ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 05.02.2025
Просмотров: 32419
Скачиваний: 5
СОДЕРЖАНИЕ
Руководство по изучению дисциплины
1.2. Теплопроводность металлов
1.3. Термоэлектродвижущая сила
1.4. Зависимость удельного электрического сопротивления металлов от температуры
1.5. Электрические характеристики сплавов
1.6. Классификация проводниковых материалов
1.7. Материалы высокой проводимости
1.8. Сплавы высокого сопротивления
1.11. Высокотемпературные сверхпроводники (втсп)
Контрольные вопросы по теме: «Проводниковые материалы».
2.1. Определение и классификация
2.2. Основные параметры полупроводников.
2.3. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
2.4. Зависимость концентрации носителей заряда от температуры
2.6. Время жизни носителей и диффузионная длина
2.7. Основные эффекты в полупроводниках и их применение
2.8. Полупроводниковые материалы
Контрольные вопросы к разделу Полупроводниковые материалы
А) Простыми органическими п/п материалами
А) Поликристаллический кремний
Задачи и упражнения к разделу Полупроводники
3.1.2 Диэлектрическая проницаемость
3.1.3 Классификация диэлектриков на линейные и нелинейные
3.1.4 Диэлектрики полярные, неполярные и с ионной структурой
3.1.7 Релаксационные виды поляризации
3.1.8 Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры, давления, влажности, напряжения
Влияние давления на ε учитывается барическим коэффициентом ε
3.1.9 Диэлектрическая проницаемость смесей
3.2 Электропроводность диэлектриков
3.2.1 Зависимость тока от времени приложения постоянного напряжения
3.2.3 Общее выражение для удельной объемной электропроводности
3.2.4 Поверхностное сопротивление твердых диэлектриков
3.2.5 Электропроводность газообразных диэлектриков
3.2.6 Электропроводность жидких диэлектриков
3.2.7 Электропроводность твердых диэлектриков
3.2.8 Зависимость удельной электропроводности от напряженности электрического поля
3.3.2 Полные и удельные диэлектрические потери
3.3.3 Потери на электропроводность
3.3.5. Диэлектрические потери полимеров
3.3.6. Диэлектрические потери неорганических диэлектриков
3.3.7. Диэлектрические потери в неоднородных диэлектриках
3.4. Электрическая прочность диэлектриков
3.4.1 Пробивное напряжение и электрическая прочность
3.4.3. Пробой газообразных диэлектриков
3.4.4. Пробой жидких диэлектриков
3.4.5. Пробой твердых диэлектриков
3.5. Механические, термические и физико-химические свойства диэлектриков
3.10. Пластмассы и пленочные материалы
3.13. Слюда и слюдяные материалы
Задачи и упражнения к разделу Диэлектрические материалы
Консультация Напомним, что поляризованность есть электрический момент единицы объема
4.2. Классификация веществ по магнитным свойствам
4.5. Намагничивание магнитных материалов. Кривая намагничивания
4.7. Структура ферромагнетиков
4.8. Магнитострикционная деформация
4.10. Потери в магнитных материалах
4.11. Электрические свойства магнитных материалов
4.12. Классификация магнитных материалов
4.13. Основные параметры магнитотвердых материалов
Тема 8. Магнито диэлектрики (мд)
4.14.1. Технически чистое железо
4.14.2. Электротехнические стали
4.14.5. Магнитомягкие ферриты.
4.14.6. Специальные магнитные материалы
14.4.7. Аморфные магнитные материалы (амм)
4.14.8. Магнито диэлектрики (мд)
4.15. Магнитотвердые материалы
4.15.1. Сплавы на основе железа—никеля—алюминия
4.15.2. Металлокерамические магниты
4.15.3. Магнитотвердые ферриты
4.15.4. Сплавы на основе редкоземельных металлов (рзм)
Контрольные вопросы к разделу «Магнитные материалы»
А) температуру, при которой значение минимально;
Задачи и упражнения к разделу “Магнитные материалы“
Термины и определения Термины, использованные в эу в соответствии с госТом 22622 – 77
Основные государственные стандарты на электротехнические материалы *
3.1.8 Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры, давления, влажности, напряжения
Характер температурной зависимости ε-диэлектриков с различными видами поляризаций часто определяют с помощью температурного коэффициента диэлектрической проницаемости
ТКε=1/ε·(dε/dТ). (3.1.14)
Влияние давления на ε учитывается барическим коэффициентом ε
БКε=1/ε·(dε/dР). (3.1.15)
Для линейных диэлектриков БКε, как правило, положителен, так как при всестороннем сжатии диэлектрика увеличивается число способных поляризоваться молекул в единице объема. В некоторых полярных жидкостях в зависимости εот давления наблюдается максимум.
