ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.05.2025
Просмотров: 433
Скачиваний: 0
ВАРИАНТЫ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ЗАДАНИЙ
F = AB + BC + DEFG
ABC + CDE
A (BC + DE) + FG
ABCD + EFGH
ABCDE

A + B + C + D


(A + B + C) D

AB + CD(E + F)




(A + B) (CD + EF)




ЗАДАНИЕ НА ЛАБОРАТОРНУЮ РАБОТУ № 3
Задание выполняется при помощи топологического чертежа КМДП БМК серии 1537 (рис.4).
Провести топологическое проектирование схемы, реализующей заданную в работе №2 логическую функцию с минимальными аппаратными затратами и максимальным быстродействием. Оценить площадь, занимаемую схемой, число используемых базовых ячеек.
Рассчитать величины паразитных емкостей и сопротивлений шин межсоединений для полученного топологического эскиза схемы. Расчет вести для самых длинных шин, если величины Спар. меньше 20 фФ, а Rпар. - меньше 250 Ом (т.е.
),
то вкладом задержек в шинах разводки
в быстродействие схемы можно пренебречь.
В ином случае, соответствующие емкости
и сопротивления должны быть включены
в электрическую схему для проведения
моделирования переходных процессов в
проектируемой схеме.
3. Провести расчет при помощи PSPICE переходных процессов в схеме с учетом паразитных RC- составляющих для окончательного топологического варианта схемы.
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
На топологическом чертеже БМК карандашом провести соединения для реализации электрической схемы. В данном БМК разрешены два слоя металлизации (см. Описание соответствующего БМК). Используемые контактные окна отмечаются, например, крестиком.
Рассчитать емкость и сопротивление наиболее длинной шины, пользуясь следующими данными:
= 1 мкм, минимальная ширина Al- шины - 3,
средняя толщина межслойного изолирующего окисла dок.изол = 0,5 мкм, толщина
слоя поликремния dSi* = 0.5 мкм, толщина 1-го слоя алюминия dAl 0.5 мкм,
а второго (преимущественно для шин питания) - 1 мкм,
поверхностное
сопротивление
,
.
сопротивление шины легко рассчитать, вычислив число квадратов в шине n:
R
= n
,
а емкость - зная полную площадь шины А
= L x W, C = C0 A,
,
ок
= 3.9, 0
= 8,8510-14
ф/см.
Провести расчет переходных процессов в схеме при помощи PSPICE, подсоединив в соответствующие узлы паразитные R-C-элементы. Исходные данные для расчета:
UИП
=
5 В,
Uпор.n
= 1.2
0.3
В,
Uпор.р
= -(1.3
0.3)
В ,
размеры каналов транзисторов W = 30 мкм , L = 2мкм,
толщина подзатворного SiO2 d.SiO2подзатв = 50 нм.
Входные импульсы логических сигналов могут быть идеальными, с нулевыми фронтами.
Наборы логических значений входных переменных подобрать таким образом, чтобы продемонстрировать наличие функциональных состязаний. Для симметричных схем с одинаковыми длинами цепей прохождения сигналов, состязания можно продемонстрировать при помощи несинхронной подачи входных переменных.
ТРЕБОВАНИЯ К ОТЧЕТУ.
Отчет по данной работе должен содержать:
Топологический чертеж логической схемы.
Результаты расчета паразитных емкостей и сопротивлений. Число использованных базовых ячеек и величину площади схемы (можно в единицах : A = (a х b).
Распечатку файла входной информации для PSPICE.
Распечатку переходного процесса в схеме с расчетом времен фронтов и задержек сигналов.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
Что такое «базовая ячейка», «библиотечная ячейка», «библиотечный узел» в БМК, для каких методов проектирования их чаще применяют?
Что такое восходящий и нисходящий способы проектирования ИС на БМК?
Как заполняется аттестационная таблица для БМК определенной серии?
Что такое функциональные состязания статического и динамического типа?
Как учитывать или избегать состязаний сигналов в схемах?
Как спроектировать схему с минимальными аппаратными затратами?
--«---«---»---»-- с максимальным быстродействием?
–«---«---»---»-- с минимальной площадью?
Какой способ моделирования схемы проведен в лабораторной работе:
синхронный или асинхронный, сквозной или событийный?
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г. Базовые матричные кристаллы и программируемые логические матрицы. М., Высшая школа, 1987г.
