12. Графики Uкэ=f(Uбэ) и Iк=f(Iб).Вывод: Изучили принцип действия биполярного транзистора

, его основных параметров и способы их определения. Сняли входные и выходные вольтамперные характеристики биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.


Смотрите также файлы