Файл: 683.pdf

Сделать презентацию

Скачать файл (4,61Мб)

Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 08.10.2025

Просмотров: 1270

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

-61-

68. При диспергировании в жидкой среде происходит адсорбци

онное пони_ение прочности, потому ЧТО увеличивается работа,

идущая на образованllе новой поверхности.

69. Золь иодида серебра получают пептиззцией осадка, образо

аавшеСОСII в результате обратимой коагуляции дисперсных cl,cтeM,

потому что прн пептизаци., осадка двойной электрический слоii

увеличивает свою толщнну и вызывает коллоидное растворение осад

ка.

70. При получении коллоидных систем методом пептизацнн ра бота гетерогенного зародыlеобразованняя всегда меньше работы го

могенного зародыwеобразования, потому что наличие поверхно

стей, избирательно смачиваемых новой фазой в присутствии старой,

прнводит к сильному уменьшению работы образования кристалличе

ClCИХ зародышей.

71. Одним из методов получения коллоидных систем является фи-

3.1)(0- химическое дробление осадков (пептизация), потому что

диспергирование - это измельчение твердых или жидких тел в .tнepт

иой среде, ПРИВОДJIщее к увеличению дисперсности вещества.

72. При дисперrиpoвании в жидкоii среде происходит адсоpvци онное понижение прочности, потому ЧТО возрастает расклини-

88Ющее дав"ение.

73. З6ль каннфоли получают методом замены растворителя, ПО тому что прн физической конденсацн", происходит расщепление на

первичные частицы под действнем виешней среды агрегатов, вознИ)( тнх в результате обратимой коагуляциИ дисперсных систем.

74. При дисперrиpoвании В ЖJlД)(ой cpQe происходит адсорбци онное повышение проЧIIОСТН, потому ЧТО уменьшается работа

ДltCllерrиpoваННI, идущая на образование иовой поверхностн.

75. Прочность IВЛЯeIOl поверхиостным свойcrвом, потому что на иа прочность можно влиnь, измеиu поверхностное навже

ние.

76. Лиофобные дисперсные системы можно получать путем са

мопроизвольного диспергированИl, потому что образование nио

фобных тepl. Jдинамически устойчнвых систем, как и истинных рас

творов, происходит самопроизвольно, сопровождаясь уменьшением

свободной энергин.

www.mitht.ru/e-library

-62-

77. При диспергнрованин в растворе ПАВ происходнт адсорбци онное снижение прочности, I ютому что адсорбциSl ПАВ приводит к солюБИЛllзаЩfll.

78. Ризмср КОЛЛОИДНЫХ Ч<lСТИЦ, обрззующихся конденсациониым

методом З<lВИСltТ от соотношеЮIЯ между СХОРОСТЯМИ двух одновремен

но идущих процессов: образования зародышей и р :та их, ПОТОМУ что ДЛН полуtlСИШI частиц размером I - 100 HI\' необходимо. что бы

скорость роста зародышей превышала скорость их образования.

79. ПептизаЦJlSl резко отличается от обычного растворения, по тому что пр.. обычном растворенни после достижения насыщения

содержание растворенного вещества перестает зависеть от количества

вещества, взятого для растворения, а при пептизации количество рас

творившегося осадка ПР" постояииом содержании пептнззтор. зависит от КОЛJlчества осадка, взятого для растворения.

80. ПРИ дисперrировании в оастворе ПАВ происходит адсорбци оиное увеличение прочиости, пuтому что двухмериый газ, обра

зующийся на поверхности микротрещнн, уменьшает сцепления стенок

трещин.

81. ЛноФильные коллоидные снстемы получают дисперmрованн ем веществ в присутствии ПАВ, потому что 8 основе понижениt мехаНJlЧеских свойств твердых тел под В1IИJlНИСМ ПАВ лежит снижение свободной поверхностиой энерmи и, как CI1UC1ВИе, умеиъшение рабо ты. иеобходимоЯ для образован... новой поверхнOCl'И.

82. Введением вещecrв, поверхнOCПlо.-anнaиъа по отношению 8 поверхности раэдenа исходной и иовой фаз, можно yпpaвmrrъ cтpyny

рой дисперсиых систе~t 8qЖJlJC8lOUlИX ,ори IPИCТ8JlJlИ38ЦJlи МCf8JIJI08,

потому что ПАВ yвemml88eт работу образованна критических

зародышей и yвemrчи88lOТ ~ IU 8О3НJQtИОвeнJUl.

www.mitht.ru/e-library

-6З-

V'.ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

КОЛЛОИДНЫХ СИСТЕМ.

1. Вопросы с одним правиnьны M отитом.

з. вопросом ИЛИ н~],ко"ч~"ным утверждением CJI~ует иetlCO.ll.КО опето•• 8 вопросах ОМОМ I - 15 выберите один пра_ИJlЬныil ответ.

1.	Какая среда называется onтически однородно" '1
	А) /~ /0;	ер.. =оопst;
	В) n = const ;	Д) 't=oonst.
2.	Укажите условия релеевского рассеяния.
	А) А =const.lo =lр;	С) уо ~ Ур;
	В) ло ~ Ар ;	Д) /0 ~ / р.
3.	Укажите отличие рассеянной волны от исходноА поляризоВанной.
	А) меняется амплитуда колебаний;
	В) меняется частота колебаний;

е) происходит деполяризация;

Д) поляризация в другой nлоскocrн.