Увлажнение заметно увеличивает εгигроскопического диэлектрика, что в первую очередь можно объяснить высокими значениямиεводы (Э=81). Вместе с тем при увлажнении уменьшается удельное сопротивление, увеличивается угол диэлектрических потерь и уменьшается электрическая прочность диэлектрика.
Для линейных диэлектриков, используемых главным образом в качестве электрической изоляции и диэлектрика конденсаторов, εв большинстве случаев может считаться практически не зависящей от напряжения, приложенного к диэлектрику. Сильно выраженная зависимостьεот напряжения характерна для сегнетоэлектриков.
3.1.9 Диэлектрическая проницаемость смесей
На практике часто используются неоднородные композиционные диэлектрики, представляющие собой смеси двух или более различных веществ — компонентов смеси. К таким материалам относятся многие пластические массы, состоящие из связующего и наполнителей, керамические, волокнистые, пропитанные и непропитанные пористые материалы и т. п.
Для расчета эффективной ε* смеси положим, что отдельные компоненты не вступают друг с другом в химические реакции, т.е. смесь чисто физическая. Будем считать, что плоский конденсатор состоит из параллельно или последовательно соединенных однородных диэлектриков, как показано на рис. 3.1.8.
рис. 3.1.8
Обозначая через у1и у2доли объемного содержания (объемные концентрации) первого и второго компонента для рассмотренного случая будем иметь для параллельного соединения
ε*=у1· ε1+у2· ε2, (3.1.16)
для последовательного соединения
ε*= ε1·ε2/(у1· ε1+у2· ε2). (3.1.17)
Для расчета ε* статистической смеси (хаотической, неупорядоченной в пространстве) предложено большое число формул, из которых широкое применение имеет формула Лихтенеккера. Эта формула, носящая название логарифмического закона смешения, для смеси двух компонентов имеет вид
lg ε*=у1·1g ε1+у2·1g ε2, (3.1.18)
а для смеси ткомпонентов
Для вспененных материалов, (пенопластов, пенокерамики и др.), заполненных большим количеством мелких пор, из последней формулы, считая, что для газов ε=1, а плотность равна нулю, получается уравнение
1g ε*=d*/dт·lgεт(3.1.20)
где εт иdт диэлектрическая проницаемость и плотность сплошного, твердого диэлектрика, аε* иd*— диэлектрическая проницаемость и плотность вспененного материала.
3.2 Электропроводность диэлектриков
3.2.1 Зависимость тока от времени приложения постоянного напряжения
В момент включения и выключения постоянного электрического поля через диэлектрик электрического конденсатора протекает обусловленный быстрыми видами поляризаций ток смещения 1см- за время около 10-15с. В неполярных однородных диэлектриках затем устанавливается ток сквозной проводимости — Iскв. В начальный момент времени и при выключении постоянного поля через полярные и неоднородные диэлектрики протекает также ток абсорбции — Iабс, при чиной которого являются замедленные (релаксационные) поляризации. Во многих диэлектриках, используемых в качестве электрической изоляции, Iскв устанавливается за время меньшее 1 мин. В переменном электрическом поле через диэлектрик протекают все, характерные для него виды токов.
Сквозной ток— Iскв (ток утечки) обусловлен наличием в диэлектриках указанных в таблице свободных носителей заряда различной природы.
Таблица 3.2.1
|
Вид диэлектрика |
Носители заряда (область слабых полей) |
Природа носителей заряда (происхождение) |
|
Газообразные |
Положительные и отрицательные ионы. В сильных полях также электроны |
Ионизация молекул газа Главным образом ударная ионизация и фотоионизация молекул газа |
|
Жидкие |
Ионы Коллоидные заряженные частицы |
Диссоциация молекул примесей (реже собственных молекул) Характерны для коллоидных растворов-эмульсий (коллоидные частицы -жидкость) и суспензий (взвешенное фаза-твердое вещество) |
|
Твердые |
Ионы Точечные дефекты кристаллической решетки, вакансии (пустые узлы), межузельные ионы Электроны проводимости или дырки в заполненной зоне |
Диссоциация примесей или собственных молекул
В диэлектриках с электронным элементом проводимости |
3.2.2 Токи абсорбции
В постоянном электрическом поле токи абсорбции могут устанавливаться в течение длительного времени в зависимости от типа диэлектрика и механизма поляризации. Уменьшение тока Iабс может наблюдаться в течение минут или даже часов. После исчезновения тока абсорбции через диэлектрик будет протекать только ток 1скв. При расчете сопротивления изоляции на постоянном напряжении необходимо расчет вести по току сквозной проводимости Iскв. исключая токи абсорбции. Механизмы возникновения и уменьшения тока абсорбции показаны в табл. 3.2.2.
