ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 31.03.2025
Просмотров: 2471
Скачиваний: 1
360
Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
I
Прямое
включение
Обратное
включение
0 |
U |
Пробой
Рис. 46.6
6.7.4. Внутренний фотоэффект
Внутренний фотоэффект – явление резкого возрастания удельной электропроводности полупроводника при освещении его поверхности.
Энергетические диаграммы, показывающие причину внутреннего фотоэффекта, приведены в ТАБЛ. 46.4.
Таблица 46.4 |
||
Нет освещения |
На полупроводник падает свет |
|
μA |
μA |
λ |
п/п |
п/п |
|
Зона |
Зона |
||||
проводимости |
проводимости |
||||
ħω >> εg |
|||||
εg |
|||||
εg |
|||||
Валентная |
Валентная |
||||
зона |
зона |
||||
Тока нет. |
Сопротивление полупроводника резко |
||||
возрастает. Появляются свободные но- |
|||||
сители заряда и идёт ток. |
|||||
361 |
||||||||||
6.7.5. Фотовольтаический эффект |
||||||||||
В области p-n-перехода возникает электростатиче- |
μA |
|||||||||
ское поле, характеризуемое внутренней контактной |
||||||||||
разностью потенциалов, однако в замкнутой цепи |
i |
|||||||||
ток не идёт, так как эта область обеднены носите- |
||||||||||
– |
+ |
|||||||||
лями тока. |
При освещении p-области |
благодаря |
||||||||
p |
– |
+ |
n |
|||||||
внутреннему |
фотоэффекту образуются |
свободные |
||||||||
– |
+ |
|||||||||
электроны и дырки. Скатываясь с потенциальной |
||||||||||
горки (см. РИС. 46.5Б), электроны создают ток. Для |
||||||||||
дырок, образующихся в p-области, существует по- |
λ |
|||||||||
тенциальный барьер, поэтому их наличие лишь по- |
||||||||||
вышает высоту горки. |
Рис. 46.7 |
Фотовольтаический эффект – явление протекания электрического тока в замкнутой цепи, содержащей p-n-переход, при освещении одной из сторон p-n-перехода (РИС. 46.7).
Демонстрация: Применение фотоэффекта