Файл: Методические указания по выполнению курсовой работы Новосибирск 2022 удк 621. 383. 82.docx

СОДЕРЖАНИЕ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет телекоммуникацийи информатики» (СибГУТИ)Савиных В.Л.РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ Методические указанияпо выполнению курсовой работыНовосибирск2022УДК 621.383.82 Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИРецензент канд. техн. наук, доц. Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах. Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.Рецензент ктн доц.Для направлений Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума© Савиных А.Л., 2022© Сибирский государственный университеттелекоммуникаций и информатики, 2022Оглавление

Расчет амплитудно-частотной характеристики усилителя

Рекомендации по составлению топологии ГИМС Общими принципами составления топологического чертежа являются минимизация длины межэлементных соединений; минимизация площади, занимаемой элементами; равномерное расположение элементов на площади подложки; сигнальные вход и выход разносятся на максимальное расстояние.Далее указывают материал подложки, размещают выбранные и рассчитанные элементы на поле подложки и составляют чертеж топологии ИМС в масштабе 10:1 или 20:1 на миллиметровой бумаге.При составлении эскиза топологии необходимо учитывать следующие основные ограничения, накладываемые тонкопленочной технологией:- навесные элементы (компоненты) устанавливаются в специально отведенные места на расстоянии не менее 500 мкм (0,5 мм) от пленочных элементов и не менее 600 мкм от контактной площадки; - минимальное расстояние между навесными элементами 300 мкм; - длина проволочных выводов навесных элементов должна находиться в пределах от 600 мкм до 5 мм; - минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (и в том числе и контактными площадками) 200 мкм;- минимальная длина резистора Lmin не менее 500 мкм;- минимальная ширина пленочных резисторов bmin не менее 200 мкм при масочном методе, не менее 100 мкм при фотолитографии;- нижняя обкладка пленочных конденсаторов должна выступать за край верхней обкладки не менее чем на 200 мкм; диэлектрик должен выступать за край нижней обкладки не менее чем на 100 мкм;- минимально допустимая ширина пленочных проводников 100 мкм при масочном методе, 50 мкм при фотолитографии;- минимально допустимые размеры контактных площадок при припайке 400×400 мкм, при приварке 200×250 мкм;- пассивные и активные элементы располагаются на расстоянии не менее 1 мм от края подложки;- входные и выходные контакты располагаются вдоль длинных сторон подложки на расстоянии не менее 1 мм от края;В конце раздела приводят краткое описание технологического процесса изготовления пленочных элементов и этапов изготовления ГИМС.В заключении провести моделирование в среде EWB и скорректировать элементы для получения исходных данных. Результаты привести в таблице 11. В результате корректировки изменены следующие элементы:R1= …, R2=…, R3=…, R4=…, C1=…, C2=…, C3=…, C4=…Таблица 11 - Результаты расчетов и моделирования

Список рекомендуемой литературы

Приложение Д