4.КакоА вид имеет индикатриСС8 рассеяния M81IOA частицеА нeno nяризованного света '1

А) окружность в центре в начале координат;

В) восьмерка;

е) эллипс. сжатый по малой осн; Д) эксцеtrrpическзя окружность.

5.Какой ВИД имеет индикатриСС8 рассеян"" боnыuoit 'f8CТМЦ8Й не

поляризованного света?

А) окружность в центре в начале координат;

В) симмеlРИЧеский эллнпс сжатый по малоИ оси;

е) эксцентрическая окружность; Д) неснмметричная грушеподобная фнгура.

6.На чем основан метод onредеnенИА моneкyJIЯPНOIt М8ССЫ БJ1OКCO.

полимеров по уравнению Рэлея. Н8Эbl88eмоit методом «нenдWOK1t? А) иа определенин числеиноit коицеtпpацнн;

В) на угловоii зависимости с_ето"ассеН8I1ннft;

е) на одинаковых значениях показатeml npeJЮмnmНt Р8С11ЮРИ те"я и одного из БЛОkОВ сополимера;

Д) на определении полдисперсности.

www.mitht.ru/e-library

-64-

7. Укажите правильное выражение предела разрешени,. MНICpO('Ifn"" "

вакууме.
А) 3 = ).,	).,2
А) 3 = ).,	С) 3=-.-;
2nsina	slna
).,	Д) 3 =nsina.
В)3=--;	Д) 3 =nsina.
2sina

8. Чему равен предел разрешения человеческого глаза ?

А) 2·IO·~ м; В) 2-10'" м; С) 2·'0-5 м; Д) 2·'Q-6 м.

9. Чему равен предел разрешен"" электронного мнкроскопа?

А) 10·1 м; В) ,О.. м; С) 10-'0 м; Д) 10·9 м.

10. Каким оптическим явлением обусловлена видимость ... ультр8

микроскопе коллоидных частиц?

А) отраженнем; с) г-щ:сеяннем; В) днфракциеii; Д) поглоrnеннем.

11. Какие физические процессы лежат • основе просеечИ88ющflt"

электронной микроскопии?

А) упр~ ,ое рассеянне t" ;	С) отражение t" ;
В) неупруroe рассеяние t" ;	Д) обl '3ЭОВ8f1не Y-~B8нroB.

12. Какие физические процессы лежат • основе метода раС1'РОIЮА

электронной микроскопии?
А) упругое рассеяние t";	С) образоваиие вторичны'! f' :
В) неупруroe рассеяние t" ;	Д) образование У-Ifnяtttnll.

1З. за счет чеro формируется контрастное и3Ображение .. c88TOlJnM

микроскопе?
А) поглоrnеНИI света;	С) отраженИJl света;
В) рассеяии. света;	Д) иmерферепцни СП~8

14. Что ПРИ80ДИТ 1( yrl1OlOA ассметрии рассеяния болыuимм Ч8СН4 цами?

А) дифра~ц...;

В) внyrpнчаcmчна. интерфq>elttIН!r;

С) меЖ'lаСТИ'lНltя "Нlерф~f'f"ЩЯ;

Д) ПО! л()щсн"е.

www.mitht.ru/e-library

-65-

15. Какой прибор основан на принципе темноnoльной микроскопии?

А) щелевой ультрамикроскоп;

В) электронный МИКроСКОП просвеЧI'qающего типа;

С) сканирующий электронный МИКРОСКОП; Д) световой МИКРОСКОП.

2. вопросы с подбором соответствующих ответов

(парные вопросы)

к перечню про"умерованных 80ПРОСОВ (фра1) ПРllЛагаета список ответов, 0001начаемых буквами. д.,1. каждоrо вопроса надо выбрать один соответствуюЩtlii ответ. Ответы, 0001начены БУК8амн, MOryT нс ПОЛЬЮВ8ТЬС8 однн ра1, нескол"ко ра1 IIЛН не НСПОЛЬЮ8атьса совсеМ. К 8ОпросаМ Nt.N'1 21 - 52 нужно подобрать ..:оответствующне вопрос: « 80-

прос - отит ».

Вопросы .Ni16 21 - 24

Какие оптические явления или физические процессы лежат в основе различных типов микроскопии?

21. СвeroвоЙ.	23. Просвечивающей
	электронной.
22. Ультрамикроскопии.	24. РаСТРО80Й электронной.

А) упругое рассеянне электронов; В) отраженне CBera;

С) поглощение cвera;

Д) образования вторичиых электронов;

Е) рассеяние cвera.

Вопpocw.мJ6 25 - 28

По каким уравнениям можно рассчитать СЛедуюЩие величины? 25. ОптиЧескую плотность.

26. MyrнOCТlt.

27.

28.

СвeronPOПУСlCание.

Предел разрешения микроскопа в вакууме.

А) х = 2,3D//.

В) х =),,/2nsina.

С) х =),,/2sin а .

Д) х =19(/o11,,).

Е) ничего нз перечисленного.

www.mitht.ru/e-library

- .,..

• ,..* ,..... J!t-·)1

fto	... у..." ••"" . ~ .....			кe~~ ~T"Ц
,.......~_T.....		1 .
	29. НI..l'о\k"щ\';t:		.'1. У:	.... р'.оltf'lo:''I\lt.·I(t)ШЮЙ:
	:'0. '1~1~.'.I\~tt)m"':		~2.. ):".'1<1 роft!юii
			ЩЖIЮt:IЮII'ttt'ii.
			('),	::, . Т. Ch т. I h).
			;0 ".1'11:" О И1 flсречttc!lен"ого.