Файл: Методические указания по выполнению курсовой работы Новосибирск 2022 удк 621. 383. 82.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.12.2023

Просмотров: 55

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет телекоммуникацийи информатики» (СибГУТИ)Савиных В.Л.РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ Методические указанияпо выполнению курсовой работыНовосибирск2022УДК 621.383.82 Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИРецензент канд. техн. наук, доц. Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах. Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.Рецензент ктн доц.Для направлений Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума© Савиных А.Л., 2022© Сибирский государственный университеттелекоммуникаций и информатики, 2022Оглавление

Расчет амплитудно-частотной характеристики усилителя

Рекомендации по составлению топологии ГИМС Общими принципами составления топологического чертежа являются минимизация длины межэлементных соединений; минимизация площади, занимаемой элементами; равномерное расположение элементов на площади подложки; сигнальные вход и выход разносятся на максимальное расстояние.Далее указывают материал подложки, размещают выбранные и рассчитанные элементы на поле подложки и составляют чертеж топологии ИМС в масштабе 10:1 или 20:1 на миллиметровой бумаге.При составлении эскиза топологии необходимо учитывать следующие основные ограничения, накладываемые тонкопленочной технологией:- навесные элементы (компоненты) устанавливаются в специально отведенные места на расстоянии не менее 500 мкм (0,5 мм) от пленочных элементов и не менее 600 мкм от контактной площадки; - минимальное расстояние между навесными элементами 300 мкм; - длина проволочных выводов навесных элементов должна находиться в пределах от 600 мкм до 5 мм; - минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (и в том числе и контактными площадками) 200 мкм;- минимальная длина резистора Lmin не менее 500 мкм;- минимальная ширина пленочных резисторов bmin не менее 200 мкм при масочном методе, не менее 100 мкм при фотолитографии;- нижняя обкладка пленочных конденсаторов должна выступать за край верхней обкладки не менее чем на 200 мкм; диэлектрик должен выступать за край нижней обкладки не менее чем на 100 мкм;- минимально допустимая ширина пленочных проводников 100 мкм при масочном методе, 50 мкм при фотолитографии;- минимально допустимые размеры контактных площадок при припайке 400×400 мкм, при приварке 200×250 мкм;- пассивные и активные элементы располагаются на расстоянии не менее 1 мм от края подложки;- входные и выходные контакты располагаются вдоль длинных сторон подложки на расстоянии не менее 1 мм от края;В конце раздела приводят краткое описание технологического процесса изготовления пленочных элементов и этапов изготовления ГИМС.В заключении провести моделирование в среде EWB и скорректировать элементы для получения исходных данных. Результаты привести в таблице 11. В результате корректировки изменены следующие элементы:R1= …, R2=…, R3=…, R4=…, C1=…, C2=…, C3=…, C4=…Таблица 11 - Результаты расчетов и моделирования

Список рекомендуемой литературы

Приложение Д


Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«Сибирский государственный университет телекоммуникаций

и информатики»

(СибГУТИ)


Савиных В.Л.
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Методические указания

по выполнению курсовой работы

Новосибирск

2022

УДК 621.383.82
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ
Рецензент канд. техн. наук, доц.
Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.
Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах.


Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.

Рецензент ктн доц.

Для направлений
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума
© Савиных А.Л., 2022

© Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики, 2022

Оглавление





Стр.

Цель работы ..............................................................................................

4

Задание............................................................................................................

4

Содержание курсовой работы .....................................................................

7

Структурная схема усилителя.....................................................................

7

Порядок расчета усилителя.........................................................................

15

Приложение А. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов и диодов …............................................................................

2..

Приложение Б. …........................................................................................

2

Литература ………........................................................................................

2
















ЦЕЛЬ РАБОТЫ


  1. Научиться составлять электрические схемы интегрального усилителя по заданным параметрам.

  2. Осуществлять правильный выбор БТ и ПТ и определять их параметры по характеристикам или путем измерения.

  3. Проводить электрический расчет пассивных элементов схемы.

4 Рассчитывать элементы схемы для получения заданной АЧХ.

5 Составить топологию разработанной схемы.
ЗАДАНИЕ

В процессе выполнения курсовой работы студент должен составить принципиальную схему интегрального усилителя и провести электрический расчет её элементов. Затем составить топологический чертеж. Варианты задания даны в приложении А.

СОДЕРЖАНИЕ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Перед выполнением курсовой работы студент должен изучить основные вопросы, касающиеся принципа работы и особенностей построения интегральных усилителей.

Курсовая работа состоит из введения, электрического расчета элементов принципиальной схемы, составления топологического чертежа и заключения.

Во введении необходимо кратко описать преимущества разработки электронных устройств с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.

Основная часть проекта посвящена разработке и электрическому расчету принципиальной схемы усилительного устройства в соответствии с заданными параметрами, а также расчету АЧХ. Эта часть заканчивается приведением полной принципиальной схемы усилителя с указанием типов БТ и ПТ, номиналов пассивных элементов, а также АЧХ.

В соответствии с разработанной принципиальной схемой составляется топологический чертеж.

