Файл: Гибридные фотоэлектронные приборы ультрафиолетового диапазона изделий специальной техники.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.12.2023

Просмотров: 51

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

УДК 621.383к.т.н., Л. А. Маринина, к.т.н., П. Н. АгунькинГИБРИДНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА ИЗДЕЛИЙ СПЕЦИАЛЬНОЙ ТЕХНИКИ(Филиал Военной академии материально-технического обеспечения г. Пенза)Аннотация. В статье рассмотрены гибридные фотоэлектронные приборы ультрафиолетового диапазона отечественного производства, приведены схемы, технические характеристики, графики спектральной чувствительности, области применения и приоритетные направления развития в создании фотоприемных устройств ультрафиолетового диапазона.Ключевые слова: электронно-чувствительного прибор с зарядовой связью, спектральная чувствительность фотокатода, солнечно-слепой, электронно-оптический преобразователь.Разработка всепогодных оптико-электронных средств, работающих в ультрафиолетовом (УФ) диапазоне спектра является важным направлением развития в области создания оптико-электронных информационных средств разведки, наблюдения, управления и наведения оружия [1]. Получение дополнительных информативных признаков объектов наблюдения возможно путем применения УФ телевизионных камер вследствие различий фоно-целевых контрастов УФ, видимого и инфракрасного диапазонов [2 – 4]. Одним из перспективных направлений улучшения качества сформированного низкоуровневого изображения в видимом, ближнем инфракрасном и УФ диапазоне является уменьшение в структуре фотоприемных модулей количества преобразований входного оптического сигнала в поток фотоэлектронов и обратно, а также изменение принципа усиления электронного потока (вместо размножения фотоэлектронов за счет вторичной эмиссии в каналах микроканальных пластин (МКП) использование размножения фотоэлектронов за счет ударной ионизации в кремнии электронно-чувствительной (ЭЧ) матрицы прибора с зарядовой связью (ПЗС) или ЭЧ матрицы комплементарной структуры металл – окисел – полупроводник (КМОП)) путем введения в структуру сверхвысоковакумного электронно-оптического преобразователя (ЭОП) кремниевой ЭЧ ПЗС (КМОП) с бомбардировкой фотоэлектронами утоненной обратной стороны матрицы. Специально разработанную ЭЧ ПЗС матрицу получают путем утонения электронно-чувствительной области матрицы ПЗС (КМОП) со стороны подложки до 10 – 20 мкм. Схема гибридного фотоэлектронного прибора (ГФП) на основе ЭЧ ПЗС, разработанного АО "ЦНИИ "ЭЛЕКТРОН" приведена на рисунке 1 [5, 6].

Список литературы