Таблица 3.2.2
|
N |
Условия возникновения Iабс |
Механизм или причина уменьшения проводимости |
|
1 |
При ионной проводимости наличие блокирующих контактов с электродами (БК) |
БК препятствуют прохождению носителей заряда через границу - электрод-диэлектрик или разряду носителей, подходящих из объема диэлектрика на границе с электродом |
|
2 |
Неоднородная структура диэлектрика |
Накопление заряда на границах раздела, что вызывает перераспределение электрического поля |
|
3 |
Ионная или молионная проводимость в жидком ди- электрике |
Необратимое удаление носителей заряда и разрядка их на электродах (электроочистка). |
|
4 |
Инжекция электронов или дырок в диэлектрик |
Захват носителей заряда на ловушки (дефекты решетки) и исключение их из процесса переноса тока |
|
5 |
Наличие в диэлектрике замедленной поляризации |
Установление релаксационной поляризации с течением времени |
3.2.3 Общее выражение для удельной объемной электропроводности
В общем случае без учета природы носителей заряда для однородного и изотропного вещества объемная плотность тока будет пропорциональна напряженности поля Е
j=γv·Е, (3.2.1)
где γv— удельная объемная проводимость вещества. Эта формула представляет собой закон Ома в дифференциальной форме.
Для оценки параметров диэлектриков обычно используют величину обратную γv— удельное объемное сопротивление
ρv=1/γv. (3.2.2).
Плотность тока можно выразить также как произведение n·q на v, где n-концентрация носителей заряда, q—величина заряда, а v — средняя скорость носителей заряда вдоль направления Е.Из сравнения (3.2.1) и (3.2.3) получим
γv =n·q·v/E. (3.2.4)
Отношение v к Е называется подвижностью носителей заряда
μ=v/e. (3.2.5)
С учетом (3.2.4) получим
γv =n·q·μ (3.2.6)
Для диэлектрика плоского конденсатора с поперечным сечением S, равным площади каждого электрода и толщиной диэлектрика d, (расстояние между электродами)
ρv=R·S/d. (3.2.7)
В системе СИ рассмотренные в формулах параметры выражаются в следующих единицах: j—А/м2, Е—В/м,n-м-3, q—Кл, v—м/с, μ—м2/В·с, ρ— Ом-м, γ—1/Ом·м=См/м.
3.2.4 Поверхностное сопротивление твердых диэлектриков
Если на поверхность диэлектрика нанести полоски электродов шириной “в”, разместив их на расстоянии “а” друг от друга, то удельное поверхностное сопротивление ρsбудет пропорционально поверхностному сопротивлениюRs, “в” и обратно пропорционально “а”, т. е.ρs=Rs·b/a.ρs- твердых диэлектриков является параметром диэлектрика и зависит от природы диэлектрика, температуры, влажности, приложенного напряжения. Характер этих зависимостей то влажности в общем случае сходен с аналогичными зависимостями дляρv·ρs-диэлектриков и связан с величиной краевого угла смачивания и твердостью диэлектрика. Чем меньше краевой угол и выше твердость, тем нижеρsувлажненного диэлектрика. Сильно увлажняются полярные и пористые диэлектрики. При нагревании увлажненной изоляцииρsтаких материалов может расти с повышением температуры с последующим спадом после высушивания. При низких температурах ps высушенного материала имеет значительно более высокие значения (на 6-7 порядков выше). Для увеличения значенияρs-диэлектриков пользуются различными приемами: промывкой в кипящей дистиллированной воде или растворителях, прогреванием до достаточно высокой температуры, покрытием поверхности влагостойкими лаками, глазурями, размещением изделий в защитных корпусах и оболочках и т.п.