В заключении привести краткие выводы о проделанной работе, в частности можно коротко рассмотреть другие варианты разработки усилительного устройства и сравнить эти варианты конструктивно с точки зрения технологического исполнения ИМС.
СТРУКТУРНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ
Усилитель состоит из двух каскадов (рисунок 1):

1 Усилительный каскад (УК), который должен обладать большим входным сопротивлением и необходимым коэффициентом усиления.

2 Эмиттерный повторитель (ЭП) служит для согласования УК с низкоомной нагрузкой.




Рисунок 1 - Структурная схема усилителя
Один из вариантов принципиальной схемы усилителя, соответствующий выше приведенной структуре, приведен на рисунке 2.

УК выполняется на ПТ, т.к. он обладает высоким входным сопротивлением. С1 разделительная ёмкость, не пропускающая постоянную составляющую от источника сигнала. R1 – сопротивление утечки, равное заданному входному сопротивлению. R2 сопротивление нагрузки в цепи стока с параллельно включенной ёмкостью С2, которая корректирует АЧХ на высоких частотах. R3 сопротивление смещения, задающее рабочую точку ПТ. С3 блокирующая ёмкость исключает снижение коэффициент усиления.



Рисунок 2 - Принципиальная схема усилителя

Выходной каскад – эмиттерный повторитель(ЭП). Он состоит из биполярного транзистора VT2, резистора в цепи эмиттера R4 и разделительного конденсатора С4 между эмиттером транзистора и нагрузкой.
Коэффициент передачи ЭП немного меньше единицы, но он обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями.
ПОРЯДОК РАСЧЕТА УСИЛИТЕЛЯ
1 Расчет усилителя начинается с расчета выходного каскада, т.е. эмиттерного повторителя (рисунок 3).

Вычисляем максимальный ток нагрузки

IН = UВЫХ max / RН (1)

Затем определяем постоянную составляющую тока эмиттера VT2, который должен превышать ток нагрузки в 2-3 раза

IЭ– = (2÷3)∙IН. (2)

Примечание. Индексы (–) и () указывают на постоянный или переменный ток либо напряжение.


Рисунок 3 - Эмиттерный повторитель
Отсюда сопротивление в цепи эмиттера ЭП составит

R4= 0,5·UП /IЭ- (3)

Определяется мощность рассеивания на коллекторе транзистора VT2


PК =UКЭ–· IК– =0,5·UП· IК0, (4)

где можно принять IК– ≈ IЭ–.

Выбираем бескорпусной БТ, у которого максимальная мощность рассеивания на коллекторе РК max больше, чем рассчитанная выше и предельно допустимое напряжение UКЭ max > UП (приложение Б, таблица Б1).

Для расчета параметров ЭП необходимо найти параметры транзистора h11Э и h21Э и записать их в таблицу 2. Для определения параметров используем приложение В (рисунок В1).
Таблица 2 - Параметры транзистора VT2

UКЭ-,

В

IК–,

мА

РК, мВт

Тип БТ


IБ–,

мкА

UБЭ-,

В


















IБ,

мкА

UБЭ,

мВ

IК,

мкА

h11Э,

Ом

h21Э























Рассчитываем параметры ЭП и результаты заносим в таблицу 3.

Таблица 3 - Расчетные параметры эмиттерного повторителя.

Тип

БТ

R4,

кОм

RНЭ,

Ом

КU ЭП

RВХ ЭП,

Ом

UВХ ЭП,

В

IБ , мкА

UБЭ–,

В

IБ–, мкА





























Рассчитываем коэффициент передачи ЭП КU ЭП по формуле



где RН ЭКВ эквивалентное сопротивление нагрузки ЭП, состоящее из параллельно включенных R4 и RН.



Входное сопротивление ЭП равно

RВХ ЭП= h11Э+ (h21Э +1)·RН ЭКВ (7)

Напряжение сигнала на входе ЭП должно составлять


UВХ ЭП= UВЫХ / КU ЭП (8)

Переменный входной ток ЭП составляет



Определяем также постоянное напряжение база-эмиттер транзистора UБЭ- .

Выходное сопротивление ЭП равно



где RИСТ – сопротивление источника сигнала, стоящего перед ЭП. Так как перед ЭП стоит УК, то RИСТ = R2 || Ri ≈ R2. Ri – выходное сопротивление ПТ. Поскольку Ri >> R2, то им можно пренебречь. (Этот параметр определяется после расчета УК).
Расчет усилителя на ПТ
Принципиальная схема усилителя представлена на рисунке 4.



Рисунок 4 – Принципиальная схема усилителя
Коэффициент передачи усилителя на ПТ определяется формулой



Так как RН<i, то КUПТ берем на 10-20% больше. А с учетом эмиттерного повторителя коэффициент передачи усилителя на ПТ принимаем равным



Выбирается бескорпусной ПТ, у которого предельно допустимое напряжение UСИ max > UП и



(приложение Б, таблица Б2). Тип транзистора заносим в таблицу 4.

Таблица 4 – Результаты расчета усилителя на ПТ

Тип

ПТ

КUПТ

, мА



В

UСИ,

В



В

IC,

мА

S,

мА/В

R1,

кОм

R2,

кОм

R3,

Ом
































  1   2   3   4