Лабораторная работа № 4. Расчет параметров тестопригодности логической схемы.
Цель работы: изучение проблем, связанных с тестопригодностью ИС, расчет параметров тестопригодности на примере полузакзной цифровой ИС.
Теоретические сведения
Тестовое диагностирование – обнаружение неисправностей элементов ИС вследствие дефектов производства, эксплуатации или старения. Тестирование происходит по результату: проходит или не проходит сигнал.
Ремонтопригодность схем – это характеристика схем, включающая в себя диагностирование вида «поиск дефекта»: проверка исправности и локализация неисправности.
Неисправность может быть вызвана физическим дефектом, например, обрывом. Проявление неисправности характеризуется логическим состоянием схемы, например, типа зависания логического состояния. Поведение неисправностей адекватно отображается моделированием по логическим функциям: короткое замыкание (КЗ), проводное И, ИЛИ, обрыв (ХХ).
Тестопригодность – приспособленность схемы к обнаружению неисправностей, их локализации и реализации тестового диагностирования в пределах допустимых финансовых затрат. Нужно сокращать затраты в любом их перечисленных разделов: на ЭВМ, программы, время тестирования, обучения, обслуживания и т.д.
Первичные входы. (ПВх) – входы, чьими логическими состояниями можно непосредственно управлять.
Первичные выходы (Пвых) - выходы, которые можно непосредственно наблюдать.
Тест (тестовый набор) - определенное множество сигналов на ПВх и ожидаемых реакций на Пвых. Покрытие неисправностей – характеризует множество неисправностей, обнаруживаемых либо отдельным тестом либо их множеством.
Анализ тестопригодности по сиcтеме CAMELOT [1].
Количественные оценки тестопригодности могут быть проведены до генерации тестов и могут быть сделаны счетным или алгоритмическим способом.
Счетные оценки. Главное – идентифицировать особенности схемы, характеризующие тестопригодность. Эти характеристики задаются набором показателей. Подсчитывают показатели, ухудшающие и улучшающие тестопригодность, их комбинации дают оценку тестопригодности. В этой методике не обязательно использовать ЭВМ, возможно дать рекомендации на последнем этапе проектирования схемы, например, по секционированию, расположению контактных площадок, разъемов и т.д. Оценки достаточно грубые.
Алгоритмические оценки - реализуются программно, в основе лежит анализ топологии. Анализируется каждый узел, строятся сечения схемы по уровню тестопригодности (гистограммы), находят слабые места. Основными параметрами такого анализа являются управляемость и наблюдаемость.
Управляемость (CY) - это простота решений задач подачи теста в определенный узел.
Наблюдаемость (OY) – это реагирование на выходах подсхемы в заданном состоянии окружения.
Тестопригодность любого узла есть функция управляемости и наблюдаемости этого узла:
TY(узла) = CY(узла)OY(узла).
Управляемость.
В системе CAMELOT управляемость CY принимает относительные значения от 0 до 1.
Значение CY = 1 – максимальная величина параметра соответствует первичному входу: можно установить любое логическое состояние.
Значение CY = 0 - узел не может быть установлен в одно из двоичных состояний.
Остальные узлы характеризуются значениями CY между этими границами.
Теория передачи значений CY через элементы устройства.
Рассмотрим устройство.
Е

сли
входы управляются непосредственно,
входы
т
о
управляемость выходов должна отражать
с
пособность
устройства к установке на каждом
выходы
выходе 0 или 1 по логической передаточной функции.
В общем случае управляемость входов может быть не 100%-ной, поэтому управляемость выходов должна учитывать и способность выполнять логическую функцию и значения управляемости входов:
СY (вых.узла) = CTF f{ CY( вх. узлов)},
CTF – (controlability transfer factor) – коэффициент передачи управляемости устройства по данному выходу.
CTF – мера степени различия способности генерировать на данном выходе ” 1” от способности генерировать на данном выходе “ 0 “. Данный коэффициент зависит только от логической функции, реализуемой устройством: